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公开(公告)号：CN105483833A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510820250.4
申请日：2015-11-24
申请人： 北京华进创威电子有限公司
CPC分类号： C30B33/10 , C30B29/403
摘要： 本申请公开了一种氮化铝单晶的位错腐蚀方法，该位错腐蚀方法包括如下步骤：1）对氮化铝单晶片进行有机溶剂超声清洗；2）对氮化铝单晶片进行有机溶剂浸洗；3）用去离子水冲洗氮化铝单晶片的表面；4）将氮化铝单晶片放入化学腐蚀液中，在300-400℃的温度条件下进行位错腐蚀；5）用去离子水冲洗步骤4）中腐蚀后的氮化铝单晶片；6）干燥氮化铝单晶片。本申请的位错腐蚀方法腐蚀效率高、工艺控制性能好；且可以快速、清晰地显示位错。
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公开(公告)号：CN103643305A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310640467.8
申请日：2013-12-04
申请人： 北京华进创威电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于高温气相法晶体生长的TaC坩埚的制备方法，具体为：根据具体需要，预先加工钽坩埚体和钽坩埚盖；对钽坩埚体和钽坩埚盖进行清洗处理处理，去除表面油污及杂质；将钽坩埚体和钽坩埚盖置于封闭的装有高纯石墨粉的石墨坩埚内，钽坩埚体和钽坩埚的内外各表面均匀与石墨粉接触；将石墨坩埚放置于加热炉内，在设定条件下依次进行低温、高温加热处理；取出处理后的钽坩埚体和钽坩埚盖，清洗、烘干后得到表面经过碳化的TaC坩埚。本发明TaC坩埚的制备方法，可用于在高温环境下进行晶体生长过程，通过此方法制备的TaC坩埚成分均匀，有耐高温，抗腐蚀抗氧化等性能，可延长使用寿命，多次利用从而降低成本。
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公开(公告)号：CN106057663A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610488213.2
申请日：2016-06-29
申请人： 北京华进创威电子有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/306 , H01L21/02041 , H01L21/30604 , H01L21/30612 , H01L21/30617
摘要： 本发明一种GaSb单晶衬底表面化学钝化的方法,该方法包括如下步骤：步骤1）将抛光后的GaSb单晶片进行表面清洗；步骤2）将GaSb单晶片放入盛有37%体积比的HCl溶液中，腐蚀清洗3‑5分钟；步骤3）将GaSb单晶片放入到温度在60℃的碱性(NH4)2S/(NH4)2SO4+S溶液中钝化4‑6分钟，其中，碱性(NH4)2S/(NH4)2SO4+S溶液按照每100mL碱性(NH4)2S溶液中加入2g的单质S和1g的(NH4)2SO4的比例配制而成；步骤4）取出GaSb单晶片浸入无水乙醇溶液中清洗6‑10分钟，然后经过吹干。本发明通过对GaSb单晶片表面进行化学钝化处理，在表面形成新的硫化物，可有效降低GaSb表面态密度，解决表面脱氧不完全等问题，提高衬底质量。
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公开(公告)号：CN105405746B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201510821850.2
申请日：2015-11-24
申请人： 北京华进创威电子有限公司
摘要： 本申请公开了一种锑化镓单晶抛光片的清洗方法，该清洗方法包括如下步骤：1）将锑化镓单晶抛光片用有机溶剂浸洗；2）用去离子水冲洗所述锑化镓单晶抛光片；3）将所述锑化镓单晶抛光片放入化学腐蚀液中，在10‑40℃的温度下腐蚀晶片表面；4）用去离子水冲洗步骤4）中腐蚀后的锑化镓单晶抛光片；5）干燥所述锑化镓单晶抛光片。本申请所使用的清洗工艺及腐蚀液可以有效地去除加工过程中晶片表面残留的杂质和颗粒，获得洁净的表面，同时提高晶片表面粗糙度达到Rq=0.5‑0.3µm，满足外延生长的要求。
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公开(公告)号：CN106119972A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610488212.8
申请日：2016-06-29
申请人： 北京华进创威电子有限公司
摘要： 本发明一种控制GaSb单晶衬底表面颗粒度的方法,包括：步骤1）GaSb单晶片进行抛光，抛光后将GaSb单晶片浸泡在无水乙醇中；步骤2）将GaSb单晶片依次在无水乙醇、石油醚、异丙醇有机溶剂中进行超声清洗，在每种试剂中清洗时间为10～15分钟，完毕后将GaSb单晶片浸泡在无水乙醇中；步骤3）将GaSb单晶片浸入盐酸和异丙醇按体积比1:4进行混合的溶液中，进行超声清洗5～10分钟，完毕后将GaSb单晶片浸泡在无水乙醇中；步骤4）将GaSb单晶片取出，在氮气或惰性气体的环境下吹干，并装盒密封。本发明通过改进工艺，通过在超净环境下对晶片进行加工，并采用化学清洗与氮气封装工艺可有效去除GaSb单晶表面残留杂质和颗粒，控制颗粒度在100/cm2以下，大大提高GaSb单晶衬底表面质量。
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公开(公告)号：CN105349290A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510820117.9
申请日：2015-11-24
申请人： 北京华进创威电子有限公司
摘要： 本申请公开了一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液，该腐蚀液由溶剂、氧化剂、腐蚀剂和缓冲剂按设定比例混合而成，其中，溶剂为去离子水；氧化剂为硫酸；腐蚀剂为盐酸；缓冲剂为乙酸。本申请的腐蚀液能够有效去除单晶抛光片表面在前期加工中残留的颗粒及杂质。
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公开(公告)号：CN105405746A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510821850.2
申请日：2015-11-24
申请人： 北京华进创威电子有限公司
CPC分类号： H01L21/02052 , C30B33/10 , H01L21/0209
摘要： 本申请公开了一种锑化镓单晶抛光片的清洗方法，该清洗方法包括如下步骤：1）将锑化镓单晶抛光片用有机溶剂浸洗；2）用去离子水冲洗所述锑化镓单晶抛光片；3）将所述锑化镓单晶抛光片放入化学腐蚀液中，在10-40℃的温度下腐蚀晶片表面；4）用去离子水冲洗步骤4）中腐蚀后的锑化镓单晶抛光片；5）干燥所述锑化镓单晶抛光片。本申请所使用的清洗工艺及腐蚀液可以有效地去除加工过程中晶片表面残留的杂质和颗粒，获得洁净的表面，同时提高晶片表面粗糙度达到Rq=0.5-0.3μm，满足外延生长的要求。
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公开(公告)号：CN103643295A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310640427.3
申请日：2013-12-04
申请人： 北京华进创威电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种气相法生长氮化铝晶体用原料的制备方法，具体为：将所要使用的钨坩埚和坩埚盖浸泡于王水中30-120分钟，取出冲洗干净，吹干备用；向钨坩埚中加入氮化铝粉料，并进行若干层压实处理；在钨坩埚上加盖坩埚盖，放入钨网加热炉中，抽真空到10-3Pa，再充入高纯氮气到30kPa，升温至300℃，恒温1小时，升温至800℃，恒温1小时；向钨网加热炉内充入高纯氮气到50kPa，升温至1800℃，恒温5小时，升温至2050℃，恒温8小时；降温至室温，得到氮化铝烧结块，作为气相法氮化铝单晶生长的原料。本发明将氮化铝粉料制成致密的烧结体，以控制气相反应的进行，从而满足物理气相传输法生长氮化铝晶体材料对原料的要求。
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公开(公告)号：CN204530020U
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201520005581.8
申请日：2015-01-06
申请人： 北京华进创威电子有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种用于高温感应加热炉的坩埚支撑架，包括：托盘和支撑杆，托盘为石英材质，其上侧面设置有凸台结构、下侧面设置有十字型的插槽，支撑杆顶端设置有与插槽相匹配的“十字架”型的插头、底端连接在升降机构上；支撑杆的插头插置在托盘的插槽内。坩埚设置在凸台结构上，保温材料安装并固定在凸台结构周围的托盘上，有效的固定坩埚及保温材料；由于石英材料熔点为1750℃，耐高温且为绝缘材料可以避免托盘感应发热对晶体生长温场的影响，有利用实现温场调节和控制；支撑杆顶端为“十字架”结构，托盘的底部为十字型的插槽结构，由于支撑杆及托盘的材料热涨系数不同，保证两者非紧密连接；结构简单实用且成本低廉。
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公开(公告)号：CN205223407U
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201520941670.3
申请日：2015-11-24
申请人： 北京华进创威电子有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种生长氮化铝单晶用坩埚，该坩埚包括坩埚盖、坩埚筒和导流环；其中，坩埚盖下表面设置有下凸台；导流环为上大下小的梯形圆环；下凸台下表面的边缘与导流环的上沿间隙配合；坩埚筒内表面设置有托起导流环的凸起，导流环的下沿与凸起间隙配合；下凸台和导流环的侧面均与坩埚筒的内表面间隙配合；坩埚盖、导流环和坩埚筒由上到下依次连接构成坩埚。本申请提供一种新型的坩埚结构，该坩埚更有利于在高温下，氮化铝单晶的形核和晶体的生长。
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