-
公开(公告)号：CN114899224A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210411896.7
申请日：2022-04-19
申请人： 北京大学深圳研究生院
IPC分类号： H01L29/24 , H01L29/786 , H01L29/872 , H01L29/812 , H01L21/02
摘要： 一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法，其方法中通过在两种半导体有源层之间形成中间结构层材料，中间结构层材料一方面使得阻挡两种半导体有源层之间的金属元素的扩散，另一方面中间结构层材料的能带对于电子具有较低的势垒，使得电子在两种半导体有源层之间能够发生自由迁移或者大量隧穿，从而使得第一有源层和第二有源层之间能够形成较理想的异质结界面，获得更深的异质结势阱。形成更为理想的半导体异质结，使得真正利用和发挥异质结在金属氧化物半导体器件中的性能优势。提升了现有的高迁移率高稳定性的晶体管或高耐压性的二极管等器件的性能。
-
公开(公告)号：CN111770473B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010591485.1
申请日：2020-06-24
申请人： 北京大学
摘要： 本发明提供了一种蜂窝车联网的非授权频谱接入与载波聚合方法、装置、电子设备及存储介质。所述方法包括：检测当前小区内的非授权信道，接收多个第一车联网终端发送的检测结果，并筛选得到多个目标非授权信道，并确定每个目标非授权信道的用户群，将每个目标非授权信道分别聚合到其对应的用户群中的每个第一车联网终端的原始信道上，根据每个目标非授权信道的用户子群中的每个第一车联网终端在对应的时频资源上的效用大小，得到每个目标非授权信道的时频资源分配策略。通过本发明提供的方法，能够将非授权信道聚合到蜂窝控制的车辆用户的原始信道上，从而增大网络可承载的蜂窝控制的车辆用户数量，减小对VANET用户的干扰。
-
公开(公告)号：CN109507072A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811376291.9
申请日：2018-11-19
申请人： 北京大学
IPC分类号： G01N15/06
CPC分类号： G01N15/06 , G01N2015/0693
摘要： 本发明公开了一种细颗粒物湍流通量测量方法。本发明通过提高消光系数测量仪的采样频率，得到高频的气溶胶的散射消光系数，并在低能见度的条件下，依据细颗粒物的质量浓度与能见度之间存在近似的幂指数关系，利用瞬时的能见度脉动得到细颗粒物的质量浓度脉动，结合超声风温仪测量得到垂直速度脉动，得到细颗粒物湍流通量；本发明由消光系数脉动反算细颗粒物的质量浓度脉动，最后利用涡动相关法求出细颗粒物湍流通量，首次解决了细颗粒物的质量浓度脉动及其湍流通量的获取问题，为预报模式提供基础；并且操作简单，可实施性强，可与现有水热通量观测系统配套，也可单独构成观测系统，观测数据处理成熟。
-
公开(公告)号：CN103220115A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310163242.8
申请日：2013-05-05
申请人： 西安电子科技大学 , 北京大学 , 北京三梯通网络技术有限公司 , 北京翰诺科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种时分双工/时分多址信道规划帧编码方法，主要解决现有信道规划帧编码效率不高的问题。其实现步骤是：首先，设置网络环境，确定网络中中心节点和从属节点的个数；其次，根据具体的时隙用途定义K种码字，其中包括K-1种用途码字和1种节点分隔符码字，并对这K种码字进行编码；然后，确定下一个规划周期中的时隙分配结果，并根据下一个规划周期中的时隙分配结果将用途码字放到规划帧中的相应位置；最后，插入节点分隔符码字，完成信道规划帧编码。本发明有效减小了规划帧编码长度，降低了规划帧在信道传输时的开销，提高了信道利用率，并且对设备要求低，可应用于各种采用时分双工/时分多址通信的局域网和接入网领域。
-
公开(公告)号：CN101266972A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810104595.X
申请日：2008-04-22
申请人： 北京大学
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/78 , H01L21/762
摘要： 本发明公开了一种提高MOSFET抗单粒子辐照的方法及一种MOSFET器件，属于场效应晶体管技术领域。在本发明MOSFET器件中，STI区沟槽侧壁与器件有源区上表面的锐夹角定义为，器件抗单粒子辐照所引起微剂量效应的角度，该角度取值在78至86度之间。采用本发明所述的MOSFET器件结构，可以很好的抑制单粒子辐照所引起的微剂量效应，使得由单粒子辐照导致的器件的关态漏电流比传统结构降低一个数量级。并且本发明所述结构实现工艺简单，和传统CMOS工艺完全兼容，可以在提高器件抗单粒子辐照效应能力的同时大大降低制造成本。
-
公开(公告)号：CN101266930A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810103871.0
申请日：2008-04-11
申请人： 北京大学
IPC分类号： H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种横向双扩散场效应晶体管的制备方法，属于场效应晶体管的制备领域，该方法完全采用标准CMOS工艺来制备LDMOS的办法，仅仅需要通过如下版图设计来实现LDMOS，即定义有源区版以形成LDMOS器件的体引出区、源区、漏区、沟道区和漂移区，并定义栅区线条版；源区、栅区和漏区采用重掺杂注入版形成；漂移区位于漏区和沟道区之间；体区引出和源区一起接地；采用N阱的版图以形成N型LDMOS的低掺杂漂移区，或P阱的版图形成P型LDMOS的低掺杂漂移区；并采用硅化阻止版防止漂移区被硅化；源区、漏区和栅区设计和常规的MOS相同。本发明对于任何标准工艺均有效，最大程度的降低了成本，拓展了标准工艺制备特殊器件的能力。
-
公开(公告)号：CN101257047A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810103337.X
申请日：2008-04-03
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种耐高压的横向双扩散MOS晶体管，属于微电子半导体器件领域。该器件包括栅区、源区、漏区、体区、栅介质以及漂移区，所述漂移区位于体区和漏区之间，掺杂类型与体区相反，在所述漂移区内设有一绝缘介质区和一与漂移区掺杂类型相反的掺杂区，并且，所述掺杂区的掺杂浓度要比漂移区的掺杂浓度高，所述掺杂区靠近体区，而所述绝缘介质区靠近漏区。由于在漂移区中同时引入绝缘介质区和掺杂区，有利于降低漂移区的有效深度，使电场更均匀，并且增大了漂移区的等效长度，本发明横向双扩散MOS晶体管器件的耐高电压特性好。
-
公开(公告)号：CN116552811A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310842392.5
申请日：2023-07-11
申请人： 北京大学 , 中国航天科技创新研究院
摘要： 本申请属于航天设备技术领域，尤其涉及折展装置。本申请公开折展装置，包括底板、顶板和折展机构，顶板与底板在第一方向上间隔设置；折展机构连接底板与顶板，折展机构包括第一记忆合金铰链和多个剪叉件，相邻的两个剪叉件通过至少一个第一记忆合金铰链连接，第一记忆合金铰链具有第一状态和第二状态，第一记忆合金铰链处于第一状态时底板与顶板之间的间距小于第一记忆合金铰链处于第二状态时底板与顶板之间的间距。本申请的折展装置通过第一记忆合金铰链提供折展动力，无需额外的电机进行驱动，使得整体结构简单且轻便；其次，第一记忆合金铰链在折展的过程中不会产生额外振动，进而提高折展装置的稳定性和安全性。
-
公开(公告)号：CN112466916B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202011298874.1
申请日：2020-11-19
申请人： 北京大学深圳研究生院
摘要： 一种显示面板的屏内传感器件结构及显示装置，包括衬底、以及位于所述衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层，第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层不同时形成，也就是将显示器件的控制器件和传感器件的控制器件做在同一衬底上，但两种器件的所对应的控制TFT，即第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层设计在不同层内，使传感器件自身及其控制TFT都有足够版图布置面积，使得更好的发挥应用，同时能够降低工艺复杂性，还能够使得该显示面板的屏内传感器件结构达到更好地实际应用。
-
公开(公告)号：CN111262944B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202010066572.5
申请日：2020-01-20
申请人： 北京大学
IPC分类号： H04L29/08
摘要： 本申请实施例涉及异构边缘计算网络技术领域，具体涉及一种异构移动边缘计算网络中分层任务卸载的设计方法、系统、存储介质及设备。所述方法包括：边缘设备、边缘服务器和云计算中心，所述边缘设备根据边缘服务器反馈的价格和本地计算的能耗判断是否卸载任务，所述边缘服务器根据云计算中心反馈的价格和本地计算的能耗判断是否卸载任务，所述云计算中心根据最小化整个计算网络的能耗调整价格，循环上述步骤，直至边缘设备的卸载策略、边缘服务器的决策策略以及云计算中心发布的计算资源的价格和罚金均稳定。本方法通过价格和罚金的机制实现了分布式系统中整个计算网络中能耗最小化，有效减少了整体能耗；罚金的设置降低了系统阻塞发生的概率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
37 条记录 (耗时 0.034 秒)
