公开(公告)号：CN114540954B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202011341347.4

申请日：2020-11-25

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 ,  北京天科合达新材料有限公司 ,  新疆天科合达蓝光半导体有限公司 ,  江苏天科合达半导体有限公司

发明人： 刘春俊 ,  娄艳芳 ,  彭同华 ,  王波 ,  赵宁 ,  郭钰 ,  杨建 ,  张平 ,  邹宇 ,  杨帆

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B1/12 ,  C30B33/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/34

摘要： 本发明提供一种碳化硅单晶片及其制备方法、碳化硅晶体及其制备方法、半导体器件，所述碳化硅单晶片表面为其法线方向与c向夹角为0度‑8度之间的表面，且该碳化硅单晶片上的聚集位错小于300个/cm2，所述聚集位错是指经过熔融KOH腐蚀后，得到的腐蚀坑中，任意两个腐蚀坑的几何中心之间的距离小于80微米的位错聚集情况。即使在位错密度相对较高的情况下，聚集位错密度也较小，从而提高了碳化硅基器件的良率。

公开(公告)号：CN114540954A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202011341347.4

申请日：2020-11-25

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 ,  北京天科合达新材料有限公司 ,  新疆天科合达蓝光半导体有限公司 ,  江苏天科合达半导体有限公司

发明人： 刘春俊 ,  娄艳芳 ,  彭同华 ,  王波 ,  赵宁 ,  郭钰 ,  杨建 ,  张平 ,  邹宇 ,  杨帆

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B1/12 ,  C30B33/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/34

摘要： 本发明提供一种碳化硅单晶片及其制备方法、碳化硅晶体及其制备方法、半导体器件，所述碳化硅单晶片表面为其法线方向与c向夹角为0度‑8度之间的表面，且该碳化硅单晶片上的聚集位错小于300个/cm2，所述聚集位错是指经过熔融KOH腐蚀后，得到的腐蚀坑中，任意两个腐蚀坑的几何中心之间的距离小于80微米的位错聚集情况。即使在位错密度相对较高的情况下，聚集位错密度也较小，从而提高了碳化硅基器件的良率。

公开(公告)号：CN112557402B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202011411979.3

申请日：2020-12-04

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 ,  北京天科合达新材料有限公司 ,  新疆天科合达蓝光半导体有限公司 ,  江苏天科合达半导体有限公司

发明人： 娄艳芳 ,  刘春俊 ,  彭同华 ,  王波 ,  赵宁 ,  杨建 ,  张平 ,  邹宇 ,  杨帆

IPC分类号： G01N21/88 ,  G01N1/32

摘要： 本申请公开了一种位错检测系统，所述位错检测系统采用对焦模块按照预设路径向待测样品出射探测光线，并接收所述待测样品反射的所述探测光线，并根据接收的所述探测光线形成探测图像，然后利用数据处理模块基于图像处理技术对所述待测图像进行自动识别，以获取包括所述待测图像中包括的位错信息，从而实现对待测样品的位错信息进行自动检测的目的，有利于提高对于待测样品的位错信息的检测效率，并且相较于人工检测位错的方法可以较为容易的增加对于待测样品的采集点数量，有利于提高位错密度的估算精度。

公开(公告)号：CN112557402A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011411979.3

申请日：2020-12-04

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 ,  北京天科合达新材料有限公司 ,  新疆天科合达蓝光半导体有限公司 ,  江苏天科合达半导体有限公司

发明人： 娄艳芳 ,  刘春俊 ,  彭同华 ,  王波 ,  赵宁 ,  杨建 ,  张平 ,  邹宇 ,  杨帆

IPC分类号： G01N21/88 ,  G01N1/32

摘要： 本申请公开了一种位错检测系统，所述位错检测系统采用对焦模块按照预设路径向待测样品出射探测光线，并接收所述待测样品反射的所述探测光线，并根据接收的所述探测光线形成探测图像，然后利用数据处理模块基于图像处理技术对所述待测图像进行自动识别，以获取包括所述待测图像中包括的位错信息，从而实现对待测样品的位错信息进行自动检测的目的，有利于提高对于待测样品的位错信息的检测效率，并且相较于人工检测位错的方法可以较为容易的增加对于待测样品的采集点数量，有利于提高位错密度的估算精度。

公开(公告)号：CN113371712A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110849202.3

申请日：2021-07-27

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 ,  新疆天科合达蓝光半导体有限公司 ,  江苏天科合达半导体有限公司

发明人： 娄艳芳 ,  刘春俊 ,  杨帆 ,  姜克勇 ,  邹宇 ,  赵宁 ,  王波 ,  彭同华 ,  杨建

IPC分类号： C01B32/984 ,  C30B29/36 ,  C30B23/00

摘要： 本发明提供了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶，制备方法包括以下步骤:将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉料。本发明采用易挥发高纯有机物在制备碳化硅粉料过程中将原料表面以及晶界处的氮带走，进而降低产品中氮含量。实验结果表明：碳化硅粉料和单晶的氮含量均小于5×1016/cm3。

公开(公告)号：CN113371712B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202110849202.3

申请日：2021-07-27

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 ,  新疆天科合达蓝光半导体有限公司 ,  江苏天科合达半导体有限公司

发明人： 娄艳芳 ,  刘春俊 ,  杨帆 ,  姜克勇 ,  邹宇 ,  赵宁 ,  王波 ,  彭同华 ,  杨建

IPC分类号： C01B32/984 ,  C30B29/36 ,  C30B23/00

摘要： 本发明提供了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶，制备方法包括以下步骤:将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉料。本发明采用易挥发高纯有机物在制备碳化硅粉料过程中将原料表面以及晶界处的氮带走，进而降低产品中氮含量。实验结果表明：碳化硅粉料和单晶的氮含量均小于5×1016/cm3。

公开(公告)号：CN118637622A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410617603.X

申请日：2024-05-17

申请人： 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 ,  北京天科合达半导体股份有限公司

发明人： 王宝良 ,  杨帆 ,  姜克勇 ,  刘万琪 ,  黄渤 ,  彭同华 ,  杨建

IPC分类号： C01B32/956

摘要： 本发明提供了一种高纯碳化硅粉料的免洗处理方法，包括以下步骤：A）将碳化硅块状料使用碳化钨材质的破碎机进行破碎，得到碳化硅颗粒料；B）将碳化硅颗粒料平铺装入石英盘，在含氧气体氛围下进行加热，得到高纯的碳化硅粉料。本发明破碎掺入金属杂质单一，碳化硅粉料表金属杂质含量更低；本发明中的方法简便高效：本发明免洗方法加工高纯碳化硅粉料，不需要经过磁选、漂洗、酸洗等步骤，提高了制备效率，降低生产成本；本发明中的方法可以有效去除碳化硅粉料中的细微碳化物，增加长晶的良率；综上所述，相对于现有技术，本发明具有制备方法简便高效、纯度更高，长晶效果更好等优越性。通过本发明，可以提高碳化硅粉料的加工效率和质量。

公开(公告)号：CN117342561A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311294733.6

申请日：2023-10-08

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 ,  新疆天科合达蓝光半导体有限公司

发明人： 尤悦 ,  娄艳芳 ,  刘春俊 ,  刘强 ,  杨帆 ,  王宝良 ,  彭同华 ,  杨建

IPC分类号： C01B32/984

摘要： 本发明提供了一种高纯碳化硅粉料的制备方法。与现有技术相比，本发明通过在打孔石墨圆筒内将碳硅混合原料进行高温固相反应即可得到高纯碳化硅粉末，同时可通过调控打孔石墨圆筒的孔洞使合成过程中碳硅原料具有方向性，从而得到粒径可控且分布均匀的高纯碳化硅粉料；并且该方法无需进行破碎筛分等步骤，即可得到所需粒径大小的碳化硅粉料，避免破碎过程中引入杂质元素，提高了碳化硅粉料的纯度，减少了工艺的复杂性，反应过程稳定，提高了制备效果，降低了生产成本。