公开(公告)号：CN118737813A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410816810.8

申请日：2024-06-24

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 ,  深圳市重投天科半导体有限公司

发明人： 崔娟 ,  王桂玲 ,  赵博深 ,  赵岩 ,  张贺 ,  张明超 ,  王波 ,  彭同华 ,  杨建

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 一种去除碳化硅晶片表面金属杂质的清洗方法，包括以下步骤：将待清洗的碳化硅晶片依次进行H2SO4‑H2O2清洗液清洗、第一NH4OH‑H2O2‑H2O清洗液清洗、HCl‑H2O2‑H2O清洗液清洗、HF‑H2O2‑H2O清洗液清洗、第二NH4OH‑H2O2‑H2O清洗液清洗，干燥后得到清洗后的碳化硅晶片；所述第一NH4OH‑H2O2‑H2O清洗液中NH4OH的浓度为0.5～2wt％，H2O2的浓度为0.5～2wt％；所述第二NH4OH‑H2O2‑H2O清洗液中NH4OH的浓度为0.5～2wt％，H2O2的浓度为5～7.5wt％。本发明采用多种特定清洗液进行多步清洗，实现整体较好的相互作用，在保证清洗颗粒效果较好的状态下，Na、Mg、Al、K、Ca、Fe、Zn等金属含量可稳定控制在5E10atoms/cm2以内，并大大增加清洗液使用时间，减少消耗，降低成本。

公开(公告)号：CN117628875A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311702841.2

申请日：2023-12-12

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 ,  深圳市重投天科半导体有限公司

发明人： 王桂玲 ,  赵岩 ,  赵博深 ,  张贺 ,  王波 ,  彭同华 ,  杨建

IPC分类号： F26B25/18

摘要： 本发明公开了一种干燥装置及其顶刀，该顶刀包括顶刀本体；顶刀本体用于同晶圆配合的固定结构为轴对称结构，至少用于为晶圆提供对称的两处支撑；固定结构的最低处开设有排水结构，贯通顶刀本体的侧壁。本方案一方面将固定结构设置为轴对称结构，以便于为晶圆提供对称的两处支撑，使得晶圆在被支撑时处于垂直稳定的状态，避免晶圆与清洗花篮发生接触，另一方面在固定结构的最低处开设有排水结构，以使得去离子水向下流动至固定结构的最低处时可实现排出，避免发生堆积，进而以使得流动至晶圆底部边缘的去离子水能够与晶圆快速脱离，从而可避免晶圆的底部产生水印或者边缘白，确保晶圆清洗效果。

公开(公告)号：CN221805494U

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202323412825.8

申请日：2023-12-14

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 ,  深圳市重投天科半导体有限公司

发明人： 郑贤 ,  赵岩 ,  王桂玲 ,  赵博深 ,  陈姣姣 ,  张贺 ,  王波 ,  彭同华 ,  杨建

IPC分类号： H01L21/683

摘要： 本实用新型提供了一种晶片固定装置。将环形膜可拆卸设置于吸盘与晶片接触的吸附面，并将环形膜与晶片接触的表面为光滑面。通过上述公开的晶片固定装置，可在环形膜与晶片接触的表面的粗糙时，通过更换环形膜，使与晶片接触的环形膜的光滑度，进而避免环形膜对晶片蹭伤。

公开(公告)号：CN221304611U

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202323109797.2

申请日：2023-11-17

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司

发明人： 赵岩 ,  王桂玲 ,  王波 ,  李珮珮 ,  彭同华 ,  杨建

IPC分类号： H01L21/673

摘要： 本实用新型公开了一种清洗花篮，包括呈相对布置的第一承置部及第二承置部，第一承置部包括自上而下依次布置的第一竖直部、第一倾斜部和第一立板，第一倾斜部上设置有一个第一避让开口；第二承置部包括自上而下依次布置的第二竖直部、第二倾斜部和第二立板，第二倾斜部上设置有一个第二避让开口；其中，第一倾斜部与第二倾斜部相对布置，且二者呈自上而下对向倾斜。该清洗花篮，在实际应用过程中，晶片对应第一避让开口和第二避让开口的位置与清洗花篮之间没有接触，大大减小了晶片与清洗花篮的接触面积，使得清洗花篮的清洗空间的流动性更好，通风性更好，继而大大提升了晶片的清洗效果和清洗质量。