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公开(公告)号：CN116676668B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310966517.5
申请日：2023-08-03
申请人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
摘要： 本申请涉及一种用于生长大尺寸紫外级氟化钙晶体的提拉法单晶炉，涉及新材料制备技术领域，包括生长直径250‑350mm的氟化钙晶体的设备、提供生长大尺寸氟化钙晶体的热场、稳定生长大尺寸氟化钙晶体的双坩埚结构以及生长氟化钙晶体的工艺。本申请通过对热场和设备的重新设计，对核心部件——坩埚的设计和处理以及对氟化钙晶体的生长工艺优化，可以稳定可靠的生长直径250‑350mm的紫外级氟化钙晶体。
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公开(公告)号：CN118880436A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411390865.3
申请日：2024-10-08
申请人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
摘要： 本申请涉及一种大尺寸氟化钙晶体生长用坩埚及熔体净化方法，涉及氟化钙晶体生长的技术领域，坩埚包括内坩埚和外坩埚，内坩埚开设有通孔，外坩埚与驱动机构连接，外坩埚设置有收集组件，外坩埚上移使得内坩埚底部与熔体液面接触，外坩埚转动同时上移且使得浮动在熔体上的杂质在离心作用下移至收集组件内进行收集。本申请通过驱动机构驱动外坩埚转动且向上移动，内坩埚进入熔体内使得熔体液面上升，使得杂质进入收集组件进行收集，提高了对熔体内杂质的去除效果，提高了晶体的质量。
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公开(公告)号：CN116676669B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310966536.8
申请日：2023-08-03
申请人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
摘要： 本申请涉及一种氟化钙晶体生长原料的提纯处理设备及方法，涉及材料提纯技术领域，设备包括水冷炉体和用于调节炉体内部气氛的真空系统及充气管路，炉体内设置有坩埚、套筒、加热器和保温层，坩埚上端呈开口状，且与套筒为间隙配合，保温层位于套筒外，且与套筒的外壁之间留有通道，加热器水平滑动设置于通道中。本申请将坩埚固定于套筒内，通过沿水平方向移动加热器，使氟化钙原料在水平区域进行熔融，没有复杂的熔体对流，溶质传输基本依靠水平方向的浓度差，结晶过程是均匀的从一侧向另一侧推进，有效避免晶坨内部出现大量的多晶和缺陷，提高单晶率，增强提纯效果。
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公开(公告)号：CN116673273B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310966513.7
申请日：2023-08-03
申请人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
摘要： 本申请涉及一种氟化钙原料表面去杂方法及其装置，涉及原料提纯技术领域，一种氟化钙原料表面去杂方法包括以下步骤：S1、将块状原料置于密闭空间内；S2、向块状原料发射等离子体，使等离子体轰击块状原料上的杂质面；S3、维持密闭空间的低压环境并向密闭空间内持续通入惰性气体；S4、多次改变等离子体的能量强度，并使改变能量强度后的等离子体轰击块状原料上的杂质面；S5、将块状原料从密闭空间内取出。本申请中杂质面内的杂质离子经等离子体轰击后被激发而挥发，挥发出来的杂质离子经惰性气体携带出密闭空间，去杂过程中没有新的杂质引入到块状原料上，具有去杂效果更好的效果。
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公开(公告)号：CN116732612A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202311006462.X
申请日：2023-08-11
申请人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
摘要： 本申请涉及氟化钙晶体的技术领域，具体公开了一种氟化钙晶体及其制备方法与应用。本申请公开的氟化钙晶体的密度为3.16‑3.19g/cm3，应力双折射≤2.6nm/cm，内透过率（248nm）≥99.4%。本申请还公开了上述氟化钙晶体的制备方法及其应用。本申请提供的方法通过优化引晶的具体步骤，控制籽晶的下降速度、旋转速度、静置时机以及熔体与籽晶之间的润湿时间，在引晶的过程中使籽晶受热均匀，避免晶体受到机械振动的影响，避免了氟化钙晶体在生长过程中产生气泡的问题。
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公开(公告)号：CN116676673A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310966514.1
申请日：2023-08-03
申请人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
IPC分类号： C30B35/00
摘要： 本申请涉及一种晶体生长装置，涉及晶体生长所用装置的技术领域，其包括晶体炉和升降机构，升降机构能够带动晶体炉升降，晶体炉包括第一炉体、第二炉体、炉盖和底部炉门，炉盖位于第一炉体上方并与第一炉体连接，第二炉体位于第一炉体下方并与第一炉体连接，底部炉门位于第二炉体下方并与第二炉体连接，第一炉体上开设有第一水冷夹层，第二炉体上开设有第二水冷夹层，炉盖上开设有第三水冷夹层，底部炉门上开设有第四水冷夹层。本申请能够对水冷夹层的温度进行分层控制从而保证晶体炉内的温度梯度。
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公开(公告)号：CN118794253A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411281812.8
申请日：2024-09-13
申请人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
摘要： 本申请本申请涉及热处理的技术领域，提供一种晶体毛坯退火用装置及退火工艺。其中，晶体毛坯退火用装置包括退火炉、夹持系统、气体管路系统和测温元件，夹持系统包括第一驱动源、上夹具和下夹具，上夹具和下夹具相对设置于退火炉内；气体管路系统包括进气管组、调流阀组和自动调节模块，进气管组包括多个第一进气管路和多个第二进气管路，各第一进气管路一端均穿设至上夹具内，各第二进气管路一端均穿设至下夹具内；调流阀组用于调节各个第一进气管路和各个第二进气管路内的气体流量。测温元件分布于上夹具和下夹具周侧，用于检测晶体毛坯不同特征位置的温度。本申请能够改善大尺寸晶体毛坯的退火效率和退火质量。
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公开(公告)号：CN118374872B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410825560.4
申请日：2024-06-25
申请人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
摘要： 本申请涉及晶体生长技术领域，具体公开了一种提拉法生长大尺寸氟化钙晶体的方法及氟化钙晶体。本申请提供的提拉法生长大尺寸氟化钙晶体的方法，包括以下步骤：三段式放肩，具体如下：第一阶段放肩：籽晶以3‑5mm/h的速度向上提拉，直至晶体直径为50mm，第一放肩长度为50‑100mm；第二阶段放肩：籽晶以1‑4mm/h的速度向上提拉，直至晶体直径为150mm，第二放肩长度为30‑60mm；第三阶段放肩：籽晶以0.5‑3mm/h的速度向上提拉，直至晶体直径为250‑350mm，第三放肩长度为20‑40mm。本申请提供的提拉法生长大尺寸氟化钙晶体的方法能够降低籽晶的变形程度，有效避免籽晶被拉断。
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公开(公告)号：CN118374872A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410825560.4
申请日：2024-06-25
申请人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
摘要： 本申请涉及晶体生长技术领域，具体公开了一种提拉法生长大尺寸氟化钙晶体的方法及氟化钙晶体。本申请提供的提拉法生长大尺寸氟化钙晶体的方法，包括以下步骤：三段式放肩，具体如下：第一阶段放肩：籽晶以3‑5mm/h的速度向上提拉，直至晶体直径为50mm，第一放肩长度为50‑100mm；第二阶段放肩：籽晶以1‑4mm/h的速度向上提拉，直至晶体直径为150mm，第二放肩长度为30‑60mm；第三阶段放肩：籽晶以0.5‑3mm/h的速度向上提拉，直至晶体直径为250‑350mm，第三放肩长度为20‑40mm。本申请提供的提拉法生长大尺寸氟化钙晶体的方法能够降低籽晶的变形程度，有效避免籽晶被拉断。
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