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公开(公告)号：CN1588618A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410074343.9
申请日：2004-09-10
申请人： 北京工业大学
摘要： 带有悬空可动敏感结构的静电键合工艺，涉及半导体静电键合技术领域。现有技术在可动的结构对应的玻璃上淀积一层绝缘层，减少可动结构与玻璃衬底的“粘附”问题，无法消除静电力对可动结构的破坏作用。带有金属电极的玻璃置于恒温热台面上，有金属电极的一面在上；再将上述清洗好的硅片置于玻璃上；硅片上的悬空可动敏感结构与玻璃上的金属电极上下对准；硅片和玻璃上的金属电极接同一正极，两者电位相等，玻璃的下表面接负极，在超静环境中加热，加电压，将硅片上除悬空可动敏感结构部分以外的其余部分与玻璃键合在一起。本发明屏蔽了静电吸引力对可动结构的作用，解决了静电力对不需要键合的悬空可动微结构部分的破坏这个难题，提高了成品率。
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公开(公告)号：CN1588617A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410074342.4
申请日：2004-09-10
申请人： 北京工业大学
摘要： 硅片低温直接键合方法，属半导体直接键合领域。现有技术处理过的硅片仍需450℃以上的热处理，而高温会改变硅片的杂质分布，热膨胀会带来应力，损伤硅片上的微细结构，有IC存在并有铝引线时，温度超过铝硅共晶点引起器件失效。本发明表面处理过程为：先将系统抽成真空，然后充入等离子体对硅片进行处理：等离子体为纯CF4气体或体积比为100∶1～1∶20的CF4与O2的混合气体，处理时间为5～20分钟，温度为20～300℃，电源功率密度控制在2.5～10W/Cm2。可使表面层原子处于高能量状态，提高表面层吸附的OH－的能力，对硅片进行抛光，提高硅片的表面质量，从而提高贴合的效果。在100～300℃的热处理温度下，获得较高的键合质量，减轻了对硅片上杂质分布及微细结构的影响。
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公开(公告)号：CN1305110C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410074342.4
申请日：2004-09-10
申请人： 北京工业大学
摘要： 硅片低温直接键合方法，属半导体直接键合领域。现有技术处理过的硅片仍需450℃以上的热处理，而高温会改变硅片的杂质分布，热膨胀会带来应力，损伤硅片上的微细结构，有IC存在并有铝引线时，温度超过铝硅共晶点引起器件失效。本发明表面处理过程为：先将系统抽成真空，然后充入等离子前体对硅片进行处理：等离子前体为纯CF4气体或体积比为100∶1～1∶20的CF4与O2的混合气体，处理时间为5～20分钟，温度为20～300℃，电源功率密度控制在2.5～10W/Cm2。可使表面层原子处于高能量状态，提高表面层吸附的OH-的能力，对硅片进行抛光，提高硅片的表面质量，从而提高贴合的效果。在100～300℃的热处理温度下，获得较高的键合质量，减轻了对硅片上杂质分布及微细结构的影响。
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公开(公告)号：CN100358094C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200410074343.9
申请日：2004-09-10
申请人： 北京工业大学
摘要： 带有悬空可动敏感结构的静电键合工艺，涉及半导体静电键合技术领域。现有技术在可动的结构对应的玻璃上淀积一层绝缘层，减少可动结构与玻璃衬底的“粘附”问题，无法消除静电力对可动结构的破坏作用。带有金属电极的玻璃置于恒温热台面上，有金属电极的一面在上；再将上述清洗好的硅片置于玻璃上；硅片上的悬空可动敏感结构与玻璃上的金属电极上下对准；硅片和玻璃上的金属电极接同一正极，两者电位相等，玻璃的下表面接负极，在超静环境中加热，加电压，将硅片上除悬空可动敏感结构部分以外的其余部分与玻璃键合在一起。本发明屏蔽了静电吸引力对可动结构的作用，解决了静电力对不需要键合的悬空可动微结构部分的破坏这个难题，提高了成品率。
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