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公开(公告)号：CN1079586C
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN99100397.7
申请日：1999-01-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法，属于半导体光电子技术领域，其特征是发光二极管中的发光区由多个重复排列的单元大发光区构成，每一个单元大发光区包括前级发光区和后级发光区以及位于前后两级发光区之间的P+-N+隧道结。多级发光区通过各级间的隧道结为前级复合掉的电子和空穴提供再生通道，从而成倍地提高器件的量子效率和亮度。该发光二极管能提供高亮度半导体光源，用于光显示、交通信号灯、汽车头尾灯等领域。
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公开(公告)号：CN112668382A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202010706600.5
申请日：2020-07-21
Applicant: 北京工业大学 , 南京迪威尔高端制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于支持向量机的钢锭中缺陷超声信号识别方法，属于超声无损检测领域，该方法基于支持向量机算法，通过高斯径向基核函数对钢锭中缺陷超声信号的特征参数向量矩阵进行数据处理，将原低维空间中线性不可分的数据点映射到高维空间使其线性可分，之后构造一个最优的分类超平面，使得在该平面两侧，距离平面最近的不同类数据间的距离最大化，从而实现对不同信号的正确分类。在识别过程中为提高信号识别率，对信号的特征参数和支持向量机系统参数进行了优选。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113935146A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111001971.4
申请日：2021-08-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/10 , G01N29/44 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种用于钢锭超声信号降噪的非凸变量重叠群稀疏变分方法，属于无损检测领域。现有的稀疏降噪方法通过调节正则化参数，可以有效保证降噪的效果但会使信号出现波形失真和幅值衰减的问题。本方法考虑钢锭超声检测信号受晶粒组织影响产生散射噪声，对缺陷信号造成干扰,针对其信号不同幅值点的聚类属性和变分特性特点，利用非凸变量函数具有良好稀疏性的特点，提出非凸变量重叠群稀疏变分方法，实现钢锭超声检测信号的降噪、抑制波形畸变、保持信号幅值水平、提高缺陷成像的信噪比。在降噪过程中为达到良好的降噪效果，对降噪方法中的非凸变量函数类型、正则化参数和乘法因子进行了优选。
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公开(公告)号：CN113935146B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202111001971.4
申请日：2021-08-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/10 , G01N29/44 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种用于钢锭超声信号降噪的非凸变量重叠群稀疏变分方法，属于无损检测领域。现有的稀疏降噪方法通过调节正则化参数，可以有效保证降噪的效果但会使信号出现波形失真和幅值衰减的问题。本方法考虑钢锭超声检测信号受晶粒组织影响产生散射噪声，对缺陷信号造成干扰,针对其信号不同幅值点的聚类属性和变分特性特点，利用非凸变量函数具有良好稀疏性的特点，提出非凸变量重叠群稀疏变分方法，实现钢锭超声检测信号的降噪、抑制波形畸变、保持信号幅值水平、提高缺陷成像的信噪比。在降噪过程中为达到良好的降噪效果，对降噪方法中的非凸变量函数类型、正则化参数和乘法因子进行了优选。
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公开(公告)号：CN1110877C
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN99100395.0
申请日：1999-01-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/32
Abstract: 一种高效大功率大光腔半导体激光器，属于半导体光电子技术领域，其特征是，采用了由多个重复排列的单元发光区及位于每相邻两单元发光区之间的P+-N+隧道二极管所构成的多级耦合整体大光腔式发光区结构，通过各单元发光区间的隧道二极管为前级复合掉的电子和空穴提供再生通道，从而多倍地提高器件的量子效率和输出功率。本发明可提供高效大功率、具有窄发散角的半导体激光，广泛用于光通讯、光泵浦、光读写、激光医疗、激光雷达等领域。
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公开(公告)号：CN1226089A
公开(公告)日：1999-08-18
申请号：CN99100397.7
申请日：1999-01-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法,属于半导体光电子技术领域,其特征是发光二极管中的发光区由多个重复排列的单元大发光区构成,每一个单元大发光区包括前级发光区和后级发光区以及位于前后两级发光区之间的P+－N+隧道结。多级发光区通过各级间的隧道结为前级复合掉的电子和空穴提供再生通道,从而成倍地提高器件的量子效率和亮度。该发光二极管能提供高亮度半导体光源,用于光显示、交通信号灯、汽车头尾灯等领域。
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公开(公告)号：CN1226759A
公开(公告)日：1999-08-25
申请号：CN99100395.0
申请日：1999-01-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高效大功率大光腔半导体激光器,属于半导体光电子技术领域,其特征是,采用了由多个重复排列的单元发光区及位于每相邻两单元发光区之间的P+－N+隧道二极管所构成的多级耦合整体大光腔式发光区结构,通过各单元发光区间的隧道二极管为前级复合掉的电子和空穴提供再生通道,从而多倍地提高器件的量子效率和输出功率。本发明可提供高效大功率、具有窄发散角的半导体激光,广泛用于光通讯、光泵浦、光读写、激光医疗、激光雷达等领域。
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