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公开(公告)号：CN107561434B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201710557507.0
申请日：2017-07-10
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G01R31/327 , G01R19/175
摘要： 一种用于PWM/PFM双模式DC‑DC开关电源的电流检测电路，该检测电路分别用于检测高侧开关管峰值电流及电感电流过零检测，并对过零周期进行计数，当达到连续5个周期过零时，触发PWM模式切换为PFM模式。本发明中的电流检测电路是一种片上电路，包括峰值电流检测电路、电感电流过零检测电路、过零周期计数电路。通过配置电流镜像管的源端电压，保证了电流的镜像精度，并通过检测镜像管的源端电流，实现峰值电流的检测功能。通过采样NMOS管SN的漏端电压，当该电压由负电平上升至正电平时，输出过零信号，并开始过零周期计数，由此实现电感电流过零检测及计数功能。本发明基准电路结构简单、精度高，适用于PWM/PFM双模式DC‑DC开关电源中。
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公开(公告)号：CN109358295A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811102946.3
申请日：2018-09-20
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G01R31/40
摘要： 本发明公开了一种应用于DC-DC的电源故障指示电路，包括基准电路、DC-DC反馈网络、故障比较器电路，其中：DC-DC反馈网络，接收DC-DC的输出电压，并通过电阻分压得到传感电压Vsense，将反馈电压Vsense发送至故障比较电压；基准电路，生成基准电压，并将基准电压分压得到四个比较电压信号发送给故障比较电路；故障比较电路，将反馈电压Vsense值分别与第一比较电压信号、第二比较电压信号、第三比较电压信号、第四比较电压信号进行比较，反馈电压Vsense在上升过程中低于第二比较电压或高于第四比较电压，或者是在下降过程中低于第一比较电压或高于第三比较电压，输出“有效”故障标志信号。本发明能有效地监测DC-DC压降型开关电源的输出电压变化。
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公开(公告)号：CN109358295B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201811102946.3
申请日：2018-09-20
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G01R31/40
摘要： 本发明公开了一种应用于DC‑DC的电源故障指示电路，包括基准电路、DC‑DC反馈网络、故障比较器电路，其中：DC‑DC反馈网络，接收DC‑DC的输出电压，并通过电阻分压得到传感电压Vsense，将反馈电压Vsense发送至故障比较电压；基准电路，生成基准电压，并将基准电压分压得到四个比较电压信号发送给故障比较电路；故障比较电路，将反馈电压Vsense值分别与第一比较电压信号、第二比较电压信号、第三比较电压信号、第四比较电压信号进行比较，反馈电压Vsense在上升过程中低于第二比较电压或高于第四比较电压，或者是在下降过程中低于第一比较电压或高于第三比较电压，输出“有效”故障标志信号。本发明能有效地监测DC‑DC压降型开关电源的输出电压变化。
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公开(公告)号：CN112416047A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011126043.6
申请日：2020-10-20
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G05F1/575
摘要： 本发明公开了一种高电源抑制比和高抗干扰能力的基准电路，包括：偏置电路、预处理电路、基准核心电路、运算放大器和输出级；其中，偏置电路产生偏置电压，用于预处理电路和运算放大器；预处理电路产生初级的不受输入电压影响的稳定电压，将稳定电压输出给基准核心电路和运算放大器；基准核心电路产生零温电压，将零温电压输出给输出级和运算放大器；运算放大器电路使得三极管集电极电压相等，使得基准核心电路正常工作；输出级通过电阻分压，产生不同的基准电压。本发明通过采用偏置电路，进行合理的结构设计，同时引入预处理电路，产生受电源电压影响较小的初级电压，提高低频和高频下的电源抑制比。在敏感节点加入滤波电路，提高抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN112416047B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011126043.6
申请日：2020-10-20
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G05F1/575
摘要： 本发明公开了一种高电源抑制比和高抗干扰能力的基准电路，包括：偏置电路、预处理电路、基准核心电路、运算放大器和输出级；其中，偏置电路产生偏置电压，用于预处理电路和运算放大器；预处理电路产生初级的不受输入电压影响的稳定电压，将稳定电压输出给基准核心电路和运算放大器；基准核心电路产生零温电压，将零温电压输出给输出级和运算放大器；运算放大器电路使得三极管集电极电压相等，使得基准核心电路正常工作；输出级通过电阻分压，产生不同的基准电压。本发明通过采用偏置电路，进行合理的结构设计，同时引入预处理电路，产生受电源电压影响较小的初级电压，提高低频和高频下的电源抑制比。在敏感节点加入滤波电路，提高抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN108197351A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711329579.6
申请日：2017-12-13
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明提供了一种受单片机控制的集成电路的仿真验证方法，包括如下步骤：(1)、编写相应的单片机仿真模型，用来模拟单片机；(2)、将该单片机仿真模型与待验证集成电路仿真模型相连，形成顶层测试模块；(3)、编写待测集成电路的单片机测试程序，编译生成可烧录至单片机程序存储器的可执行测试程序；(4)、将可执行测试程序转换成*.memh文件形式；(5)、编写仿真验证测试程序，在仿真验证测试程序中，实例化顶层测试模块，通过$readmemh系统函数，把*.memh文件形式的可执行测试程序加载到单片机仿真模型的程序存储器中；(6)、运行仿真验证测试程序，完成受单片机控制的集成电路仿真验证。本发明提高测试程序的复用性，从而提高了芯片的验证效率。
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公开(公告)号：CN117081586A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311036076.5
申请日：2023-08-16
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明公开了一种共用输入端的电阻和外部时钟双模式调频振荡器电路，由电压基准电路VREF、电流基准电路IREF、模式选择电路MSC、电荷泵锁相环CPPLL和环路振荡器OSC组成。该电路可以使用电阻和外部时钟两种方式调节振荡器频率，两种模式共用输入端，模式选择电路根据输入端的信号自动识别两种调频模式。锁相环电路由鉴频鉴相电路PFD、电荷泵CP、低通滤波器LPF组成，用于输出一个电压信号，在外部时钟调频模式下，该电压信号可以调节振荡器频率，使得振荡器信号与外部信号同步。电阻模式下，电压基准电路VREF的输出可以使得电阻两端电压保持固定，从而产生只与电阻大小有关的电流，该电流可以控制振荡器的频率。
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公开(公告)号：CN112542948B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011191852.5
申请日：2020-10-30
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明公开了一种新型斜坡补偿电路，包括：斜坡信号产生电路和上管电流采样电路；其中，所述斜坡信号产生电路和所述上管电流采样电路相连接；所述斜坡信号产生电路采用源极跟随器结构保证斜坡电流和输入电压成线性关系，采用了输出电流镜镜像点电位隔离结构，避免了开关转换时镜点电位受到干扰；上管电流采样电路的运放电路采用了BIP晶体管提高了电流检测精度。本发明通过采样上管流过的电流叠加到斜坡信号，实现斜坡补偿，提高了系统的稳定性，减少了系统响应时间。斜坡产生电路采用了源极跟随器结构简化了电路结构，提高了斜坡信号的精确度。上管电流采样电路输入对管采用了面积较大的三极管，减小了失调电压，提高了电流补偿精度。
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公开(公告)号：CN114265465A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110988416.9
申请日：2021-08-26
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所 , 中国航天时代电子有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供了一种带隙基准电路，包括启动电路、偏置电路、基准核心电路和输出级。启动电路可以启动偏置电路，偏置电路可以启动基准核心电路并且产生初级受电源电压影响较小的稳定的电压，用于内部电路供电。基准核心电路产生受工艺和温度影响较小的基准电压，采用启动电路产生的电压，提高了PSRR。本设计在三极管的选择上选择了NPN型的三极管，并将衬底引入的噪音转换成运放的共模输入，大大减小了衬底噪声对基准电压的影响。基准核心电路采用电流镜供电，简化了电路结构，其供电电压与外部输入电压隔离，提高了PSRR。输出级通过电阻分压产生需要的参考电压，经过RC滤波，提高抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN108197351B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201711329579.6
申请日：2017-12-13
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F30/30 , G06F115/10
摘要： 本发明提供了一种受单片机控制的集成电路的仿真验证方法，包括如下步骤：(1)、编写相应的单片机仿真模型，用来模拟单片机；(2)、将该单片机仿真模型与待验证集成电路仿真模型相连，形成顶层测试模块；(3)、编写待测集成电路的单片机测试程序，编译生成可烧录至单片机程序存储器的可执行测试程序；(4)、将可执行测试程序转换成*.memh文件形式；(5)、编写仿真验证测试程序，在仿真验证测试程序中，实例化顶层测试模块，通过$readmemh系统函数，把*.memh文件形式的可执行测试程序加载到单片机仿真模型的程序存储器中；(6)、运行仿真验证测试程序，完成受单片机控制的集成电路仿真验证。本发明提高测试程序的复用性，从而提高了芯片的验证效率。
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