公开(公告)号：CN118230787A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311435134.1

申请日：2023-10-31

申请人： 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

发明人： 刘佳林 ,  任荣康 ,  李建成 ,  陆时进 ,  刘琳 ,  赵佳 ,  黄新壮 ,  刘晨静 ,  刘劭璠

IPC分类号： G11C11/417 ,  G11C11/418 ,  G11C11/419 ,  G11C11/412

摘要： 本发明涉及一种抗单粒子翻转的SRAM存储单元电路及存储器，电路包括3个PMOS管和6个NMOS管。PMOS管MP4和NMOS管MN4构成了反相器电路；PMOS管MP1，PMOS管MP2，NMOS管MN1，NMOS管MN2，NMOS管MN3构成了一个抗单粒子翻转的逻辑增强电路；NMOS管MN5和NMOS管MN6构成了数据传输端口。反相器输入端与Qb储存节点相连，输出端与Q储存节点相连，完成数据的锁存第一存储节点Q和第二存储节点Qb的互锁，提升了对抗单粒子翻转的性能，且MOS管数量相对较少，电路结构相对简单。当数据进行写操作时，CL信号开始进行输入，逻辑增强电路的第一、第二支路同时工作，使得存储单元的互锁能力减弱，更容易写入数据。

公开(公告)号：CN116249341A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310175378.4

申请日：2023-02-27

申请人： 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

发明人： 郑涛 ,  任荣康 ,  李建成 ,  陆时进 ,  刘琳 ,  赵佳 ,  黄新壮 ,  刘晨静 ,  刘劭璠 ,  刘佳林

IPC分类号： H10B10/00 ,  G11C11/413 ,  G11C7/24 ,  H01L27/02 ,  H01L29/06

摘要： 一种低开销抗辐射存储单元版图结构，由两块半边基本单元版图模块拼接组成；每个半边基本单元版图模块中：第一P阱位于第一传输管和下拉管版图结构的一侧；第一传输管和下拉管版图结构的另一侧与第一上拉管版图结构紧贴；N阱位于第一上拉管版图结构和第二上拉管版图结构中间；第二P阱位于第二传输管和下拉管版图结构的一侧；第二传输管和下拉管版图结构的另一侧与第二上拉管版图结构紧贴；两个第一上拉管版图结构连接，两个第一传输管和下拉管版图结构连接；两个第二上拉管版图结构连接；两个第二传输管和下拉管版图结构连接；两块半边基本单元版图模块位置紧贴。本发明减少了版图面积消耗，增强抗辐射性能的效果。