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公开(公告)号：CN117749188A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311744402.8
申请日：2023-12-18
申请人： 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种带电容电压系数消除和电容复用的SARADC电容阵列，包括：两组高段P端拆分采样电容CPH1,1～CPH1,j、CPH2,1～CPH2,j、两组高段N端拆分采样电容CNH1,1～CNH1,j、CNH2,1～CNH2,j、低段P端比特位电容CPL,1～CPL,i、低段N端比特位电容CNL,1～CNL,i、P端符号位电容CSP1～CSP2、N端符号位电容CSN1～CSN2、N端桥接电容CNB1～CNB2、P端桥接电容CPB1～CPB2、N端连接开关SN1～SN4和P端连接开关SP1～SP4。本发明将高段采样电容阵列被拆分成相同的两端，两端的电容分别使用顶板和底板进行采样，抵消了电容的一阶电压系数；采样的过程基于VDD和GND进行，无需额外的VCM电压；独立的符号位电容通过开关切换参与到后续的量化过程，进一步减小了所需要的电容数量。
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公开(公告)号：CN116625534A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310417073.X
申请日：2023-04-18
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 一种具有失调调节功能的温度传感器电路，包括感温核电路、10位SAR ADC、一级转换寄存器、二级输出寄存器、上下限寄存器、失调校准寄存器、加法器、比较器。感温核电路用于感知温度对应的电压值，经10位SAR ADC进行数字化转换，所得10位二进制数字码储存在一级转换寄存器中；10位二进制数字码与失调校准寄存器中存储的8位数字码通过加法器修正温度转换值，校准后的10位数字码储存在二级输出寄存器中并向外输出，通过比较器将二级输出寄存器中的数据和上下限寄存器中的数据进行比较，得到温度指示端INT的输出信号，防止芯片过热烧毁或低温损坏。本发明解决当前温度传感器温度失调调节困难、工作范围窄、体积大、功耗高等难题。
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公开(公告)号：CN118605677A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410699731.3
申请日：2024-05-31
申请人： 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 一种带有分段补偿的高精度带隙基准电路，包括场效应管M1～M13、双极性晶体管Q1～Q3、电阻R1～R2、可修调电阻R3、R4、运算放大器。场效应管M1～M4、运算放大器、电阻R1、双极性晶体管Q1、Q2构成了PTAT电流产生电路；场效应管M5～M13、电阻R2～R4、双极性晶体管Q3构成了分段式补偿CTAT产生电路，其中可修调电阻R3和场效应管M11工作在低温段，可修调电阻R4和场效应管M12～M13工作在高温段，通过对双极性晶体管Q3发射极补充或抽取电流，实现在低温和高温段对基准电压的补偿。本发明通过在高低温段分段补偿的方式，较大程度地提升了基准源的精度，具有结构简单、精度高的特点，适用于高精度的模数转换器设计中。
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公开(公告)号：CN117978112A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311518245.9
申请日：2023-11-15
申请人： 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
摘要： 本发明属于集成电路领域，具体涉及了一种用于带冗余输入的折叠放大器电路，旨在解决现有的折叠放大电路依靠引入平均电阻的方式会引入边界效应的问题。本发明包括：所述折叠放大器电路设置于前级预放大器的输出端之后；所述折叠放大输入电路，对所述前级预放大器的输出信号进行折叠，获取折叠信号；所述通道选择开关电路，用于基于外部输入的控制时序控制折叠放大输入电路与恒定输出负载电路之间折叠信号的输出通道交换；所述恒定输出负载电路，用于通过差分负载结构确保所述折叠信号恒定。本发明可以在输出共模不变的基础上，将预放大器级的冗余输出信号进行折叠且不影响整体电路结构，减小预放大器平均电阻网络引入的边界效应。
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