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公开(公告)号：CN117316357A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311408223.7
申请日：2023-10-27
IPC分类号： G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/14
摘要： 一种复合互连材料设计方法，包括如下步骤：对互连层进行热力学仿真；判断互连材料特性；结合实际互连材料特性情况，不同区域应用相应热膨胀系数的材料，然后对新的互连层进行热力学仿真，得到更换区域材料之后的应力分布，与更换区域材料前应力进行对比，观察互连层内部应力是否减小至所需范围；互连层内部应力未减小至所需范围，则结合实际调整材料参数重新进行仿真计算；若互连层质量满足需求，复合互连材料设计完成。本发明提高了器件的使用寿命，为未来复合互连材料的设计提供了新思路，对于未来复合式的预成型焊片、焊膏、烧结材料等的设计制作提供了依据。
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公开(公告)号：CN115621226A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211405483.4
申请日：2022-11-10
IPC分类号： H01L23/427 , H01L23/48
摘要： 本发明提供一种半导体器件的封装结构、半导体器件模块，半导体器件的封装结构用于安装芯片，包括：电极组件，电极组件与芯片的第一电极电性连接；电极组件包括：第一电极部件、弹簧、弹性连接件、第二电极部件和传热组件，弹簧的两端分别与第一电极部件和第二电极部件连接；第一电极部件与第二电极部件通过弹性连接件电性连接；传热组件包括第一传热端和第二传热端，第一传热端和第一电极部件固定连接，第二传热端和第二电极部件活动连接；或，第一传热端和第一电极部件活动连接，第二传热端和第二电极部件固定连接。上述的半导体器件的封装结构既能满足高度补偿，同时可以提升半导体器件的散热能力。
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公开(公告)号：CN117096094B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311362406.X
申请日：2023-10-20
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种适用于多规格AMB基板同时烧结的夹具装置，其包括安装底板，用于作为基板承载机构，所述安装底板内设有至少一个底板凹槽；AMB基板，用于对芯片提供支撑、散热以及保护，每个底板凹槽内均安设有一块所述AMB基板；金属罩，用于保护AMB基板边缘，所述金属罩覆盖于安装底板上层，且所述金属罩正对每个底板凹槽位置分别设有金属罩窗口；薄膜，用于封闭底板凹槽内的AMB基板及芯片，所述薄膜覆盖于金属罩上层；锁紧环，用于夹紧并固定薄膜，所述锁紧环位于薄膜上层，且所述锁紧环紧贴薄膜边缘，所述锁紧环通过紧固件将薄膜与金属罩压至安装底板；该装置实现多规格AMB基板同时烧结，提高了夹具通用性，提高烧结效率。
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公开(公告)号：CN117096094A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311362406.X
申请日：2023-10-20
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种适用于多规格AMB基板同时烧结的夹具装置，其包括安装底板，用于作为基板承载机构，所述安装底板内设有至少一个底板凹槽；AMB基板，用于对芯片提供支撑、散热以及保护，每个底板凹槽内均安设有一块所述AMB基板；金属罩，用于保护AMB基板边缘，所述金属罩覆盖于安装底板上层，且所述金属罩正对每个底板凹槽位置分别设有金属罩窗口；薄膜，用于封闭底板凹槽内的AMB基板及芯片，所述薄膜覆盖于金属罩上层；锁紧环，用于夹紧并固定薄膜，所述锁紧环位于薄膜上层，且所述锁紧环紧贴薄膜边缘，所述锁紧环通过紧固件将薄膜与金属罩压至安装底板；该装置实现多规格AMB基板同时烧结，提高了夹具通用性，提高烧结效率。
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公开(公告)号：CN115911011B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202211405501.9
申请日：2022-11-10
申请人： 北京智慧能源研究院
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/495 , H01L23/498
摘要： 本发明提供的功率半导体器件串联均压结构及功率半导体器件，多级串联功率芯片结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；所述多级串联均压回路结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；所述多级串联功率芯片结构的第二端与所述多级串联均压回路结构的第二端固定连接。本发明通过在器件内部完成器件的串联，并集成均压回路，提高了模块的功率密度和集成度，并提升了可靠性。
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公开(公告)号：CN115910950A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211410185.4
申请日：2022-11-10
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/485 , H01L23/31
摘要： 本发明提供一种功率半导体器件封装结构和功率半导体器件模块，功率半导体器件封装结构包括：下导电散热板，所述下导电散热板的一侧的部分表面具有沉槽；功率芯片，位于所述沉槽中，所述功率芯片与所述下导电散热板电连接。所述功率半导体器件封装结构的散热效果好、功率密度大且寄生电感低。
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公开(公告)号：CN117116864A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310325506.9
申请日：2023-03-29
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/49 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/492
摘要： 一种弹性压接封装结构，包括第一电极板、芯片、弹性组件和第二电极板，弹性组件包括一体成型且依次连接的第一导电段、弹性伸缩段和第二导电段，第一电极板通过芯片与第一导电段电性连接，第二导电段与第二电极板电性连接。本发明提供的弹性压接封装结构取消碟簧杆和弹簧外框架，将多个弹性部件如碟簧片和弹簧帽进行一体化设计，简化了弹性组件的结构且缩小了弹性组件的体积。同时，整个弹性组件结构采用高热导率材料，较现有弹性组件可明显提高该热流路径上的散热能力。
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公开(公告)号：CN115621232B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202211405492.3
申请日：2022-11-10
申请人： 北京智慧能源研究院
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/495
摘要： 本发明提供一种功率半导体器件封装结构和功率半导体器件模块。功率半导体器件封装结构包括：第一压接电极模块、功率芯片、第二压接电极模块、衬板和弹性电极；衬板设置于第一电极一侧表面，绝缘板与功率芯片位于第一电极相同一侧表面；芯片第二电极和芯片第三电极分别电性连接至不同的衬板；弹性电极一端适于弹性连接衬板中的一个，另一端连接器件第二电极或器件第三电极；弹性电极适于沿第二压接电极模块向第一压接电极模块的方向弹性伸缩；第一压接电极模块和第二压接电极模块适于通过施加外力相向运动，通过弹性电极的弹性形变实现与功率芯片的电性导通。
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公开(公告)号：CN115910985A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211405522.0
申请日：2022-11-10
申请人： 北京智慧能源研究院
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/24 , H01L23/64
摘要： 本发明公开了一种功率半导体模块，包括：栅极PCB板和多个并联的子模组，每个子模组包括半导体芯片和栅极引出端，栅极PCB板包括驱动连接单元，栅极引出端的一端连接半导体芯片的栅极；栅极PCB板上设置有多个与栅极引出端的另一端电连接的栅极触点，多个栅极触点通过多个第一布线层与驱动连接单元连接，流经多个第一布线层的电流路径一致。通过实施本发明，使得驱动端至各栅极触点的电流路径一致，实现了栅极寄生参数均衡化，从而有效提升了模块内部并联模组间电流的均流能力，提升了模块整体的安全工作区。并且均流能力的提升，能够在增加并联子模组的同时，提升其安全可靠性。
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公开(公告)号：CN115910935A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211330318.7
申请日：2022-10-27
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国网江西省电力有限公司 , 国网江西省电力有限公司吉安供电分公司
摘要： 本发明提供一种功率半导体器件绝缘封装结构及绝缘封装方法，功率半导体器件绝缘封装结构包括：导电底板；位于导电底板一侧的绝缘层；位于绝缘层背离导电底板的一侧表面的导电层；位于导电底板的一侧表面的壳体，壳体与导电底板形成容置空间，功率半导体器件、绝缘层以及导电层均位于容置空间内；填充容置空间的绝缘填充介质，绝缘层与绝缘填充介质的接触区域的介电常数与绝缘填充介质的介电常数的差值为0～1，介电常数的差异较小能够改善电场分布，从而避免了由于接触位置的电场集中而发生局部放电，降低了绝缘层被击穿的风险，提高了功率半导体器件绝缘封装结构的绝缘性。
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