公开(公告)号：CN116682862A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202211742055.0

申请日：2022-12-29

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网北京市电力公司

Inventor： 魏晓光 ,  吴沛飞 ,  张丙可 ,  单云海 ,  李玲 ,  朱涛 ,  严静融 ,  周行 ,  何荧锋 ,  李青岭 ,  武婧敏 ,  阎海亮 ,  白雪 ,  孙俊敏 ,  葛欢

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/337

Abstract: 一种提高耐压和通流的功率器件栅极结构，所述栅极结构包括如下模块：(1)注入增强型的JFET区，通过高温注入形成；(2)JFET区中心的沟槽栅氧，通过碳化硅热氧形成，与周围JFET区碳化硅通过原子级硅氧键连接；(3)沟槽栅氧周围设置与JFET区类型相反的PN保护结，通过高温注入形成；(4)JFET区上方设置栅氧层，通过碳化硅热氧形成，与JFET中心沟槽栅氧实现无界面连接，与下方JFET区通过原子级硅氧键连接。本发明基于JFET耗尽过程中的电场变化，提供了一种新型的栅结构，并提供了一套可行性的工艺流程，实现了设计结构的工艺验证。

公开(公告)号：CN119486179A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411671356.8

申请日：2024-11-21

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 葛欢 ,  武婧敏 ,  金锐 ,  李哲洋 ,  王静 ,  朱涛

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D62/832 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明提供了一种小尺寸元胞碳化硅MOSFET器件的制备方法，包括以下步骤：晶圆预处理；分区杂质离子注入；退火处理；表面处理；场氧制备；多晶栅制备；电极及钝化层制备；分区包括Pwell区、N+区、P+区和JFET区；至少N+区的杂质离子注入包括以下步骤：在晶圆正面生长注入掩膜，并涂光刻胶及曝光显影形成分区图形注入区；采用干法刻蚀在注入掩膜上形成分区注入区，去除光刻胶；采用至少两次倾斜注入法注入杂质离子形成分区，两次倾斜注入法之间沿晶圆轴线旋转晶圆；形成分区后去除注入掩膜。本发明解决了小尺寸元胞单元掺杂制备工艺时，过大的光刻胶纵宽比导致的漂胶脱落问题，保证掺杂区域尺寸满足设计尺寸。

公开(公告)号：CN117096014A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202211687933.3

申请日：2022-12-27

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 魏晓光 ,  周行 ,  李玲 ,  朱涛 ,  吴沛飞 ,  葛欢 ,  白雪 ,  孙俊敏 ,  严静融 ,  李嘉琳 ,  武婧敏 ,  金锐 ,  杨霏

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  H01L21/311

Abstract: 一种半导体器件的刻蚀方法，包括如下步骤：晶圆打标号，晶圆清洗，保护层的形成，涂胶工艺，在一定温度和一定真空度下进行低温真空干燥处理，在一定磁场功率和一定射频偏压功率辅助条件下将高压氮气分散到真空干燥处理后的晶圆上，形成光刻胶掩膜步进式光刻机曝光，曝光后显影，刻蚀，去胶，清洁。本发明用于消除光刻胶膜上形成的微波纹，提高光刻胶的致密性和均匀性，达到精准刻蚀的目的。

公开(公告)号：CN119965082A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202311438570.4

申请日：2023-11-01

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 白雪 ,  常树丞 ,  周行 ,  武婧敏 ,  张丙可 ,  王锐 ,  何荧峰

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D62/83

Abstract: 本发明提供了一种制备碳化硅器件沟道注入掩膜的方法，属于半导体制造技术领域，该方法包括以下步骤：在晶圆上形成Pwell区；在已形成Pwell区的晶圆上淀积氧化硅，形成掩膜介质层；在淀积的氧化硅上光刻N+图形，并通过刻蚀的方式在晶圆上得到N+注入掩膜形貌和沟道。该方法利用自对准工艺在晶圆上形成沟道和注入掩膜形貌，而且刻蚀过程中控制刻蚀的角度，得到既满足沟道宽度又满足注入掩膜厚度的掩膜形貌。

公开(公告)号：CN118039472A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211358217.0

申请日：2022-11-01

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 周行 ,  白雪 ,  孙俊敏 ,  严静融 ,  李嘉琳 ,  武婧敏 ,  李玲 ,  朱涛 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  杨霏 ,  王鑫 ,  李宾宾

IPC: H01L21/308 ,  H01L29/06

Abstract: 一种制备小角度SiC平缓台面的刻蚀方法及终端结构，包括：在SiC衬底表面依次沉积第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜；对所述第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜进行湿法侧向腐蚀，得到具有预设角度台面的第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜；基于所述第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜，对所述SiC衬底进行干法刻蚀，得到具有目标角度台面的SiC衬底；其中，所述第一SiO2薄膜的致密度大于所述第二SiO2薄膜的致密度；本发明通过将湿法腐蚀和干法刻蚀相结合能够有效实现二氧化硅台阶形貌转移，最终得到小角度、底部平缓、侧壁光滑的SiC台面，进而提高刻蚀小角度SiC平缓台面的制备效率。