公开(公告)号：CN116259517A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202310269494.2

申请日：2023-03-16

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 阎海亮 ,  李玲 ,  魏晓光 ,  朱涛 ,  李青岭 ,  李嘉琳 ,  王锐 ,  杨霏 ,  汪玉 ,  王鑫

IPC: H01J37/302 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01L21/67

Abstract: 一种半导体离子注入机的智能化作业系统和方法，所述系统包括：半导体离子注入机、KVM切换器、搭载RPA流程自动化模块的远程操控服务器或电脑；所述离子注入机能够对半导体工艺进行离子注入，被单独操作运行作业；所述KVM切换器用于把离子注入机切换到远程操控端服务器或电脑，通过网络通讯将离子注入机和远程操控端的服务器或电脑串联起来，远程操控服务器或电脑通过KVM切换器控制离子注入机的远程界面；所述RPA流程自动化模块搭载到远程操控端服务器或电脑，包括OCR文字识别单元、流程编辑单元、CV视觉处理单元、Dashboard单元。本发明大幅降低了人工工作的强度和时长、作业时的辐射风险，提升半导体离子注入机的作业效率。

公开(公告)号：CN119965082A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202311438570.4

申请日：2023-11-01

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 白雪 ,  常树丞 ,  周行 ,  武婧敏 ,  张丙可 ,  王锐 ,  何荧峰

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D62/83

Abstract: 本发明提供了一种制备碳化硅器件沟道注入掩膜的方法，属于半导体制造技术领域，该方法包括以下步骤：在晶圆上形成Pwell区；在已形成Pwell区的晶圆上淀积氧化硅，形成掩膜介质层；在淀积的氧化硅上光刻N+图形，并通过刻蚀的方式在晶圆上得到N+注入掩膜形貌和沟道。该方法利用自对准工艺在晶圆上形成沟道和注入掩膜形貌，而且刻蚀过程中控制刻蚀的角度，得到既满足沟道宽度又满足注入掩膜厚度的掩膜形貌。

公开(公告)号：CN115763236A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211350789.4

申请日：2022-10-31

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 焦倩倩 ,  朱涛 ,  董佳俊 ,  王锐 ,  李青岭 ,  李嘉琳 ,  阎海亮 ,  杨霏 ,  李玲 ,  魏晓光 ,  王鑫 ,  金雨楠

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/04 ,  H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  H01L29/06 ,  B24B7/22 ,  B24B27/00

Abstract: 本发明提供一种衬底减薄碳化硅芯片制备方法及碳化硅背面结构，包括：基于两种规格的磨轮对碳化硅晶圆背面进行打磨减薄处理后得到碳化硅减薄损伤层；对碳化硅减薄损伤层进行抛光处理；在抛光处理后的碳化硅晶圆背面采用激光退火制备欧姆接触层，并在所述欧姆接触层上沉积金属加厚层；对碳化硅晶圆正面进行机械划片，将所述碳化硅晶圆裂片分离成单个小芯片。本发明先通过两种规格的磨轮对碳化硅晶圆背面进行减薄处理，再对减薄得到的碳化硅减薄损伤层进行抛光处理，可有效降低晶圆翘曲释放应力，从而降低碎片率，为后续采用机械划片提供了可能，避免了使用激光划片存在工艺不稳定和芯片良率低的问题，进一步的提高了整个工艺的稳定性和芯片良率。

公开(公告)号：CN115584469A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202211118561.2

申请日：2022-09-13

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 董佳俊 ,  李青岭 ,  赵万利 ,  李旭晗 ,  王锐 ,  常树丞 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  汪玉 ,  王鑫

IPC: C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  H01L21/3205 ,  C23C14/24 ,  C23C28/00

Abstract: 本发明属于半导体制造领域，具体涉及一种增加碳化硅台阶金属层覆盖厚度的方法，所述方法包括如下步骤：金属淀积，对完成介质层台阶蚀刻的碳化硅晶圆进行溅射形成金属层；反溅射，采用氩离子轰击所述金属层以消除台阶间的封口；重复所述金属淀积和反溅射直至碳化硅台阶覆盖厚度达到设计要求。本发明通过反溅射对台阶上部和台阶间槽口的金属层进行刻蚀以达到清除台阶间槽口的金属层以避免槽口过早闭合；通过多次金属淀积和反溅射的循环加工实现了提高台阶底部填充厚度避免槽口封闭的有益技术效果。

公开(公告)号：CN117238766A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311238579.0

申请日：2023-09-25

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网北京市电力公司 ,  国家电网有限公司

Inventor： 孙俊敏 ,  朱涛 ,  蔡依沙 ,  葛欢 ,  张丙可 ,  白雪 ,  周行 ,  董佳俊 ,  王海兴 ,  王锐 ,  常树丞 ,  李哲洋 ,  金锐

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  C09K13/08

Abstract: 本发明提供了一种特殊半导体器件的钛铝腐蚀方法，属于半导体制造技术领域。所述方法包括：在有氧化膜和高温退火镍金属膜的晶圆表面依次沉积金属钛层和金属铝层；旋涂光刻胶、进行光刻处理；对铝金属层进行腐蚀；配制钛腐蚀液，对金属钛层进行腐蚀；去除所述光刻胶膜，得到所述金属钛铝层的窗口形貌为预设形状。所述方法达到了既完成金属腐蚀，又不影响腐蚀区域的高温镍膜，氧化膜腐蚀量不影响芯片性能的目的。

公开(公告)号：CN119335325A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202310878688.2

申请日：2023-07-18

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网北京市电力公司

Inventor： 李嘉琳 ,  阎海亮 ,  李青岭 ,  朱涛 ,  孙俊敏 ,  李旭晗 ,  严静融 ,  王锐 ,  白雪 ,  王海兴 ,  董佳俊 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  杨霏

IPC: G01R31/12 ,  G01R1/04 ,  G01R1/067

Abstract: 本发明提供了一种应用于芯片高压测试的测试装置及测试方法，属于半导体生产技术领域，该测试装置包括可发热的载物台、测试油槽、探针座和探针。测试油槽设置在载物台上；探针座设置在测试油槽外，探针设置在探针座上；测试过程中，测试油槽盛放绝缘油，探针与放置在测试油槽中的器件相接触。该测试装置通过将器件放在绝缘油中进行高压测试，可杜绝测试过程中导电通道的出现，保证测试提高精度，防止高压测试过程中器件被损坏。

公开(公告)号：CN118039467A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211366766.2

申请日：2022-11-01

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 葛欢 ,  王锐 ,  朱涛 ,  常树丞 ,  李青岭 ,  严静融 ,  阎海亮 ,  李玲 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  杨霏

IPC: H01L21/265 ,  H01L29/06

Abstract: 一种提高注入离子掺杂深度的方法及碳化硅器件，包括：选取平行于晶圆主晶轴或垂直于原子密度较小晶面的离子注入方向；根据所述离子注入方向对预设温度的晶圆进行倾斜和/或旋转处理，并在处理后的晶圆上进行离子注入。本发明通过选取平行于晶圆主晶轴，或垂直于原子密度较小晶面的注入方向进行注入，就可以利用隧道效应，使得杂质离子通过晶格间隙的通道时不与电子和原子核发生碰撞，能量损失减少，最终停留在更深的地方，从而有效的解决了由于注入能量限制导致的注入深度受限的问题。