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公开(公告)号：CN110380724B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201910682065.1
申请日：2019-07-26
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种RTC时钟频率温度补偿芯片，用于对晶体振荡器由于温度变化所引起的频率漂移进行补偿，RTC时钟频率温度补偿芯片包括：温度传感器、随机存储器、RTC电路。温度传感器用于检测环境温度，生成温度信号；随机存储器与温度传感器相连，其用于存储修调数据表，该修调数据表中存储了多个温度信号下所对应的频率校正值，随机存储器还用于根据温度传感器的温度信号索引出相应的频率校正值；RTC电路与晶体振荡器以及随机存储器均相连，用于根据随机存储器输出的频率校正值对晶体振荡器的频率进行校正。该RTC时钟频率温度补偿芯片能够降低对晶体振荡器的选型要求，以及降低片上的温度传感器的测温误差精度要求。
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公开(公告)号：CN108259040B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201810153781.6
申请日：2018-02-22
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明公开了一种消除电容电压系数对全差分SAR‑ADC性能影响的方法。该方法包括以下步骤：提供一种全差分SAR‑ADC，其包括多个电容，所述多个电容包括第一电容和第二电容，且所述多个电容的电压二阶系数值包括正数和负数；将满足特定条件的第一电容和第二电容进行并联从而使并联后的电容的电压二阶系数为0，所述特定条件为A1K1+A2K2＝0，其中A1为第一电容的电压二阶系数，A2为第二电容的电压二阶系数，K1是第一电容的理想电容值，K2是第二电容的理想电容值。该消除电容电压系数对全差分SAR‑ADC性能影响的方法能够消除或降低电容电压系数对全差分SAR‑ADC的性能影响，降低高精度SAR‑ADC的设计瓶颈。
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公开(公告)号：CN107491133B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201710805315.7
申请日：2017-09-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种带隙基准电压源，包括：电平转换电路、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻和钳位电路；电平转换电路用于根据输入端输入的电压在第一端和第二端产生相同的一阶正温度系数的电压。该带隙基准电压源通过对MP1和MP2的漏极引入相同正温度系数电压，并利用MP1和MP2本身具有的沟道长度调制效应，来消除或减小二阶温度系数，从而实现二阶温度系数补偿。
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公开(公告)号：CN107491133A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710805315.7
申请日：2017-09-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G05F1/567
CPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种带隙基准电压源，包括：电平转换电路、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻和钳位电路；电平转换电路用于根据输入端输入的电压在第一端和第二端产生相同的一阶正温度系数的电压。该带隙基准电压源通过对MP1和MP2的漏极引入相同正温度系数电压，并利用MP1和MP2本身具有的沟道长度调制效应，来消除或减小二阶温度系数，从而实现二阶温度系数补偿。
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公开(公告)号：CN106529647A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610957754.5
申请日：2016-10-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G06K19/07
CPC分类号： G06K19/0715 , G06K19/0701
摘要： 本发明公开了一种电子标签电路，包括：整流调整电路、限压泄放电路、电源检测电路和稳压电容；整流调整电路的第一输入端用于接收第一天线信号，第二输入端用于接收第二天线信号，整流调整电路的输出端与限压泄放电路的输入端相连；限压泄放电路的第一控制端用于接收第一天线信号，第二控制端用于接收第二天线信号，限压泄放电路的输出端与稳压电容的第一端相连，稳压电容的第二端接地；电源检测电路的输入端与稳压电容的第一端相连，电源检测电路的输出端与限压泄放电路的反馈端相连，限压泄放电路用于根据反馈信号、第一天线信号和第二天线信号对输出电压进行降压处理。该电路的结构简单且稳定，消除了电路竞争。
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公开(公告)号：CN108762359B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201711483345.7
申请日：2017-12-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种高电源抑制比的超低功耗电源结构，包括：第一LDO电路、第二LDO电路、第一Bandgap模块、第二Bandgap模块以及切换电路；其中，第一LDO电路用于在大驱动模式下提供LDO输出电压，第二LDO电路用于为超低功耗模式下提供LDO输出电压；第一Bandgap模块工作在主电源电压下，第二Bandgap模块是工作在LDO输出电压VDD下的基准源，切换电路包括上下电复位电路、振荡器电路、延迟电路以及第一电平转换电路，切换电路能够将上电启动时由第一Bandgap模块输出第一参考电压的模式切换为上电启动完成后由第二Bandgap模块输出第二参考电压的模式。本发明的超低功耗电源结构的结构简单、鲁棒性好，从结构上优化了PSRR性能，并且显著降低了系统的功耗，实现了低功耗目标值。
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公开(公告)号：CN106599971B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201611142363.4
申请日：2016-12-12
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
摘要： 本发明实施例提供了一种电子标签电源整流电路，包括：能量获取电路、充电控制电路、电源检测电路、输出稳压电容，所述能量获取电路的第一输入端与第一天线相连，第二输入端与第二天线相连，输出端与所述充电控制电路的输入端相连；所述第一天线和所述第二天线不同时输出高电平；所述充电控制电路的控制端与所述第一天线、所述第二天线、所述电源检测电路的输出端分别相连，所述充电控制电路的输出端与所述输出稳压电容的第一端、电源电压分别相连；所述电源检测电路的输入端与所述输出稳压电容的第二端相连；所述输出稳压电容的第二端接地。
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公开(公告)号：CN109743032A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910015848.4
申请日：2019-01-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江西省电力有限公司
IPC分类号： H03F3/45
摘要： 本发明公开了一种具有共模反馈控制电路的反相伪全差分放大器以及保持输出共模电平稳定的方法，该反相伪全差分放大器包括伪全差分运算电路和共模反馈控制电路。伪全差分运算电路包括反相器放大器(2)和(3)，反相器放大器(2)和(3)分别具有第一反馈控制端子和第二反馈控制端子。共模反馈控制电路的输入端分别与反相器放大器(2)和(3)的输出端相连，用于检测反相器放大器(2)和(3)的共模输出电压，共模反馈控制电路的输出端分别与第一反馈控制端子和第二反馈控制端子相连，用于对反相器放大器(2)和(3)形成共模反馈从而保持共模输出电平的稳定。该反相伪全差分放大器能够在低压低功耗的应用场合下保持输出共模电平的稳定。
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公开(公告)号：CN108762359A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201711483345.7
申请日：2017-12-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种高电源抑制比的超低功耗电源结构，包括：第一LDO电路、第二LDO电路、第一Bandbap模块、第二bandbap模块以及切换电路；其中，第一LDO电路用于在大驱动模式下提供LDO输出电压，第二LDO电路用于为超低功耗模式下提供LDO输出电压；第一Bandbap模块工作在主电源电压下，第二bandbap模块是工作在LDO输出电压VDD下的基准源，切换电路包括上下电复位电路、振荡器电路、延迟电路以及电平转换电路，切换电路能够将上电启动时由第一Bandbap模块输出第一参考电压的模式切换为上电启动完成后由第二Bandbap模块输出第二参考电压的模式。本发明的超低功耗电源结构的结构简单、鲁棒性好，从结构上优化了PSRR性能，并且显著降低了系统的功耗，实现了低功耗目标值。
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公开(公告)号：CN108259040A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810153781.6
申请日：2018-02-22
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明公开了一种消除电容电压系数对全差分SAR‑ADC性能影响的方法。该方法包括以下步骤：提供一种全差分SAR‑ADC，其包括多个电容，所述多个电容包括第一电容和第二电容，且所述多个电容的电压二阶系数值包括正数和负数；将满足特定条件的第一电容和第二电容进行并联从而使并联后的电容的电压二阶系数为0，所述特定条件为A1K1+A2K2＝0，其中A1为第一电容的电压二阶系数，A2为第二电容的电压二阶系数，K1是第一电容的理想电容值，K2是第二电容的理想电容值。该消除电容电压系数对全差分SAR‑ADC性能影响的方法能够消除或降低电容电压系数对全差分SAR‑ADC的性能影响，降低高精度SAR‑ADC的设计瓶颈。
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