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公开(公告)号：CN112710405B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202011461453.6
申请日：2020-12-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01K7/16
摘要： 本发明实施例提供一种温度传感器，属于传感器技术领域。所述温度传感器包括：具有谐振腔的基板；悬臂梁，该悬臂梁位于所述谐振腔中，一端固定在所述基板上；金属层，位于所述悬臂梁的表面，温度变化时，与悬臂梁共同作用产生静态弯曲量；惠斯通电桥，包括至少一个U型可变压阻，该可变压阻位于所述悬臂梁的固定端应力最大处，用于将所述静态弯曲量转换为电信号。通过本发明提供的技术方案，能够实现对环境温度的快速高灵敏度、高精度的检测。
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公开(公告)号：CN112710706A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011443736.8
申请日：2020-12-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司
IPC分类号： G01N27/22
摘要： 本发明实施例提供一种湿度传感器，属于传感器技术领域。所述湿度传感器包括：第一电极、第二电极、湿度敏感材料层；所述湿度敏感材料层位于第一电极和第二电极之间；所述第二电极为多孔电极，开孔的形状为圆形或三角形。通过本发明提供的技术方案，能够实现对环境湿度的高灵敏度、高精度的检测，同时提高了传感器的可集成度与稳定性能。
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公开(公告)号：CN112710405A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011461453.6
申请日：2020-12-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01K7/16
摘要： 本发明实施例提供一种温度传感器，属于传感器技术领域。所述温度传感器包括：具有谐振腔的基板；悬臂梁，该悬臂梁位于所述谐振腔中，一端固定在所述基板上；金属层，位于所述悬臂梁的表面，温度变化时，与悬臂梁共同作用产生静态弯曲量；惠斯通电桥，包括至少一个U型可变压阻，该可变压阻位于所述悬臂梁的固定端应力最大处，用于将所述静态弯曲量转换为电信号。通过本发明提供的技术方案，能够实现对环境温度的快速高灵敏度、高精度的检测。
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公开(公告)号：CN113271080B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202110543094.7
申请日：2021-05-18
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H03H9/02
摘要： 本公开提供了一种环形结构酒杯模态射频微机电谐振器，包括：工作在酒杯模态下的呈环形结构的谐振单元；支撑单元，与所述谐振单元的位移节点耦合，用于支撑所述谐振单元悬空；电极，设置于所述谐振单元外围；其中，所述电极与所述谐振单元具有一间隙层，用于所述谐振单元与所述电极之间的机电转换。所述环形结构酒杯模态射频微机电谐振器相比于现有技术的谐振器，热弹性损耗更低，Q值更高，插入损耗更低、高频率稳定性更高，放宽了后级放大电路的增益需求，系统功耗及噪声更低，器件尺寸更小，更有利于器件大规模低成本生产，可用于构建射频系统中的多种高性能射频器件，具备广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117310571A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311250834.3
申请日：2023-09-26
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： G01R33/028 , G01R33/02 , B81B7/02
摘要： 本公开提供一种MEMS磁场传感器、双轴磁场传感器和多轴磁场传感器，MEMS磁场传感器包括：基板；支撑组件，设置在基板上，支撑组件包括：多个基座；移动板，适用于承载敏感元件，敏感元件适用于感应外部磁场的变化；多个折叠梁，设置在移动板的相对的两侧，折叠梁连接在移动板和基座之间，折叠梁适用于受外部磁场的变化的影响驱动移动板在水平方向和竖直方向进行移动；换能组件，包括多个梳齿单元，梳齿单元包括动梳齿和定梳齿，通过改变动梳齿和定梳齿之间的间隙或者改变动梳齿和定梳齿的正对面积，将磁场的变化转化为电容的变化，从而得到外部磁场的强度；电极，设置在基座上，电极适用于在MEMS磁场传感器与外部的检测电路相连时形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN111490740B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201910088450.3
申请日：2019-01-29
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开了一种阵列化的分布式兰姆模态射频微机电谐振器，包括：配置为工作在分布式兰姆模态下的谐振单元，该谐振单元的顶角、边缘及内部均具有位移节点，实现该谐振单元的位置固定，该谐振单元在振动过程中的总体积保持不变；耦合梁，该耦合梁与谐振单元同属分布式兰姆模态，共同组成阵列式谐振结构；支撑梁，一端与谐振结构中谐振单元顶角或边缘处的位移节点相连，另一端固定在一基座上，实现谐振结构的悬空；多电极结构，配置于谐振单元侧面，通过一介质层与谐振单元相隔，以及该介质层，用作阵列式谐振结构的机电转换介质。本发明提供的谐振器在大尺寸下保持高频率，降低工艺难度，实现动态电阻，提升Q值，保证频谱纯净，减小系统功耗。
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公开(公告)号：CN113086943B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202110353170.8
申请日：2021-03-31
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 一种微纳射频器件及制备方法，方法包括：在SOI片上生长隔离层；图形化隔离层，以在SOI片上形成谐振单元、电极引线、信号屏蔽层及封装环；在谐振单元的侧壁生长微纳级间隔层；去除电极引线、信号屏蔽层及封装环表面的隔离层，在SOI表面生长一层导电层，对导电层图形化，保留电极引线、信号屏蔽层、封装环部分上的导电层，以及在谐振单元与电极引线之间形成输入电极及输出电极；去除谐振单元表面的隔离层及SOI片上正对谐振单元的绝缘层。该方法可在微纳射频器件谐振单元侧壁制备微纳级间隔层，进而实现微纳级电容间隙，突破微纳射频器件机电转换效率低、驱动电压高等技术瓶颈，且制备垂直引线结构，可实现低寄生、小尺寸封装。
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公开(公告)号：CN113504394A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110787431.7
申请日：2021-07-12
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本公开提供了一种镀膜探针的圆片级制备方法及镀膜探针，制备方法包括：在圆片级的衬底上形成针尖图形掩膜和补偿结构图形掩膜；形成针尖原胚结构和补偿结构；锐化针尖；背面各向异性深刻蚀体硅层；正面刻蚀埋氧层的裸露区域及体硅层；去除正面深刻蚀掩膜层和背面深刻蚀掩膜层，形成基座和悬臂梁；在针尖的表面镀膜，形成镀膜针尖，完成镀膜探针的圆片级制备。采用该种制备方法，实现了探针的可靠制备，该方法操作简单、可靠；通过优化薄膜沉积条件，实现三维结构中不同功能薄膜材料的保形沉积，可广泛应用于原子探针、纳米针尖阵列等的制作中。
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公开(公告)号：CN109847817B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910121016.0
申请日：2019-02-18
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： B01L3/00
摘要： 本公开提供了一种微流控芯片，包括：盖板(1)，盖板(1)上设置有进液孔(3)、出液孔(4)和微电极阵列(5)，微电极阵列(5)设置在进液孔(3)和出液孔(4)之间，并且，微电极阵列(5)包括电极对(6)、传输线(7)和输入电极(8)，输入电极(8)经传输线(7)与电极对(6)相连；基板(2)，基板(2)上设置有微流道通道(9)、第一对准孔(10)和第二对准孔(11)；其中：盖板(1)与基板(2)键合时，进液孔(3)与第一对准孔(10)对准，出液孔(4)与第二对准孔(11)对准，微电极阵列(5)与微流道通道(9)对准。本公开还提供了一种微流控芯片的制备方法。
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公开(公告)号：CN111355459A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010226174.5
申请日：2020-03-26
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 一种基于电化学腐蚀的MEMS谐振器频率修调方法，该方法包括将MEMS谐振器与金属电极相连后放入电解质溶液中，其中，金属电极与MEMS谐振器的谐振单元在电解质溶液中形成原电池，使谐振单元发生电化学腐蚀反应形成多孔结构，从而改变谐振器谐振频率，达到频率修调的目的。本发明只需将具有金属电极的谐振器放入电解质溶液内，通过电化学腐蚀改变材料的力学特性达到谐振器频率的改变，具有损伤小、频率修调范围宽、简单可靠和低成本等优势，且方法操作简便，无需对谐振单元进行额外设计，可广泛适用于各类MEMS谐振器的频率修调中。
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