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公开(公告)号：CN112710405A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011461453.6
申请日：2020-12-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01K7/16
摘要： 本发明实施例提供一种温度传感器，属于传感器技术领域。所述温度传感器包括：具有谐振腔的基板；悬臂梁，该悬臂梁位于所述谐振腔中，一端固定在所述基板上；金属层，位于所述悬臂梁的表面，温度变化时，与悬臂梁共同作用产生静态弯曲量；惠斯通电桥，包括至少一个U型可变压阻，该可变压阻位于所述悬臂梁的固定端应力最大处，用于将所述静态弯曲量转换为电信号。通过本发明提供的技术方案，能够实现对环境温度的快速高灵敏度、高精度的检测。
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公开(公告)号：CN112710405B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202011461453.6
申请日：2020-12-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01K7/16
摘要： 本发明实施例提供一种温度传感器，属于传感器技术领域。所述温度传感器包括：具有谐振腔的基板；悬臂梁，该悬臂梁位于所述谐振腔中，一端固定在所述基板上；金属层，位于所述悬臂梁的表面，温度变化时，与悬臂梁共同作用产生静态弯曲量；惠斯通电桥，包括至少一个U型可变压阻，该可变压阻位于所述悬臂梁的固定端应力最大处，用于将所述静态弯曲量转换为电信号。通过本发明提供的技术方案，能够实现对环境温度的快速高灵敏度、高精度的检测。
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公开(公告)号：CN112710706A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011443736.8
申请日：2020-12-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司
IPC分类号： G01N27/22
摘要： 本发明实施例提供一种湿度传感器，属于传感器技术领域。所述湿度传感器包括：第一电极、第二电极、湿度敏感材料层；所述湿度敏感材料层位于第一电极和第二电极之间；所述第二电极为多孔电极，开孔的形状为圆形或三角形。通过本发明提供的技术方案，能够实现对环境湿度的高灵敏度、高精度的检测，同时提高了传感器的可集成度与稳定性能。
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公开(公告)号：CN113866690B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202111453598.6
申请日：2021-12-01
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
摘要： 本发明涉及磁传感器领域，提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器，包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结；所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应，利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量，相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器，灵敏度更高，易于集成。
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公开(公告)号：CN114325303A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111405410.0
申请日：2021-11-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供一种砷化镓芯片开封方法，属于芯片技术领域。该方法包括如下步骤：S1：打磨砷化镓芯片的目标开封区域至粗糙；S2：将混酸液滴在打磨粗糙的目标开封区域，加热砷化镓芯片使其处于目标温度，自所述目标开封区域发生反应产生棕红色水泡起计时，至反应第一预设时间止，清洗砷化镓芯片；S3：重复执行S2，直至肉眼可见砷化镓芯片表面；S4：将反应时间调整为第二预设时间，重复执行S2，直至所述目标开封区域不再发生反应，清洗砷化镓芯片后完成开封，得到暴露出砷化镓芯片表面电路的芯片。对目标开封区域进行打磨能够去除表面的氧化层及脏污，能够限制反应区域，实现局部开封，利用封装体保护砷化镓衬底，阻止酸液与砷化镓反应。
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公开(公告)号：CN114019220B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210014419.7
申请日：2022-01-07
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种电流检测器及电路，电流检测器包括：外壳及至少一组磁体，所述磁体位于所述外壳内，每组磁体包括：第一磁芯、第二磁芯、第一激励线圈、第二激励线圈及感应线圈；所述第一磁芯和第二磁芯对称耦合；所述第一激励线圈缠绕所述第一磁芯，用于产生第一激励磁场；所述第二激励线圈缠绕所述第二磁芯，用于产生第二激励磁场；所述第一激励线圈和第二激励线圈为反向串连连接；所述感应线圈缠绕于所述第一磁芯和第二磁芯的耦合中轴，用于感应待测导体产生感应磁场。所述电流检测器测量灵敏度高、抗干扰能力强，并且结构简单、加工难度较低，成本较低。
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公开(公告)号：CN113990866A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111622482.0
申请日：2021-12-28
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，所述硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第三区、第二N+区及第二P+区，所述第三区为第三P+区或第三N+区；所述第一N+区和第一P+区均与所述硅控整流器的阳极相连；所述第二N+区和第二P+区均与所述硅控整流器的阴极相连。所述硅控整流器具有更强的泄放电流的能力，大大提升了防护能力。
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公开(公告)号：CN113964188A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111571321.3
申请日：2021-12-21
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法。所述横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底、栅极区、源极区、漏极区、P型体区以及位于所述衬底上的N型阱区、P型阱区和N型漂移区，还包括：离子注入形成的P型漂移区；所述P型漂移区位于所述N型阱区内，所述P型漂移区与所述P型体区之间存在预设距离。本发明在N型阱区内增加P型漂移区，P型漂移区与N型阱区的接触面构成PN结，P型漂移区与N型漂移区形成双重RESURF结构，降低器件的表面电场，并且能够承担更高的击穿电压，维持较低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN113889163A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111485264.7
申请日：2021-12-07
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明实施例提供一种翻转概率可控的随机磁隧道结器件及应用方法，属于半导体器件领域。所述器件包括：基础磁隧道结三明治结构，自上而下包括参考层、隧穿势垒层和自由层；位于所述参考层上方的顶端电极，所述顶端电极具有顶端电极端口；位于所述自由层下方的调控层，用于为所述自由层提供偏置磁场，所述调控层包括重叠布置的交换偏置场层和底端电极；所述底端电极两端分别具有底端第一电极端口和底端第二电极端口；所述顶端电极端口、所述底端第一电极端口和所述底端第二电极端口用于单个或任意组合使用以调控所述随机隧道结器件的翻转概率。本发明方案实现了随机磁隧道结器件翻转概率可控。
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公开(公告)号：CN112614536A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011452068.5
申请日：2020-12-09
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供一种MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统，属于存储器领域。所述方法包括：为第一存储阵列分区分配对应的写错误检测区域地址和读错误检测区域地址；生成多个随机数组，将多个随机数组中的每一个随机数组分别在写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中执行一次读写操作，得到第一存储阵列的写错误率测量值；生成固定数组，将固定数组写入读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中，执行多次读操作，得到第二存储阵列的读错误率测量值；根据写错误率基础值、读错误率基础值、写错误率测量值和读错误率测量值，判断第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区当前的温度范围。
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