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公开(公告)号：CN110504185B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201910798587.8
申请日：2019-08-27
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种ESD保护单元的测试及加固方法，ESD保护单元设置在待测试芯片中，包括：对待测试芯片施加ESD放电应力；对待测试芯片的管脚进行监测，根据监测结果判断是否为ESD失效；若判断结果为ESD失效，则对待测试芯片进行开封，通过结构分析确定待测试芯片的ESD保护单元中的失效点；对ESD保护单元中的失效点进行加固仿真测试；在测试结果满足要求时，对待测试芯片进行加固；对加固后的芯片重新施加ESD放电应力，并进行监测，直至结果判断为ESD有效为止。本实施例提供的ESD保护单元的测试及加固方法，通过EDA软件对ESD保护单元进行仿真测试，保证芯片通过ESD设计要求并在正常工作状态下具备较高的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN110504185A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910798587.8
申请日：2019-08-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种ESD保护单元的测试及加固方法，ESD保护单元设置在待测试芯片中，包括：对待测试芯片施加ESD放电应力；对待测试芯片的管脚进行监测，根据监测结果判断是否为ESD失效；若判断结果为ESD失效，则对待测试芯片进行开封，通过结构分析确定待测试芯片的ESD保护单元中的失效点；对ESD保护单元中的失效点进行加固仿真测试；在测试结果满足要求时，对待测试芯片进行加固；对加固后的芯片重新施加ESD放电应力，并进行监测，直至结果判断为ESD有效为止。本实施例提供的ESD保护单元的测试及加固方法，通过EDA软件对ESD保护单元进行仿真测试，保证芯片通过ESD设计要求并在正常工作状态下具备较高的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN216449667U
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202122636880.X
申请日：2021-10-29
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本实用新型实施例提供一种浪涌测试设备，属于浪涌测试技术领域。所述浪涌测试设备包括：第一脉冲发生电路，用于输出第一测试脉冲；第二脉冲发生电路，用于输出第二测试脉冲；第三脉冲发生电路，用于输出第三测试脉冲；所述第一测试脉冲、所述第二测试脉冲和所述第三测试脉冲分别用于不同波形和峰值电压需求场景下的浪涌测试；所述第一脉冲发生电路、所述第二脉冲发生电路和所述第三脉冲发生电路接入同一个用于脉冲发生电路选通的输出切换模块。本实用新型方案实现了一台设配满足多种标准要求的浪涌测试需求。
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公开(公告)号：CN214150856U
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202022976960.5
申请日：2020-12-07
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01R23/16
摘要： 本实用新型提供一种传导射频注入TVS产生的谐波的测试装置，属于半导体器件领域。所述传导射频注入TVS产生的谐波的测试装置包括：信号源、输出滤波器和频谱分析仪，信号源的输出端与待测TVS器件的第一端连接，待测TVS器件的第一端与输出滤波器的输入端连接，信号源的输出端还与输出滤波器的输入端连接，输出滤波器的输出端与频谱分析仪的输入端连接，待测TVS器件的第二端接地。该装置通过信号源产生射频信号定向传导注入到TVS，然后通过频谱分析仪测量TVS产生的谐波信号的大小，实现在TVS器件应用前评估不同型号或不同厂家的TVS的非线性特性产生的谐波值，以实现对整机产品造成可能的额外谐波干扰的量化的评估。
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公开(公告)号：CN116647219A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310475218.1
申请日：2023-04-27
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 灿芯创智微电子技术(北京)有限公司
IPC分类号： H03K17/567 , H03K17/04 , H03K17/081
摘要： 本发明涉及芯片领域，公开了一种IGBT驱动电路、用于驱动IGBT的方法及芯片，该IGBT驱动电路包括：阶段确定模块，用于确定IGBT是否处于导通阶段的电流上升阶段或者关断阶段的电压上升阶段；以及驱动电压控制模块，用于：在IGBT处于电流上升阶段的情况下，控制施加至IGBT的门极的驱动电压小于开始导通驱动电压，其中，开始导通驱动电压为在导通阶段开始时施加至门极的驱动电压；以及在IGBT处于电压上升阶段的情况下，控制施加至门极的驱动电压大于开始关断驱动电压，其中，开始关断驱动电压为在关断阶段开始时施加至门极的驱动电压。藉此，实现了兼具抑制电流尖峰和电压尖峰、降低开关损耗和抑制EMI三者的优势。
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公开(公告)号：CN217360199U
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202221900073.2
申请日：2022-07-22
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本公开涉及芯片测试技术领域，具体涉及一种芯片测试探头定位系统。所述芯片测试探头定位系统包括：控制组件、三轴定位组件、测试探头与视觉组件；其中，所述测试探头、视觉组件安装在所述三轴定位组件上；所述三轴定位组件、测试探头分别与所述控制组件电连接。上述技术方案是在三轴定位组件上安装测试探头和视觉组件，三轴定位组件方便操作者在测试时实现测试探头的精准定位，视觉组件方便操作者对测试探头和芯片管脚的对位情况做进一步确认。解决了现有技术中操作者仅仅以肉眼识别方式将测试探头和芯片管脚对位，误差较大，且测试效率低的问题。
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公开(公告)号：CN217133315U
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202221569265.X
申请日：2022-06-22
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种芯片电磁兼容抗扰度核查系统，包括：测试信号生成装置，输出测试信号；辐射天线，和所述测试信号生成装置电性连接；包含探头的芯片工装板，所述芯片工装板位于所述辐射天线内，所述探头位于所述芯片工装板的待安装芯片位置，所述芯片工装板的待安装芯片位置未安装芯片；测量仪表，和所述探头电性连接，从而对芯片的电磁兼容抗扰度测试环境进行核查、校准，防止测试环境失常，提高测试准确性。
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公开(公告)号：CN216485390U
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202220786316.8
申请日：2022-04-07
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本实用新型实施例提供一种芯片管脚耦合电压测试系统，属于芯片管脚测试领域。所述芯片管脚耦合电压测试系统应用于有界波电场中电路板特定芯片管脚耦合的电压测量，所述芯片管脚耦合电压测试系统包括：有界波模拟器，用于形成有界波电场；测试支架，设置在所述有界波电场中，用于固定被测设备；射频线缆，沿与所述有界波电场的方向正交的方向走线，用于引出所述被测设备的测试信号；测试装置，连接在所述射频线缆的末端，用于接收所述测试信号。本实用新型方案避免了进行芯片管脚电压测试时被耦合电压影响的问题，提高了管脚电压测试准确性。
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