-
公开(公告)号：CN109100635A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810756556.1
申请日：2018-07-11
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： G01R31/28 , G01R31/317
摘要： 本发明公开了一种对多通道金属屏蔽布线层进行完整性检测的电路及方法。该电路包括随机数产生电路和信号比对电路。随机数产生电路用于产生随机数序列，每一路随机数均通过两个传输通道进行传输，所述两个传输通道分别为所述多通道金属屏蔽布线层和所述芯片的下层金属线；信号比对电路对所述两个传输通道输出至所述信号比对电路的随机数信号进行比对，当比对失败的次数超过一定数值，则认为该芯片的多通道金属屏蔽布线层受到攻击并产生报警信号。所述对多通道金属屏蔽布线层进行完整性检测的电路及方法能够准确地检测多通道金属屏蔽布线层是否受到攻击，避免走线内信号干扰造成的误判。
-
公开(公告)号：CN110364210B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910664971.9
申请日：2019-07-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院
摘要： 本发明公开了一种基于LUT结构的双轨预充电AND‑NAND单元，包括：单轨LBDL逻辑与门，其包括第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2和第一反相器I1；以及单轨LBDL逻辑与非门，其包括第四PMOS晶体管P4，第五PMOS晶体管P5、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4，第五NMOS晶体管N5和第二反相器I2。本发明的双轨预充电AND‑NAND单元使用更少的晶体管，占用更少的版图面积，同时保证了优秀的抗DPA攻击能力。
-
公开(公告)号：CN109100635B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201810756556.1
申请日：2018-07-11
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： G01R31/28 , G01R31/317
摘要： 本发明公开了一种对多通道金属屏蔽布线层进行完整性检测的电路及方法。该电路包括随机数产生电路和信号比对电路。随机数产生电路用于产生随机数序列，每一路随机数均通过两个传输通道进行传输，所述两个传输通道分别为所述多通道金属屏蔽布线层和所述芯片的下层金属线；信号比对电路对所述两个传输通道输出至所述信号比对电路的随机数信号进行比对，当比对失败的次数超过一定数值，则认为该芯片的多通道金属屏蔽布线层受到攻击并产生报警信号。所述对多通道金属屏蔽布线层进行完整性检测的电路及方法能够准确地检测多通道金属屏蔽布线层是否受到攻击，避免走线内信号干扰造成的误判。
-
公开(公告)号：CN110364210A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910664971.9
申请日：2019-07-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院
摘要： 本发明公开了一种基于LUT结构的双轨预充电AND-NAND单元，包括：单轨LBDL逻辑与门，其包括第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2和第一反相器I1；以及单轨LBDL逻辑与非门，其包括第四PMOS晶体管P4，第五PMOS晶体管P5、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4，第五NMOS晶体管N5和第二反相器I2。本发明的双轨预充电AND-NAND单元使用更少的晶体管，占用更少的版图面积，同时保证了优秀的抗DPA攻击能力。
-
公开(公告)号：CN110119640A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910427488.9
申请日：2019-05-22
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G06F21/75
摘要： 本发明公开了一种双轨预充电逻辑单元及其预充电方法，该双轨预充电逻辑单元对现有的双轨预充电逻辑单元中的单轨LBDL逻辑与门以及单轨LBDL逻辑非门分别进行了改进，改进后的该双轨预充电逻辑单元共包括N1～N12，P1～P12，I1～I2共28个晶体管，相比于现有的双轨预充电逻辑单元本发明采用了更少的晶体管、占用更少的版图面积，同时保证了逻辑单元的抗DPA攻击能力。
-
公开(公告)号：CN109101814A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810756557.6
申请日：2018-07-11
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： G06F21/55
摘要： 本发明公开了一种对电路的硬件木马进行检测的方法、系统及芯片，该检测方法将存在内在逻辑关系的低活性节点之间作为片上自检测单元的植入位置并在植入片上自检测单元；当存在内在逻辑关系的低活性节点达到稀有状态时，片上自检测单元在线监测低活性节点之间的内在逻辑关系是否发生变化，若该内在逻辑关系被打破，则认为存在硬件木马。该对电路的硬件木马进行检测的方法、系统及芯片在不需要借助外部测试设备和工具、不破坏原始电路功能的前提下高效地检测硬件木马。
-
公开(公告)号：CN110119640B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201910427488.9
申请日：2019-05-22
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G06F21/75
摘要： 本发明公开了一种双轨预充电逻辑单元及其预充电方法，该双轨预充电逻辑单元对现有的双轨预充电逻辑单元中的单轨LBDL逻辑与门以及单轨LBDL逻辑非门分别进行了改进，改进后的该双轨预充电逻辑单元共包括N1～N12，P1～P12，I1～I2共28个晶体管，相比于现有的双轨预充电逻辑单元本发明采用了更少的晶体管、占用更少的版图面积，同时保证了逻辑单元的抗DPA攻击能力。
-
公开(公告)号：CN109101814B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201810756557.6
申请日：2018-07-11
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： G06F21/55
摘要： 本发明公开了一种对电路的硬件木马进行检测的方法、系统及芯片，该检测方法将存在内在逻辑关系的低活性节点之间作为片上自检测单元的植入位置并在植入片上自检测单元；当存在内在逻辑关系的低活性节点达到稀有状态时，片上自检测单元在线监测低活性节点之间的内在逻辑关系是否发生变化，若该内在逻辑关系被打破，则认为存在硬件木马。该对电路的硬件木马进行检测的方法、系统及芯片在不需要借助外部测试设备和工具、不破坏原始电路功能的前提下高效地检测硬件木马。
-
公开(公告)号：CN118443968A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410402456.4
申请日：2024-04-03
申请人： 天津大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G01P15/105 , G01P1/00
摘要： 本发明涉及电子传感器领域，提供一种隧道磁阻加速度计，包括支撑结构、质量块、线圈、弹性梁以及四个隧道磁阻元件，质量块与弹性梁相连，质量块悬空设于支撑结构上，线圈设于质量块的表面，四个隧道磁阻元件设置于支撑结构的表面，且对称分布于质量块的四周，其中两个隧道磁阻元件所在的直线平行于X方向，另外两个隧道磁阻元件所在的直线平行于Y方向。质量块能够在X方向、Y方向或Z方向的加速度作用下运动以带动线圈运动。四个隧道磁阻元件中每两个隧道磁阻元件构成差分磁场检测结构，能够感应线圈运动状态变化下产生的磁场变化，通过测量磁场变化值实现单轴向、双轴向(X和Y)或三轴向(X、Y和Z)加速度的高精度检测。
-
公开(公告)号：CN115618801B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211527653.6
申请日：2022-12-01
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 天津大学
IPC分类号： G06F30/398 , G06F30/33
摘要： 本发明涉及芯片技术领域，其实施方式提供了一种缓存一致性检验方法、装置及电子设备。其中一种缓存一致性检验方法，包括：根据缓存模块在执行缓存指令时的硬件状态集合构建所述缓存模块对应的状态机模型；根据所述状态机模型在基于缓存一致性协议下的行为特征构建验证属性；将所述状态机模型和所述验证属性输入基于时间自动机的模型检测器，根据所述模型检测器的输出得到缓存一致性验证结果。本发明提供的实施方式提升了基于测试向量的仿真技术的完备性和协议级别验证的可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
13 条记录 (耗时 0.131 秒)
