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公开(公告)号：CN115436848A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211067437.8
申请日：2022-09-01
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明实施例提供一种磁性隧道结和磁性隧道结传感器，属于传感器技术领域。所述磁性隧道结包括：依次层叠设置的第一电极层、第一磁性层、隧穿势垒层、第二磁性层和第二电极层；其中，所述隧穿势垒层的材料与所述第一磁性层和所述第二磁性层的材料的晶格失配度低于1％。通过本发明实施例，可以减少磁性层和势垒层之间的界面位错和势垒缺陷，增加磁性隧道结的TMR值，提高磁性隧道结的灵敏度以及温度的稳定性。
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公开(公告)号：CN111650434B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202010594703.7
申请日：2020-06-25
申请人： 北京博纳电气股份有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种单相智能电能表采用PCB式电流传感器计量的方法，该方法运用PCB式电流传感器代替传统的电流互感器进行智能电能表电流采样，当电能表计量电流时，电流传感器将电流转换为满足计量芯片采样通道的小电压信号，计量芯片AD转换进一步得到寄存器值，最终通过转换公式得出电流值；同时，在采样电流较大电流传感器灵敏度受温度影响时，运用矫正方法来进行温度补偿，使得电流传感器精确采样电流且免受直流分量影响。本发明的有益效果是，结构简单，成本低廉，可更好与电能表主板进行兼容装配。
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公开(公告)号：CN111650434A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010594703.7
申请日：2020-06-25
申请人： 北京博纳电气股份有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种单相智能电能表采用PCB式电流传感器计量的方法，该方法运用PCB式电流传感器代替传统的电流互感器进行智能电能表电流采样，当电能表计量电流时，电流传感器将电流转换为满足计量芯片采样通道的小电压信号，计量芯片AD转换进一步得到寄存器值，最终通过转换公式得出电流值；同时，在采样电流较大电流传感器灵敏度受温度影响时，运用矫正方法来进行温度补偿，使得电流传感器精确采样电流且免受直流分量影响。本发明的有益效果是，结构简单，成本低廉，可更好与电能表主板进行兼容装配。
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公开(公告)号：CN110398522A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910799649.7
申请日：2019-08-28
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯的集成化气敏传感单元及其制备方法，包括：制作Si+SiO2衬底；在所述Si+SiO2衬底上溅射Ti/Pt电极；转移石墨烯至所述Si+SiO2衬底上；在所述石墨烯上制作NH3敏感部、H2敏感部和NO2敏感部；以及用丙酮浸泡，并去除光刻胶。借此，本发明的基于石墨烯的集成化气敏传感单元的制备方法，集成了三种气敏传感单元，且成本低，工艺简单。
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公开(公告)号：CN108226824A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810015110.3
申请日：2018-01-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 江苏多维科技有限公司
摘要： 本发明提出了一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片，包括TMR磁电阻桥，聚磁层、ASIC芯片、引线框架、键合引线及封装体；TMR磁电阻桥由至少一个磁电阻桥臂构成，每个磁电阻桥臂由一个磁电阻结构成或者由多个磁电阻结串联构成；磁电阻结包括底部电极层、种子层、钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层、偏置层、保护层及顶部电极层；聚磁层，用于使TMR磁电阻的灵敏方向垂直于TMR和ASIC全集成电流传感器芯片的表面；所述ASIC芯片与所述TMR磁电阻桥位于所述封装体内部。将TMR传感器和ASIC封装在了一个独立的封装体内，最大限度地减少了电流传感器芯片的外围器件，能减小系统的设计难度，提高装配效率。
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公开(公告)号：CN117269716A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310961952.9
申请日：2023-08-01
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明实施例提供一种基于MCU的磁传感芯片测试装置及测试方法，属于磁传感芯片测试技术领域。所述装置包括：MCU单元，以及与MCU单元连接的被测芯片多方向单元、芯片电源单元、控制单元和测量单元。所述装置增加了被测磁传感芯片的样本数量，能够为多颗被测磁传感芯片提供不同的测试方向，实现了磁传感芯片的多个不同方向的同时测试，减少了改变磁传感芯片方向的次数以及变换线圈方向的次数，同时减少了测试组件体积，提高了测试的效率和对磁传感芯片性能评估的完整性。
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公开(公告)号：CN115064420A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210891115.9
申请日：2022-07-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种断路器。该断路器包括：壳体、接线端子和温度传感器，壳体设有端子座，接线端子设于端子座，温度传感器设于接线端子以用于测量接线端子的温度，温度传感器具有引线端，且引线端与接线端子的爬电距离大于等于4mm。根据本发明实施例的断路器，温度传感器设于接线端子，接线端子与引线端的爬电距离大于等于4mm，温度传感器可及时、准确地测量接线端子的温度，并保证温度传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN110132434A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910511011.9
申请日：2019-06-13
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 北京中企智科网络科技有限公司 , 苏州晶讯科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于无源温度芯片传感器的温度监测及分析系统，用以对干式空心电抗器进行温度监测及分析，基于无源温度芯片传感器的温度监测及分析系统包括：监控终端、多个无源温度芯片传感器以及供能模块。多个无源温度芯片传感器分别内置于干式空心电抗器内，且多个无源温度芯片传感器用以对干式空心电抗器进行实时温度监测；供能模块与监控终端通信连接，且供能模块与多个无源温度芯片传感器无线通信连接；其中，监控终端通过供能模块接收多个无源温度芯片传感器所实时监测的温度数据，并能够根据温度数据进行分析。借此，本发明的基于无源温度芯片传感器的温度监测及分析系统，可以无线实时的对电力设备进行温度监测及分析，且可靠性高。
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公开(公告)号：CN115490213B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202211049050.X
申请日：2022-08-30
申请人： 华东师范大学 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC分类号： C01B19/04 , B82Y40/00 , H01M4/58 , H01M10/0525 , H01M10/054
摘要： 本发明涉及电池负极材料技术领域，公开了一种金属有机骨架衍生的VSe2材料及其制备方法和应用。所述方法包括：将含V元素的金属有机骨架和硒粉在惰性气氛下进行热处理，得到所述VSe2材料；其中，所述金属有机骨架材料和硒粉的质量比为1：2‑15，所述热处理温度为400‑550℃。本发明中提供的金属有机骨架衍生的VSe2材料的制备方法，工艺简单，条件温和，制备得到金属有机骨架衍生的VSe2材料具有优异的电化学性能，适合放大生产。
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公开(公告)号：CN115490213A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211049050.X
申请日：2022-08-30
申请人： 华东师范大学 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC分类号： C01B19/04 , B82Y40/00 , H01M4/58 , H01M10/0525 , H01M10/054
摘要： 本发明涉及电池负极材料技术领域，公开了一种金属有机骨架衍生的VSe2材料及其制备方法和应用。所述方法包括：将含V元素的金属有机骨架和硒粉在惰性气氛下进行热处理，得到所述VSe2材料；其中，所述金属有机骨架材料和硒粉的质量比为1：2‑15，所述热处理温度为400‑550℃。本发明中提供的金属有机骨架衍生的VSe2材料的制备方法，工艺简单，条件温和，制备得到金属有机骨架衍生的VSe2材料具有优异的电化学性能，适合放大生产。
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