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公开(公告)号:CN118501525A
公开(公告)日:2024-08-16
申请号:CN202410429745.3
申请日:2024-04-10
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网智能电网研究院有限公司 , 国网四川省电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
摘要: 本发明提供一种电流传感器芯片、制作方法和电路,涉及电流传感器芯片领域,电流传感器芯片包括:衬底;检测电路层,形成于衬底上表面,隧穿磁阻呈之字形形成于检测电路层,隧穿磁阻被配置为检测垂直于检测电路层所在平面的磁场;待测电路层,形成于检测电路层上表面,待测电流电路呈之字形形成于待测电路层,且待测电流电路的延伸线与隧穿磁阻的延伸线在电流传感器芯片的高度方向垂直。通过本发明提供的芯片,能够扩大电流传感器的电流检测范围,适用于多种不同的应用和工业场合,减少设备对多个不同范围的电流传感器的应用需求,降低设备的总体成本,确保电流传感器在整个工作范围内都能可靠地工作,从而提高整个设备的可靠性。
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公开(公告)号:CN118409131A
公开(公告)日:2024-07-30
申请号:CN202410429747.2
申请日:2024-04-10
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网智能电网研究院有限公司 , 国网四川省电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
摘要: 本发明提供一种电流传感器芯片和电路,涉及电流传感器领域,电流传感器芯片包括:一体集成的电流传感单元和信号处理电路;电流传感单元内形成有隧穿磁阻,电流传感单元用于对线圈内流动的电流进行检测,并输出初始检测信号;信号处理电路与电流传感单元连通,用于对初始检测信号进行信号处理得到目标检测信号,并输出目标检测信号;其中,信号处理包括但不限于:放大初始检测信号、去除初始检测信号中的高频噪声和将初始检测信号转换为数字信号。通过本发明提供的芯片,能够降低电流检测电路的功耗,提高能效,减小噪声,提高电流的测量精度,增强信号稳定性,提高系统可靠性,并且能够缩小电流检测电路的体积,方便测试。
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公开(公告)号:CN113887025A
公开(公告)日:2022-01-04
申请号:CN202111088795.2
申请日:2021-09-16
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号: G06F30/20 , G06F119/04 , G06F119/06
摘要: 本发明提供一种用于分析芯片老化的模拟仿真方法、装置及系统,属于芯片老化分析领域。所述方法包括:获取芯片上各器件的热网表和第一电网表;根据器件的热网表确定该器件在工作过程中的工作温度;根据器件的第一电网表获取该器件在工作温度下对应的电学参数;根据器件在工作温度下的电学参数,通过模拟仿真得到该器件老化后的性能参数;根据各器件的老化后的性能参数,通过模拟仿真得到所述芯片老化后的性能变化。基于热网表和第一电网表进行仿真得到各个器件在工作温度下老化后的电学参数,然后再根据老化后的电学参数仿真得到芯片老化后的性能参数,在进行芯片老化仿真时充分考虑不同器件各自的温度,使得老化仿真结果更准确。
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公开(公告)号:CN114864666B
公开(公告)日:2023-02-24
申请号:CN202210810588.1
申请日:2022-07-11
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网上海市电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/088
摘要: 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片。所述NLDMOS器件包括:衬底;设于所述衬底上的P型体区与N型漂移区;设于所述N型漂移区上的场氧化层与N型掺杂区;以及设于所述场氧化层与所述N型掺杂区上的栅极,其中,所述N型掺杂区包括所述场氧化层、所述栅极与所述N型漂移区的交界区。本发明中的N型掺杂区可在保证一定的关断状态下的击穿电压(BVoff)下减小NLDMOS器件的导通电阻,同时有效地将电力线密度重新分布以降低交界区的电场峰值,在器件大注入时为漂移区提供额外的净电荷,从而能够使Kirk效应得到有效的抑制,进而提高导通状态下的击穿电压(BVon),即,提高NLDMOS器件的安全工作区和可靠性。
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公开(公告)号:CN113805044B
公开(公告)日:2022-03-08
申请号:CN202111354981.6
申请日:2021-11-16
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号: G01R31/28
摘要: 本发明实施例提供一种芯片可靠性评估方法、装置及芯片,该方法包括测试芯片的抗ESD能力;添加寄生元件和等效器件至芯片的内部电路,组成新电路,其中,所述寄生元件为所述芯片在电磁干扰下产生的电容和/或电感,所述等效器件为芯片封装等效的电阻和/或电感;对所述新电路进行老化测试,以确定所述芯片的老化特性;根据所述芯片的抗ESD能力和所述芯片的老化特性,对所述芯片进行可靠性评估。所述芯片可靠性评估方法实现了芯片在不同电磁干扰下的可靠性的评估。
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公开(公告)号:CN113948411A
公开(公告)日:2022-01-18
申请号:CN202111057876.6
申请日:2021-09-09
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京大学 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心) , 国家电网有限公司
IPC分类号: H01L21/66 , H01L23/544
摘要: 本发明涉及器件可靠性研究领域,提供一种栅氧化层时变击穿测试方法、可靠性测试方法及测试结构。所述栅氧化层时变击穿测试方法包括:将多个氧化层电容的衬底集成为一个共用的测试极并接地,其中所述多个氧化层电容各自的栅氧化层的面积均不相同;在通过同一恒定电压源向各个氧化层电容的栅极同时施加同一恒定电压的条件下,持续测量各个氧化层电容的栅极电流;将氧化层电容的栅极电流发生跳变的时间作为该氧化层电容的栅氧化层击穿时间,直至获得各个氧化层电容的栅氧化层击穿时间。本发明在持续施加恒定电压的情况下一次测试就可以获得多个氧化层电容的栅氧化层击穿时间,在节省测试设备成本的前提下,极大地提高了测试效率。
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公开(公告)号:CN113805044A
公开(公告)日:2021-12-17
申请号:CN202111354981.6
申请日:2021-11-16
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号: G01R31/28
摘要: 本发明实施例提供一种芯片可靠性评估方法、装置及芯片,该方法包括测试芯片的抗ESD能力;添加寄生元件和等效器件至芯片的内部电路,组成新电路,其中,所述寄生元件为所述芯片在电磁干扰下产生的电容和/或电感,所述等效器件为芯片封装等效的电阻和/或电感;对所述新电路进行老化测试,以确定所述芯片的老化特性;根据所述芯片的抗ESD能力和所述芯片的老化特性,对所述芯片进行可靠性评估。所述芯片可靠性评估方法实现了芯片在不同电磁干扰下的可靠性的评估。
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公开(公告)号:CN115948100B
公开(公告)日:2024-04-02
申请号:CN202211651282.2
申请日:2022-12-21
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 天津大学 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心) , 国家电网有限公司
IPC分类号: C09D163/02 , C09D5/08 , C09D109/00 , C09D115/00
摘要: 本发明涉及芯片封装材料领域,公开了一种复合材料组合物及复合材料的制备方法及复合材料和应用。该组合物包含环氧树脂、液体橡胶、固化剂和溶剂;其中,所述环氧树脂、所述液体橡胶、所述固化剂和所述溶剂的重量比为1:(0.1‑0.5):(1‑3):(1‑5)。本发明提供的复合材料在3.5%(w/v)的盐水环境下浸泡60天后,阻抗值在6.35E+07Ω以上,静态接触角在60°以上,硬度在60D以上,落重冲击测试的直接抗冲击强度在48cm以上,500g负载下,经1000目砂纸摩擦2000圈后的厚度损失在31%以下,具有良好的防腐性能,同时具有良好的机械性能和耐磨性能。
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公开(公告)号:CN116953336B
公开(公告)日:2024-01-19
申请号:CN202311221481.4
申请日:2023-09-21
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
摘要: 本发明提供一种电流传感器芯片、制作方法和电路,涉及半导体领域,制造方法包括:基板;待测电路层,形成于所述基板上表面,待测电流电路呈之字形形成于所述待测电路层;检测电路层,形成于所述待测电路层上表面,所述检测电路层上形成有惠斯通全桥电路,所述惠斯通全桥电路包括四个互连的隧穿磁阻,相邻两个隧穿磁阻之间的金属线接入上电极或接入下电极,每一隧穿磁阻均与待测电流电路在芯片纵向方向重合设置。通过本发明提供的芯片,能够将电流电路引入电流传感器芯片内部,与惠斯通全桥电路形成一体化设计,避免外部机械封装引线等工艺带来的性能干扰,降低噪声影响,提升电流传感器灵敏度。
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公开(公告)号:CN117050298A
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202310903035.5
申请日:2023-07-21
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
摘要: 本发明涉及电磁屏蔽材料技术领域,公开了一种尼龙改性树脂及其制备方法、电磁屏蔽材料及电子设备。所述尼龙改性树脂中含有含氟原子和/或全氟烷基的苯基,可以显著改善电磁屏蔽材料的机械性能、耐温性能、吸水性能和屏蔽性能。
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