一种石墨烯/金属复合扩热板的钎焊制备工艺

    公开(公告)号:CN117483895A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311400752.2

    申请日:2023-10-26

    IPC分类号: B23K1/19 B23K1/008 B23K3/08

    摘要: 本发明公开了一种石墨烯/金属复合扩热板的钎焊制备工艺,属于大功率器件散热技术领域。所述扩热板包括石墨烯板、铝合金盖板、槽形铝合金底板和Sn基软钎料层。其中,石墨烯板与铝合金盖板及石墨烯板与槽形铝合金底板之间的连接用Sn基软钎料通过钎焊方式焊接在一起。一方面,本发明将高导热石墨烯板封装在铝合金结构中间,避免了石墨烯板表面易掉粉造成器件短路的缺点。另一方面,在石墨烯板和铝合金表面制备的镀膜可改善钎料在其表面的润湿性,实现石墨烯和铝合金的焊接。本发明能够将大功率器件的热量及时导出,具有较好的散热效果,保证设备的安全运行和工作。

    一种单晶高温合金单晶化连接或修复材料及其工艺

    公开(公告)号:CN116988164A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202310767691.7

    申请日:2023-06-27

    IPC分类号: C30B33/06 B23P6/00

    摘要: 本发明公开了一种单晶高温合金单晶化连接或修复材料及其工艺。该连接或修复材料包括低熔组分粉末和高熔组分粉末,两组分的总成分为等同或近似单晶高温合金成分;连接或修复过程中低熔组分粉末熔化形成液相,再与高熔组分粉末和单晶高温合金母材发生固‑液互扩散,在连接层或修复区内部的单晶组织逐渐外延生长,最终获得单晶化连接层或修复区。本发明的单晶化连接或修复材料的总成分为等或近单晶高温合金成分,各组分所含元素均为目前单晶高温合金成分体系中常用的非微量元素,通过对各元素的作用分析与多元化设计,设计出了无B、Si等降熔元素的低熔组分,配合加入对应成分的高熔组分,从根本上避免了低熔点化合物(硼化物、硅化物等)的形成。

    一种异向单晶高温合金连接方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116786933A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202310767690.2

    申请日:2023-06-27

    摘要: 本发明公开了一种异向单晶高温合金连接方法,该连接方法采用直接从单晶高温合金母材成分中分离出来的低熔合金组分和高熔合金组分,且低熔合金组分和高熔合金组分配合后形成与母材成分相等/近似的连接材料,连接时将连接材料粉末与有机溶剂搅拌均匀成膏状,均匀涂抹制备成异向镍基单晶高温合金待连接件的表面,用夹具固定后;置于真空钎焊炉内进行钎焊,炉温降至室温后,得到非单晶高温合金连接层的异向单晶高温合金连接件。本发明的连接材料中不含降熔元素,所以连接层不存在富Si和B脆性化合物或共晶组织;接头的成分均匀化过程属于大扩散面积、短扩散距离的快速扩散机制,因而可以大大加快连接过程的动力学。

    一种基于Cu6Sn5取向复合涂层制备的Cu/SnAgCu/Cu钎焊方法

    公开(公告)号:CN114905106A

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202210561903.1

    申请日:2022-05-23

    摘要: 一种基于Cu6Sn5取向复合涂层制备的Cu/SnAgCu/Cu钎焊方法,属于电子封装软钎焊技术领域。本发明以SnAgCu钎料和Cu基板组成的Cu/SnAgCu/Cu钎焊体系为对象,在Cu基板表面制备低表面能晶体取向/高表面能晶体取向的Cu6Sn5取向复合涂层,再采用SnAgCu钎料对经过制备Cu6Sn5取向复合涂层的Cu基板进行钎焊连接,获得Cu基板/低表面能Cu6Sn5涂层/高表面能Cu6Sn5涂层/SnAgCu钎料/高表面能Cu6Sn5涂层/低表面能Cu6Sn5涂层/Cu基板结构的钎焊接头。本发明的优点在于,在不引入外来元素(除Sn、Ag、Cu外其它元素)的前提下,改善了Cu/SnAgCu/Cu钎焊体系的润湿性,抑制了钎焊接头界面化合物在时效阶段的过度生长。

    一种单晶高温合金扩散外延生长修复材料及修复方法

    公开(公告)号:CN112962013A

    公开(公告)日:2021-06-15

    申请号:CN202110134105.6

    申请日:2021-01-28

    IPC分类号: C22C30/00 B22F1/00 B23K1/008

    摘要: 本发明提供了一种单晶高温合金表面缺陷扩散外延生长修复材料及修复方法。该修复材料化学成分为:Cr 9.0~22.0wt.%,Co 4.0~9.0wt.%,Mo 1.0~4.0wt.%,W 4.0~8.0wt.%,Al 5.0~12.0wt.%,Ta 24.0~32.0wt.%,Ti 9.0~16.0wt.%,其余为Ni。采用电极感应熔炼气雾化或等离子旋转电极等制粉工艺制备上述成分的合金粉末用于单晶高温合金的扩散外延生长修复。在修复温度为1240~1310℃,保温时间为0.5~3h时,单晶高温合金表面缺陷修复区已实现了单晶化。本发明提出的扩散外延生长修复材料不采用B、Si、Hf、Zr、Ge等元素作为降熔元素,而是通过对单晶高温合金中元素的多元化设计与调控,来获得低熔点的修复材料。采用该修复材料及工艺可在较短保温时间内实现单晶高温合金表面缺陷修复区的单晶化,大幅提升修复过程动力学。

    一种基于Cu5Zn8扩散阻挡层制备的Cu/SnAgCu/Cu钎焊方法

    公开(公告)号:CN118976956A

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202411326998.4

    申请日:2024-09-23

    摘要: 一种基于Cu5Zn8扩散阻挡层制备的Cu/SnAgCu/Cu钎焊方法,属于电子封装软钎焊技术领域。本发明以SnAgCu钎料和Cu基板组成的Cu/SnAgCu/Cu钎焊体系为对象,在Cu基板表面制备Cu5Zn8扩散阻挡层,再采用SnAgCu钎料对制备有Cu5Zn8扩散阻挡层的Cu基板进行钎焊连接,获得Cu基板/Cu5Zn8扩散阻挡层/SnAgCu钎料/Cu5Zn8扩散阻挡层/Cu基板结构的钎焊接头。本发明的优点在于:所制备的Cu5Zn8扩散阻挡层工艺简单、成本低廉,且Cu5Zn8涂层与Cu基板的结合性好,可大幅抑制钎焊接头界面金属间化合物(IMC)在时效阶段的过度生长,同时改善了Cu/SnAgCu/Cu钎焊体系的润湿性。

    一种用于单晶高温合金扩散钎焊的连接材料及其工艺

    公开(公告)号:CN116786968A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202310767688.5

    申请日:2023-06-27

    摘要: 本发明公开了一种用于单晶高温合金扩散钎焊的连接材料及其工艺,该连接材料的化学成分的质量百分比为:Cr 5.0~15.0wt.%,Co 5.0~15.0wt.%,Mo 1.0~3.0wt.%,W 2.0~6.0wt.%,Al 3.0~10.0wt.%,Ta 1.0~10.0wt.%,Ti 3.0~18.0wt.%,余量为Ni和不可避免的杂质。本发明的有益效果是:本发明连接材料进行单晶高温合金的扩散钎焊,在温度为1200~1280℃下热处理,保温10~60min,即完成单晶高温合金扩散钎焊,即为单晶接头,单晶接头在980℃高温下平均抗拉强度可达700MPa以上。本发明提出的连接材料可用于单晶高温合金构件的单晶化连接制造或其表面损伤的单晶化修复。