公开(公告)号：CN117672866A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311662368.X

申请日：2023-12-06

申请人： 北京超弦存储器研究院 ,  北京大学

发明人： 韩德栋 ,  解靖烨 ,  王沁园 ,  易庭甄 ,  许登钦 ,  张兴 ,  刘力锋 ,  王漪

IPC分类号： H01L21/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C14/04 ,  C23C16/04 ,  H01L29/786

摘要： 本发明公开一种面向集成电路应用的氧化物晶体管的制备方法，属于集成电路微纳电子器件领域。该氧化物晶体管的器件结构包括衬底、栅电极、电介质层、氧化物有源层和源/漏电极，涉及底栅结构和顶栅结构两种类型，所述氧化物有源层采用异质结结构，其中下层氧化铟及掺杂氧化铟薄膜采用磁控溅射工艺生长，上层氧化锌及掺杂氧化锌薄膜采用原子层淀积工艺生长，表征显示，所述异质结结构氧化物有源层薄膜具有良好的界面质量。采用本发明制备的氧化物晶体管具有优异的电学性能，器件场效应迁移率超过100厘米平方/伏特·秒，器件综合特性达到国际一流水平，具有广阔的发展前景和实际应用潜力。

公开(公告)号：CN118380384A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410418064.7

申请日：2024-04-09

申请人： 北京超弦存储器研究院 ,  北京大学

发明人： 韩德栋 ,  段瑞斌 ,  方志增 ,  许登钦 ,  张鸣鹤 ,  解靖烨 ,  张兴 ,  刘力锋

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种自对准垂直沟道晶体管结构及其制造方法，属于半导体器件技术领域，该方法包括：提供衬底和二氧化硅层，并对二氧化硅层进行刻蚀，形成二氧化硅凹槽；形成覆盖二氧化硅凹槽底部的共用漏极、覆盖二氧化硅凹槽外部的部分二氧化硅层的上表面的第一晶体管的源极和第二晶体管的源极；形成第二硬掩膜层，在共用漏极、二氧化硅凹槽侧壁、第一晶体管的源极、第二晶体管的源极以及第二硬掩膜层限定的区域采用自对准工艺依次形成有源层、栅介质层和栅极层。本申请提供的方法及其结构，可使得有源层、栅介质层和栅极层完全自对准沉积，保证层间完全对准，且可避免晶体管栅极端与晶体管源端相连从而导致晶体管发生电学短路失效。

公开(公告)号：CN117766404A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311789520.0

申请日：2023-12-22

申请人： 北京超弦存储器研究院 ,  北京大学

发明人： 韩德栋 ,  熊龙海 ,  解靖烨 ,  史建兵 ,  许登钦 ,  张鸣鹤 ,  张兴 ,  刘力锋

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417

摘要： 本发明公开一种铟锌氧化物晶体管的工艺制作方法，属于微纳电子器件领域。本发明可应用于纳米尺寸的氧化物晶体管，通过磁控溅射工艺连续溅射保护层和源/漏电极，所述保护层对有源层与源/漏电极的接触面进行连接，阻挡了源/漏电极材料向有源层的扩散现象，同时优化接触特性，提升氧化物晶体管的性能。本发明步骤简单、制备温度低、且成本低，可有效提升氧化物晶体管的性能，为我国集成电路发展提供技术支撑。

公开(公告)号：CN117410185A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311598365.4

申请日：2023-11-28

申请人： 北京超弦存储器研究院 ,  北京大学

发明人： 韩德栋 ,  易庭甄 ,  解靖烨 ,  许登钦 ,  张鸣鹤 ,  张兴 ,  刘力锋 ,  王漪

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L21/423 ,  H01L21/443 ,  H01L29/786

摘要： 本发明公开了一种氧化物晶体管的制备方法，属于集成电路微纳电子器件领域。本发明在氧化物晶体管的制备过程中，在室温下对器件源/漏接触面进行了等离子体处理，成功提升了氧化物晶体管的迁移率和驱动电压，并改善了源/漏接触面的表面粗糙度。采用本发明制备的氧化物晶体管性能优异，具有实际应用潜力，且工艺步骤简单、制备温度低、成本低。