一种MEMS谐振式传感器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117699731A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311405470.1

    申请日:2023-10-27

    IPC分类号: B81B7/00 B81B7/02 G01D11/00

    摘要: 本发明提供一种MEMS谐振式传感器,包括从下到上依次连接的封装管壳、第一贴片胶、封装级应力隔离结构、第二贴片胶和MEMS谐振式传感器敏感芯片;封装级应力隔离结构包括应力隔离外层安装框架、应力隔离内层安装底块和应力隔离弹性梁;应力隔离外层安装框架底面设置安装凸台,通过贴片胶固定在封装管壳基底上;应力隔离内层安装底块设置有贴片凸台,用于粘接固定MEMS谐振式传感器敏感芯片;应力隔离弹性梁用于连接内层安装底块与外层安装框架,起到机械滤波器作用,隔离应力传递。本发明大大降低了封装管壳与敏感芯片之间的应力传递,降低了谐振式传感器敏感芯片振动能量通过封装管壳的固支能量损耗,保持高品质因数,具有成本低、易于批量加工等特点。

    一种MEMS气压传感器以及提高其长期稳定性的方法

    公开(公告)号:CN108072477A

    公开(公告)日:2018-05-25

    申请号:CN201711268039.1

    申请日:2017-12-05

    IPC分类号: G01L9/00

    摘要: 本发明提供了一种MEMS气压传感器以及提高其长期稳定性的方法,属于MEMS传感器技术领域。所述MEMS气压传感器包括应力隔离衬底,应力隔离衬底由厚度大于气压敏感薄膜的最大特征尺寸的玻璃材料制成,其远离键合连接面的一侧与传感器气压敏感结构气压敏感薄膜相对的位置加工有坑槽结构,该应力隔离衬底与传感器的敏感芯片或者敏感元件的气压敏感结构衬底通过芯片键合工艺组装在一起,用于削减气压敏感结构所受到的由于封装和装配引起的热应力和残余应力,可以优化传感器温度特性和稳定性。此外,对封装有应力隔离衬底的敏感芯片或者敏感元件以及传感器进行高低气压循环处理和高低温度循环处理的方法,可以进一步提高MEMS传感器长期稳定性。

    一种高精度谐振球式压力传感器

    公开(公告)号:CN112556892A

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN202011272096.9

    申请日:2020-11-13

    IPC分类号: G01L1/10 G01L1/00 G01L7/00

    摘要: 本发明提供了一种高精度谐振球式压力传感器,包括谐振球(1)和背腔结构(2),所述谐振球(1)设置于所述背腔结构(2)上表面,所述谐振球(1)功能区嵌入所述背腔结构(2)腔体内,所述谐振球(1)与所述背腔结构(2)在所述背腔结构(2)位置设置有空腔,所述空腔内的所述谐振球(1)和所述背腔结构(2)相对应面上分别设置有电极。谐振球表面电极与背腔结构表面电极成对布置于结构表面上,形成谐振球的驱动电极和检测电极。驱动电极用于将谐振球驱动至相应的振动模态(频率),检测电极用检测不同压力作用下谐振球频率的变化,进而实现压力的测量。

    一种MEMS气压传感器以及提高其长期稳定性的方法

    公开(公告)号:CN108072477B

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN201711268039.1

    申请日:2017-12-05

    IPC分类号: G01L9/00

    摘要: 本发明提供了一种MEMS气压传感器以及提高其长期稳定性的方法,属于MEMS传感器技术领域。所述MEMS气压传感器包括应力隔离衬底,应力隔离衬底由厚度大于气压敏感薄膜的最大特征尺寸的玻璃材料制成,其远离键合连接面的一侧与传感器气压敏感结构气压敏感薄膜相对的位置加工有坑槽结构,该应力隔离衬底与传感器的敏感芯片或者敏感元件的气压敏感结构衬底通过芯片键合工艺组装在一起,用于削减气压敏感结构所受到的由于封装和装配引起的热应力和残余应力,可以优化传感器温度特性和稳定性。此外,对封装有应力隔离衬底的敏感芯片或者敏感元件以及传感器进行高低气压循环处理和高低温度循环处理的方法,可以进一步提高MEMS传感器长期稳定性。

    基于SOI‑MEMS技术的电容式绝压微压气压传感器

    公开(公告)号:CN106568548A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201610964608.5

    申请日:2016-10-27

    IPC分类号: G01L9/12

    CPC分类号: G01L9/12

    摘要: 基于SOI‑MEMS技术的电容式绝压微压气压传感器,涉及一种电容式绝压微压气压传感器敏感芯片领域;包括SOI晶圆器件层、二氧化硅层、SOI晶圆衬底层和键合封装盖板玻璃;其中,SOI晶圆器件层为方形结构,且水平位于底部;二氧化硅层固定安装在SOI晶圆器件层的上表面;SOI晶圆衬底层固定安装在二氧化硅层的上表面;键合封装盖板玻璃固定安装在SOI晶圆衬底层的上表面;避免了电极引线贯穿真空腔封装键合界面,增加微压传感器的真空封装性能和可靠性,传感器的性能指标、一致性、成品率可以得到很好保证;所需微纳工艺简单、实现成本较低。

    一种高精度谐振球式压力传感器

    公开(公告)号:CN112556892B

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202011272096.9

    申请日:2020-11-13

    IPC分类号: G01L1/10 G01L1/00 G01L7/00

    摘要: 本发明提供了一种高精度谐振球式压力传感器,包括谐振球(1)和背腔结构(2),所述谐振球(1)设置于所述背腔结构(2)上表面,所述谐振球(1)功能区嵌入所述背腔结构(2)腔体内,所述谐振球(1)与所述背腔结构(2)在所述背腔结构(2)位置设置有空腔,所述空腔内的所述谐振球(1)和所述背腔结构(2)相对应面上分别设置有电极。谐振球表面电极与背腔结构表面电极成对布置于结构表面上,形成谐振球的驱动电极和检测电极。驱动电极用于将谐振球驱动至相应的振动模态(频率),检测电极用检测不同压力作用下谐振球频率的变化,进而实现压力的测量。