一种碳化硅方镜素坯凹槽加工方法

    公开(公告)号:CN106827255B

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201710036699.0

    申请日:2017-01-18

    摘要: 本发明涉及一种碳化硅方镜素坯凹槽加工方法,利用数控加工中心进行加工,凹槽直径大于Φ378mm,深度大于5mm,底部厚度小于等于6mm,底部距离减重腔上表面中空距离大于60mm,要求加工精度±0.2mm。包括:第一步,利用石蜡填充减重腔中空部分;第二步,选择Φ10‑Φ12mm的聚晶金刚石铣刀,采用螺旋方式进刀,以600‑1200mm/min进给量,0.05‑0.1mm的吃刀量进行加工,逐层去除凹槽坯料;第三步,通过100‑120℃的烘烤将石蜡脱除。本发明可将方镜素坯加工过程中的成品率提高至95%以上,减少烧结后碳化硅方镜的加工量,生产效率可提高3‑5倍。

    一种陶瓷盖板制备方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110357619A

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201910722113.5

    申请日:2019-08-06

    摘要: 本发明涉及一种陶瓷盖板制备方法,属于陶瓷加工技术领域,解决了现有技术中产品的良率低、生产效率低的问题。本发明的陶瓷盖板制备方法包括如下步骤:将氧化锆粉、有机溶剂、分散剂按比例放入球磨机,混合1~12h后,加入粘结剂和增塑剂,继续混合1~25h,制备成浆料;将浆料进行脱泡,浆料粘度升至7500~15000cPs时停止脱泡;调整流延机刮刀高度进行流延,得到流延片;将流延片进行剪裁,采用带有图案模具的冲孔机或冲压机在单层陶瓷流延片上冲出图案;将流延片进行叠层,叠层后进行包裹,真空塑封,将塑封好的样品进行层压;将层压好的样品放置于烧结炉中进行分段脱脂、烧结,制备得到带有图案的陶瓷毛坯。本发明可用于陶瓷盖板的制备。

    一种含内置电极的陶瓷体的热压烧结方法

    公开(公告)号:CN106882967B

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201710084249.9

    申请日:2017-02-16

    摘要: 本发明提供了一种含内置电极的陶瓷体的热压烧结方法,包括以下步骤:步骤一、将陶瓷粉体和分散剂加入溶剂中,制成混合浆料,初次球磨后加入增塑剂和粘结剂,进行二次球磨,制备成陶瓷浆料;步骤二、真空条件下对陶瓷浆料进行除泡,并流延成陶瓷生片;步骤三、陶瓷生片干燥后,在陶瓷生片表面印刷电极浆料;步骤四、印刷电极浆料的陶瓷生片烘干后,置于热压烧结模具中,进行排胶处理;步骤五、排胶后,在陶瓷生片表面铺洒陶瓷粉体;步骤六、对陶瓷生片热压烧结处理。本发明简化了含内置电极层的陶瓷体的制备工艺,省去了印刷电极后的层压等工艺,保证了电极层与陶瓷体上下表面的平行度,适用于小批量、多尺寸的含内置电极层陶瓷体的制备。

    一种碳化硅素坯的加工方法

    公开(公告)号:CN107538603B

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201710736856.9

    申请日:2017-08-24

    IPC分类号: B28B11/00 B28B11/12

    摘要: 本发明涉及一种碳化硅素坯的加工方法,属于陶瓷加工技术领域,解决了现有技术中碳化硅素坯加工过程中容易出现崩边以及加工量预留较大的问题。该加工方法通过加工碳化硅素坯的外形、去除部分预留毛坯、加工至素坯预设厚度、加工通孔等步骤,得到碳化硅素坯。本发明提供的碳化硅素坯的加工方法可用于加工碳化硅素坯。

    一种高热导率氮化铝陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN107188567B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201710438497.9

    申请日:2017-06-12

    IPC分类号: C04B35/581 C04B35/64

    摘要: 一种高热导率氮化铝陶瓷的制备方法,属于氮化铝陶瓷制备技术领域。以氮化铝粉体为主要原料,以无水乙醇为溶剂,通过引入2~6wt%三元烧结助剂经湿法球磨、干燥、造粒、干压、冷等静压、脱脂、烧结后制备得到高热导率氮化铝陶瓷,所得氮化铝陶瓷的热导率在180~230W·m‑1·K‑1,致密度≥99.3%。优点在于,制备得到的氮化铝陶瓷显微结构均匀;制备工艺简单,便于批量化生产。引入的三元烧结助剂可以较好的对氮化铝陶瓷结构性能进行调控,进而实现高热导率氮化铝陶瓷无压烧结的制备。