一种空间型原子层沉积吹扫调整结构及其控制方法

    公开(公告)号:CN118668190A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202411163191.3

    申请日:2024-08-23

    摘要: 本发明涉及一种空间型原子层沉积吹扫调整结构及其控制方法,其包括吹扫刀片系统、挡板系统;吹扫刀片系统包括纵置吹扫刀片和横置吹扫刀片,所述横置吹扫刀片设置在所述纵置吹扫刀片的两端,所述纵置吹扫刀片包括第一纵置吹扫刀片和第二纵置吹扫刀片,其中第一纵置吹扫刀片为前驱体吹扫刀片,前驱体吹扫刀片与第二纵置吹扫刀片间隔设置;挡板系统包括驱动装置和挡板,所述挡板包括第一挡板和第二挡板,其中第一挡板移动设置于前驱体吹扫刀片的两外侧壁上,第二挡板移动设置于横置吹扫刀片的外侧壁上,所述第一挡板和第二挡板在沉积过程中下移防止气体逸散,能够有效提高气体覆盖的均匀性,有助于提高沉积薄膜的质量。

    一种狭缝式涂布模头
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118417124A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410895975.9

    申请日:2024-07-05

    IPC分类号: B05C5/02 B05B5/08

    摘要: 本发明涉及涂布设备技术领域,提供了一种狭缝式涂布模头,包括:模头组件,模头组件包括第一模头、垫片及第二模头,以模头组件的长度方向为X轴,高度方向为Y轴,厚度方向为Z轴,垫片在Z轴方向上夹在第一模头及第二模头之间;两组电极结构,两组电极结构设置于第一模头及第二模头之间,两组电极结构分别位于所述垫片的两端;输液组件,第一模头的侧面开设多个进液孔,输液组件与进液孔连接。解决了狭缝唇口处液体流速不均匀,以及模头厚度和重量较大导致的涂布效果较差的技术问题。

    一种电极延长杆及其应用方法

    公开(公告)号:CN116676581A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202310969441.1

    申请日:2023-08-03

    摘要: 本发明公开了一种电极延长杆及其应用方法,其中电极延长杆包括:电极棒,所述电极棒用于带动样品载体沿电极棒轴向运动;电极底座,所述电极底座设有两个安装孔,所述安装孔用于装配电极棒;环形安装片,所述环形安装片设有两个,且分别固定安装于两根电极棒,所述环形安装片设有环形导槽;样品载体,所述样品载体两端分别安装于两个环形安装片的环形导槽中,所述样品载体的两端可沿环形导槽滑动;其中所述电极底座密封安装于真空设备的底部。可以快速地调节蒸发源到基片的垂直距离,也可以在水平面上灵活地调节蒸发源相对基片的蒸发位点和角度。

    一种光热电和气氛协同的薄膜退火设备及退火工艺

    公开(公告)号:CN115613114A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211535218.8

    申请日:2022-12-02

    发明人: 石磊 付超

    摘要: 一种光热电和气氛协同的薄膜退火设备,包括舱体以及安装在舱体内部的基片台,基片台的上侧设置有安装在舱体内壁上的顶部光源,在基片台的下侧设置有安装在舱体内壁上的底部光源,舱体的前后端均连接有舱门,且舱体的底部连接有排气口,所述排气口连接真空泵,且舱体的右端连接有第一进气口,舱体的左端连接有第二进气口,基片台上设置有温度传感器,且温度传感器电性连接有控制器,控制器电性连接顶部光源和底部光源,还包括设置在基片台上对基片夹持和通电的夹持机构。第一进气口和第二进气口均可连接氮气或者工艺气体。

    一种光电薄膜退火方法和退火设备

    公开(公告)号:CN115458636A

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202211292064.4

    申请日:2022-10-21

    发明人: 付超 石磊 张文君

    摘要: 本发明公开一种光电薄膜退火方法和退火设备,涉及薄膜太阳能电池功能膜层制备领域,其中所述退火方法包括如下步骤:控制退火设备各轴归零,将形成薄膜需要退火的基片放置在设备基片台上;通过激光位移传感器获取激光光路终端与薄膜表面的绝对距离,并调节到合适的数值H1;使用连续激光器通过特定光路对薄膜进行线性加热,同步获取加热区域表面温度信息;根据表面温度信息计算激光参数,使薄膜表面获得需要的温度T1;对薄膜表面进行移动性加热,直至完成基片表面薄膜的退火处理;该方法利用激光快速加热薄膜本体,提升控温精度,能保证薄膜退火效果的情况下不加热基材,减弱了退火温度要求对基材的限制,免去了预热过程,提高退火处理效率。

    一种一体化自供能的钙钛矿发光集成器件

    公开(公告)号:CN110010598A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201910255178.3

    申请日:2019-04-01

    IPC分类号: H01L25/16

    摘要: 本发明公开了一种一体化自供能的钙钛矿发光集成器件,包括钙钛矿发电及发光一体化系统、光伏控制系统、发光控制系统和储能系统,钙钛矿发电及发光一体化系统电性连接光伏控制系统,光伏控制系统电性连接储能系统,储能系统电性连接发光控制系统,发光控制系统电性连接钙钛矿发电及发光一体化系统。本发明最大限度发挥钙钛矿材料既能发电又能发光的优势,大大简化了光电器件结构,降低了生产成本,本发明采用的双控制系统能控制储能系统的充放电状态,有效地避免储能系统的过度充放电,大幅提高储能系统的反复使用寿命;本发明构建的光电系统结构立体,集成化程度高,工艺流程简单,十分有利于大规模生产。

    一种基于交错绒面增透结构层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN109888104A

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201910166054.8

    申请日:2019-03-06

    IPC分类号: H01L51/42 H01L51/44 H01L51/48

    摘要: 本发明公开了一种基于交错绒面增透结构层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,包括透明衬底层、绒面透明导电薄膜层、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层、界面修饰层和金属电极层,制备方法包括如下步骤:步骤一:预处理带有透明导电薄膜的衬底,得到洁净的绒面透明导电薄膜层;步骤二:在绒面透明导电薄膜层上沉积空穴传输层得到交错绒面结构的衬底;步骤三、在交错绒面结构的衬底上的空穴传输层的表面沉积得到钙钛矿吸光层;步骤四、在钙钛矿吸光层的表面上沉积得到电子传输层,然后在电子传输层上沉积得到界面修饰层;步骤五、在界面修饰层上沉积金属电极层即得到电池成品。本发明制备工艺简单,降低了生产成本,大幅增强电池的减反射效果,改善了器件的光电转换性能。

    一种基于p型铜铁矿结构半导体材料的平面结构钙钛矿太阳能电池及其制备

    公开(公告)号:CN105679941A

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201610045421.5

    申请日:2016-01-22

    发明人: 石磊 徐志立

    IPC分类号: H01L51/42 H01L51/46 H01L51/48

    摘要: 本发明涉及一种平面结构钙钛矿太阳能电池及其制备方法,所述电池包括空穴传输层和光捕获层;所述光捕获层由MXZ3型钙钛矿材料形成,其中,M选自Cs+、CH3NH3+、CH3CH2NH3+、CH(NH2)2+或其混合物,X选自Pb2+、Sn2+、Ge2+或其混合物,Z选自Cl-、Br-、I-或其混合物;所述空穴传输层由p型铜铁矿结构的掺杂或未掺杂的ADO2型半导体材料形成,其中,A选自Cu或Ag,D选自Cr、Ga、Sc、In、Y或Fe中的一种或多种,掺杂元素选自Mg、Ca、Sr或Ga中的一种或两种。本发明的空穴传输层的薄膜导电性好、能级位置合适、透光率高且成本低廉,可以获得性能优异且稳定的太阳能电池器件,有利于钙钛矿太阳能电池的产业化的推进。