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公开(公告)号：CN103093815A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310009235.2
申请日：2013-01-10
申请人： 华中科技大学 , 武汉新芯集成电路制造有限公司
摘要： 本发明公开了一种多值相变随机存储器的存储单元及其操作方法，利用相变随机存储器自身的寄生效应，写入时通过改变选通元件的总寄生电阻来改变相变存储元件的RESET电压的下降时间，从而使相变存储元件部分结晶而改变相变存储元件的非晶态电阻（RESET电阻），而在读出时，通过小电流的输入感应相变存储元件上电压的大小而读出相变存储元件存储的数值，从而实现一个相变存储元件的多值存储。本发明通过实现一个相变存储元件的多位存储，而不用改变读写电路，因此可以再大规模存储器中能有效提高相变随机存储器的存储密度。
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公开(公告)号：CN118966118A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411017907.9
申请日：2024-07-29
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G06F30/367 , H03K17/28
摘要： 本申请提供了一种硫系阈值转变器件的仿真电路，属于电子仿真技术领域，仿真电路包括：阈值切换模块、阈值比较模块、延时模块和阻变模块；阈值切换模块用于在数据选择端输入的阈值比较模块的输出电压驱动下，选择两输入端中的一个输入端的输入电压传输至阈值比较模块的反相输入端；阈值比较模块用于比较同相输入端与反相输入端的电压，输出不同的输出电压；延时模块用于通过对阈值比较模块的输出电压在时域波形上进行延时，输出阻变控制电压；阻变模块用于受到阻变控制电压调控，模拟硫系阈值转变器件的阈值转变过程。本申请能够很好契合实际器件的直流和脉冲特性，具有电路结构简单，仿真精度高以及高效可靠的特点。
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公开(公告)号：CN118863098A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411332916.7
申请日：2024-09-24
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于人工智能相关技术领域，其公开了跨知识领域的大模型组合系统，包括定义智能体、选择智能体、主级大模型、至少两个次级大模型以及检查智能体，定义智能体管理当前所有大模型的领域关键字并调用主级大模型审查是否存在与问题适配的领域并将审查结果传送给选择智能体；选择智能体根据审查结果选择大模型：当不存在适配的领域时，调用主级大模型处理用户输入的问题并生成答案；当存在适配领域时，调用所适配领域的大模型处理用户的问题并生成答案；检查智能体检查大模型所生成答案的正误并当答案不符合要求时，调用对应的大模型重新生成结果。基于以上系统，可以低成本，低功耗，高质量地完成跨知识领域推理任务。
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公开(公告)号：CN118797030A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410990946.0
申请日：2024-07-23
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G06F16/335 , G06F16/332 , G06F18/22 , G06T17/00 , G06F16/25 , G06F21/31
摘要： 本申请属于计算机技术领域，具体公开了一种非晶材料数据查询系统，该系统包括：非晶材料查询模块和非晶材料可视化模块；非晶材料查询模块用于接收用户的搜索输入，以及响应于搜索输入，显示各个目标非晶材料对应的内容摘要、三维结构查看控件以及材料特性查看控件；非晶材料可视化模块用于在三维结构查看控件被触发的情况下，基于目标非晶材料对应的三维结构模型，显示目标非晶材料的三维结构；或，在材料特性查看控件被触发的情况下，基于目标非晶材料对应的材料特性数据，显示目标非晶材料的材料特性图。本申请通过快速响应用户的搜索输入，并显示与搜索内容相匹配的非晶材料的内容摘要、三维结构和材料特性图，实现高效地查询非晶材料数据。
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公开(公告)号：CN114168888B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202111331581.3
申请日：2021-11-11
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了存内模拟式线性方程组求解器及求解系统和求解方法，该求解器包括存内计算模块和模拟运算模块，存内计算模块的运算核具有多个运算组，每个运算组包括行线相连的正、反向输入阵列，正向输入阵列的各列线通过反相器与反向输入阵列的各列线连接；模拟运算模块包括多个加法器，加法器的各阵列输入端分别与各运算组的输出端连接，加法器的输出端分别与各运算组的输入端连接,二者形成了一个反馈结构，实现各运算组输出结果的移位和累加以及与外部输入端输入数据的求和。只要将原始线性方程组转变为迭代等式，并将矩阵拆分成二进制矩阵后映射入上述求解器中的运算组中，便能在求解器的输出端输出最终矢量解。
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公开(公告)号：CN114203756B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202111307961.3
申请日：2021-11-05
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H10B63/00 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/50
摘要： 本发明公开了一种忆阻器单元与CMOS电路的后端集成结构及其制备方法，其中，忆阻器单元置于两层金属互连线中间并通过金属通孔与上下金属互连线连通，且忆阻器单元之上设置有刻蚀停止层，可以在刻蚀忆阻器单元的上通孔时对忆阻器结构形成有效保护，从而使金属通孔对接结构部分能够实现良好对接的同时不损伤忆阻器结构，能够在保证忆阻器性能的条件下实现忆阻器单元与CMOS电路的电学连接；本发明在标准CMOS工艺的基础上，采用后端工艺集成的方法，实现了忆阻器与CMOS电路的混合集成。通过本发明的方法，可以在仅增加少量几步工艺、两层版图的基础上在金属互连层制备实现高性能的忆阻器件，实现忆阻器与CMOS电路的互联并且不会对CMOS器件性能造成影响。
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公开(公告)号：CN118613146A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410756219.8
申请日：2024-06-13
申请人： 华中科技大学
摘要： 本申请公开了一种氮化硅电荷俘获型忆阻器及其制备方法，其中，该忆阻器中的功能层设置为三层，上下两层为SiO2，中间层为SiNX；忆阻器通过低温退火工艺处理，使得功能层中的SiNX形成硅悬挂键，硅悬挂键为俘获和释放电荷的陷阱；忆阻器利用电荷在SiNX陷阱中的俘获和释放机制实现电阻的变化。本申请提供的忆阻器没有导电丝随机性生长带来的一致性问题，且不需要大电压Forming过程，具有较高的一致性和应用前景；并且该忆阻器可实现可靠的多值存储和脉冲突触特性；另外，采用氮化硅作为核心阻变材料，具有成本低、易获取、与CMOS工艺更加兼容的优点。
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公开(公告)号：CN118052186B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410448186.0
申请日：2024-04-15
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G06F30/367 , G06F30/27
摘要： 本申请涉及一种紧凑模型参数生成系统的构建方法及其参数生成方法，属于集成电路设计技术领域。构建方法包括：获取紧凑模型在不同参数取值下的输出特性曲线，包括Cgg‑Vgs曲线、较小漏源电压下的Ids‑Vgs曲线及Gm‑Vgs曲线、较大漏源电压下的Ids‑Vgs曲线：从曲线中提取关键物理特征信息并进行归一化处理后输入训练神经网络模型进行训练，得到紧凑模型参数生成系统，关键物理特征信息包括阈值电压、亚阈值摆幅、晶体管开启电流及关断电流、漏源电流积分值、晶体管跨导积分值以及栅电容最小值与最大值及其积分值。利用通过以上方法构建的紧凑模型参数生成系统，能够在保证提参精度的同时提高紧凑模型提参的速度。
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公开(公告)号：CN114970840B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202210534314.4
申请日：2022-05-17
摘要： 本发明公开了一种不规则放电仿生神经元电路及其放电仿生方法，属于类脑仿生技术领域；包括：易失性忆阻器M1、电容C1、电阻R1和反馈模块；其中，易失性忆阻器M1的阈值电压和保持电压具有随机性，且易失性忆阻器M1的所有保持电压中存在小于Vmin的保持电压；本发明基于易失性忆阻器M1阈值电压的随机性，使得每输出一个动作电位所需的充电时间不同；与此同时，基于易失性忆阻器M1保持电压的随机性将动作电位信号的静息状态发生时机随机化，并通过反馈模块监控动作电位信号的状态，当动作电位信号处于静息状态后，经过随机的时间延迟后输出反馈信号到仿生神经元电路的输入端，以使动作电位信号脱离静息状态，最终电路实现持续发放不规则的动作电位信号。
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