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公开(公告)号：CN109887537B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201910085242.8
申请日：2019-01-29
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种阈值电压漂移感知的LDPC码译码方法，包括：获得待译码数据所属闪存页P当前的漂移参数，以根据存储单元阈值电压分布与漂移参数的对应关系，获得当前闪存页P中存储单元的阈值电压分布D；将标准读参考电压和阈值电压分布D的各尾端点处的电压均作为采样电压，通过施加不同的采样电压确定各存储单元的阈值电压所在的电压范围[vi,vj]；根据电压范围[vi,vj]计算软判决信息，并根据软判决信息对待译码数据进行LDPC码译码；其中，漂移参数包括擦写次数和数据保存时间，vi＜vj。本发明能够利用存储单元阈值电压的漂移特征精确获取软判决信息，从而能够提高LDPC码的译码性能，并降低译码延迟。
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公开(公告)号：CN109887537A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910085242.8
申请日：2019-01-29
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种阈值电压飘移感知的LDPC码译码方法，包括：获得待译码数据所属闪存页P当前的飘移参数，以根据存储单元阈值电压分布与飘移参数的对应关系，获得当前闪存页P中存储单元的阈值电压分布D；将标准读参考电压和阈值电压分布D的各尾端点处的电压均作为采样电压，通过施加不同的采样电压确定各存储单元的阈值电压所在的电压范围[vi,vj]；根据电压范围[vi,vj]计算软判决信息，并根据软判决信息对待译码数据进行LDPC码译码；其中，飘移参数包括擦写次数和数据保存时间，vi＜vj。本发明能够利用存储单元阈值电压的飘移特征精确获取软判决信息，从而能够提高LDPC码的译码性能，并降低译码延迟。
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公开(公告)号：CN114489848A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210060502.8
申请日：2022-01-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于可计算存储架构的任务卸载方法及可计算存储系统，属于计算机存储领域，包括：初始化步骤：在SSD盘内系统的内核地址空间中创建虚拟的字符设备，并将其内核地址空间映射到用户进程的地址空间；在字符设备中维护命令队列和数据队列，分别用于存储命令结构体和任务执行结果；计算步骤：在内核态，接收到计算任务后，将命令结构体存储到命令队列中；在用户态，根据命令结构体在命令队列中的偏移值到命令队列中读取命令结构体，并从中解析出任务类型和参数，以执行计算任务，将执行结果存储到数据队列中；在内核态，将执行结果的长度和在数据队列中的偏移值返回给主机。本发明能够减少盘内系统数据拷贝，提高PIS任务执行效率。
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公开(公告)号：CN107861884B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201711074790.8
申请日：2017-11-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F12/02 , G06F12/0802
Abstract: 本发明公开了一种提高NAND闪存中跨页存储地址映射效率的方法，包括：从闪存芯片中选择多个块号最大的块作为信息记录块，对于每个信息记录块而言，将其每个页中除了ECC码以外的部分划分为多个槽，每个槽的大小等于一个被记录页或被记录子页的信息位的大小，将信息记录块的最后一个槽设置用于记录槽所在页与被记录页之间的对应关系，将被记录页的信息位写入对应的槽中。本发明根据对闪存结构分布与读写流程等特性的研究以及工程化需求，提供了一种空间高效的小容量信息位跨页存储的地址映射的方法。
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公开(公告)号：CN114489848B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210060502.8
申请日：2022-01-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于可计算存储架构的任务卸载方法及可计算存储系统，属于计算机存储领域，包括：初始化步骤：在SSD盘内系统的内核地址空间中创建虚拟的字符设备，并将其内核地址空间映射到用户进程的地址空间；在字符设备中维护命令队列和数据队列，分别用于存储命令结构体和任务执行结果；计算步骤：在内核态，接收到计算任务后，将命令结构体存储到命令队列中；在用户态，根据命令结构体在命令队列中的偏移值到命令队列中读取命令结构体，并从中解析出任务类型和参数，以执行计算任务，将执行结果存储到数据队列中；在内核态，将执行结果的长度和在数据队列中的偏移值返回给主机。本发明能够减少盘内系统数据拷贝，提高PIS任务执行效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112398395B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202011223470.6
申请日：2020-11-05
Applicant: 广东拓斯达科技股份有限公司 , 华中科技大学
Abstract: 本发明属于惯量辨识技术领域，公开了一种基于速度插值的惯量辨识方法、系统及存储介质，基于不同的输入速度波形利用不同的改进MRAS惯量辨识算法进行惯量辨识。判断输入速度波形为三角波或方波；当输入速度波形为三角波时，选择基于三角波输入的改进MRAS惯量辨识算法进行MRAS惯量辨识；当输入速度波形为方波时，选择基于方波输入的改进MRAS惯量辨识算法进行MRAS惯量辨识。本发明以三角波和方波作为输入速度信号进行惯量辨识时所得的结果存在精度不高的问题，提出一种针对性改进的MRAS惯量辨识算法，提高了惯量辨识结果的精度。相比于MRAS的其他改进方案，本发明具有计算负担更小，更实用的特点。
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公开(公告)号：CN112398395A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011223470.6
申请日：2020-11-05
Applicant: 广东拓斯达科技股份有限公司 , 华中科技大学
Abstract: 本发明属于惯量辨识技术领域，公开了一种基于速度插值的惯量辨识方法、系统及存储介质，基于不同的输入速度波形利用不同的改进MRAS惯量辨识算法进行惯量辨识。判断输入速度波形为三角波或方波；当输入速度波形为三角波时，选择基于三角波输入的改进MRAS惯量辨识算法进行MRAS惯量辨识；当输入速度波形为方波时，选择基于方波输入的改进MRAS惯量辨识算法进行MRAS惯量辨识。本发明以三角波和方波作为输入速度信号进行惯量辨识时所得的结果存在精度不高的问题，提出一种针对性改进的MRAS惯量辨识算法，提高了惯量辨识结果的精度。相比于MRAS的其他改进方案，本发明具有计算负担更小，更实用的特点。
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公开(公告)号：CN111459706A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010046777.7
申请日：2020-01-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F11/10
Abstract: 本发明公开了一种NAND闪存错误率预测方法及系统，属于计算机存储领域，包括：从NAND闪存的历史数据中获取M个前期干扰特征，及各前期干扰特征所对应的原始比特错误率，将前期干扰特征及其对应的原始比特错误率作为一条预测样本，从而得到M条预测样本；将预测样本输入已训练好的错误率预测模型中，预测N个后期干扰特征所对应的原始比特误码率；其中，干扰特征为影响NAND闪存原始比特错误率的特征或特征组合；错误率预测模型为多输入多输出模型，用于根据前期的干扰特征及对应的原始比特误码率预测后期干扰特征所对应的原始比特误码率。本发明能够预测NAND闪存的错误率，并预测出NAND闪存错误率的变化趋势，为数据存储安全提供量化的、可靠的判断依据。
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公开(公告)号：CN107861834B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201711074758.X
申请日：2017-11-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于错误预检测技术提升固态硬盘读性能的方法，对物理页面进行子页划分，在SSD控制器读取完闪存页面中的数据时，在SSD内存中判断子页的标志位是0还是1，如果是1则直接将该子页中的数据送至LDPC译码器进行译码，如果是0则使用数据校验算法对该子页中的数据进行校验，以判断该子页中的数据是否发生错误。如果发生错误，则将数据送到LDPC译码器进行译码，同时将该子页的标志位设置为1。本发明提出采用错误预检测的技术，对没有错误的数据不再进行译码。从而降低译码时间与功耗上的开销，提升SSD读性能。
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公开(公告)号：CN107861884A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711074790.8
申请日：2017-11-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F12/02 , G06F12/0802
Abstract: 本发明公开了一种提高NAND闪存中跨页存储地址映射效率的方法，包括：从闪存芯片中选择多个块号最大的块作为信息记录块，对于每个信息记录块而言，将其每个页中除了ECC码以外的部分划分为多个槽，每个槽的大小等于一个被记录页或被记录子页的信息位的大小，将信息记录块的最后一个槽设置用于记录槽所在页与被记录页之间的对应关系，将被记录页的信息位写入对应的槽中。本发明根据对闪存结构分布与读写流程等特性的研究以及工程化需求，提供了一种空间高效的小容量信息位跨页存储的地址映射的方法。
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