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公开(公告)号：CN117825781A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410018645.1
申请日：2024-01-05
IPC分类号： G01R19/00
摘要： 本发明提供了一种传输线阻抗匹配的Rogowski电流传感器，属于电流测量领域，电流传感器包括Rogowski线圈、无源积分器、传输线驱动器、同轴传输线、驱动器电源连接线、阻抗匹配电阻及有源积分器；Rogowski线圈与无源积分器的输入端口连接，无源积分器的输出端口与传输线驱动器的输入端口连接，传输线驱动器的输出端口与同轴传输线连接，传输线驱动器的电源端与驱动器电源连接线连接；同轴传输线与有源积分器的信号输入端口连接；驱动器电源连接线与有源积分器的电源网络连接；阻抗匹配电阻并联连接于有源积分器的信号输入端口。本发明能够准确测量高频率的电流。
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公开(公告)号：CN117406052A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311323680.6
申请日：2023-10-13
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供了一种IGBT器件内部结温获取方法、计算系统、存储介质及装置，属于功率半导体技术领域，该方法包括：获取I GBT模块确定I GBT芯片开启电压随温度变化的系数kV、I GBT芯片导通电阻随温度变化的系数kR；获取基准温度下I GBT模块各芯片电流的分布情况I；获取待测温度下I GBT模块各芯片电流的分布情况I’；根据kV、kR、I、I'计算得到待测温度下I GBT模块内部个芯片的温度分布情况。该方法通过获取I GBT模块的电流分布情况来获取I GBT模块内部各芯片的结温情况，可操作性强，能够降低I GBT模块各芯片的获取难度，能够解决实际测量I GBT模块各芯片结温较为困难的现状。
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公开(公告)号：CN116110785A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211647982.4
申请日：2022-12-21
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司电力科学研究院 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739
摘要： 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底第一表面形成图形化掩膜层，露出衬底的部分第一表面；采用高温氧化工艺，在衬底第一表面形成场氧化层，场氧化层覆盖所述掩膜层露出的衬底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜层下方与衬底第一表面之间；去除掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极。通过实施本发明，在衬底第一表面形成图形化的掩膜层，然后采用高温氧化工艺形成场氧化层，由此形成了尖角结构的场氧化层，实现了场氧化层的斜面与水平面的夹角降低，避免了电场集中的现象。同时，在去除掩膜层后形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极；构成了完整的绝缘栅双极型晶体管结构。
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公开(公告)号：CN116110785B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211647982.4
申请日：2022-12-21
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司电力科学研究院 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739
摘要： 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底第一表面形成图形化掩膜层，露出衬底的部分第一表面；采用高温氧化工艺，在衬底第一表面形成场氧化层，场氧化层覆盖所述掩膜层露出的衬底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜层下方与衬底第一表面之间；去除掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极。通过实施本发明，在衬底第一表面形成图形化的掩膜层，然后采用高温氧化工艺形成场氧化层，由此形成了尖角结构的场氧化层，实现了场氧化层的斜面与水平面的夹角降低，避免了电场集中的现象。同时，在去除掩膜层后形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极；构成了完整的绝缘栅双极型晶体管结构。
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公开(公告)号：CN117012805A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310602819.4
申请日：2023-05-26
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 一种适用于高压功率芯片的终端结构，包括围绕高压功率芯片有源区以及过渡区的多个同心浮空场限环，在所述场限环上方覆盖有钝化层。本发明可以提高高压大功率芯片的终端可靠性，提高终端效率，同时，兼顾安全工作区，工艺简单，适合大规模产品应用。本发明通过优化场环设计，提高高压功率芯片的终端效率，保证可靠性的同时，优化安全工作区。
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公开(公告)号：CN117393610A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311609888.4
申请日：2023-11-29
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/16 , H01L29/423
摘要： 本发明公开了一种高可靠性的沟槽型碳化硅MOSFET及制备方法，属于功率器件技术领域。其技术方案为：一种高可靠性的沟槽型碳化硅MOSFET，包括嵌设在芯片基底上表面的集成模块，以及覆盖于集成模块上表面的共覆金属层；集成模块包括自芯片基底边缘至芯片基底中央间隔分布的若干个元胞；元胞包括肖特基区，对称设置在肖特基区外侧的两个沟槽型栅氧化区，以及对称设置在两个沟槽型栅氧化区外侧的两个源极区；源极区包括源极P+区，在若干个元胞中源极P+区的宽度自边缘至中央呈递增分布。本发明的有益效果是：本发明提供的一种高可靠性的沟槽型碳化硅MOSFET元胞面积小、单位面积电流密度高、芯片温度分布均匀。
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公开(公告)号：CN116598335A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310270078.4
申请日：2023-03-15
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/861
摘要： 一种高压功率二极管，二极管纵向结构包括半导体本体区、终端钝化保护层以及阳极金属电极层、阴极金属电极层；半导体本体区是外延层区，通过注入形成pn结结构，实现正向导通和反向阻断；半导体本体区包括阳极阱区、重掺杂阳极区、阴极缓冲区、重掺杂阴极区、漂移区、终端掺杂区；终端钝化保护层位于终端掺杂区的上方；阳极金属电极层位于重掺杂阳极区上方，阴极金属电极层位于重掺杂阴极区下方，形成欧姆接触电极，并形成厚金属互联；在横向电阻区形成若干浅掺杂区，通过开孔与阳极金属层在垂直方向上形成电连接。通过优化浅掺杂区与金属之间的接触，以及浅掺杂区掺杂设计，实现对正向浪涌电流的分流，提高FRD浪涌能力，兼顾反向恢复特性。
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公开(公告)号：CN117766470B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410190217.7
申请日：2024-02-20
IPC分类号： H01L23/053 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/56
摘要： 本申请公开了一种半导体器件的封装结构和封装方法，该半导体器件的封装结构包括：绝缘基板，绝缘壳体，多个绝缘肋条和半导体器件，其中绝缘壳体位于绝缘基板的一侧以围成容纳空间，绝缘壳体具有顶面和侧壁，至少一个侧壁具有多个间隔设置的条状结构；多个绝缘肋条位于相邻的多个条状结构之间，绝缘肋条分别与顶面和条状结构所在的侧壁连接，相邻条状结构之间具有间隔区域，绝缘肋条在第一方向上具有相对的两端，绝缘肋条的两端突出于间隔区域，第一方向为绝缘基板指向绝缘壳体的方向；半导体器件设置于容纳空间中；该半导体的封装结构实现了在高电压、小电流的应用场景下满足了器件的高绝缘强度需求。
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公开(公告)号：CN117766470A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410190217.7
申请日：2024-02-20
IPC分类号： H01L23/053 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/56
摘要： 本申请公开了一种半导体器件的封装结构和封装方法，该半导体器件的封装结构包括：绝缘基板，绝缘壳体，多个绝缘肋条和半导体器件，其中绝缘壳体位于绝缘基板的一侧以围成容纳空间，绝缘壳体具有顶面和侧壁，至少一个侧壁具有多个间隔设置的条状结构；多个绝缘肋条位于相邻的多个条状结构之间，绝缘肋条分别与顶面和条状结构所在的侧壁连接，相邻条状结构之间具有间隔区域，绝缘肋条在第一方向上具有相对的两端，绝缘肋条的两端突出于间隔区域，第一方向为绝缘基板指向绝缘壳体的方向；半导体器件设置于容纳空间中；该半导体的封装结构实现了在高电压、小电流的应用场景下满足了器件的高绝缘强度需求。
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公开(公告)号：CN219917174U
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202321297019.8
申请日：2023-05-26
IPC分类号： H01L29/06
摘要： 一种适用于高压功率芯片的终端结构，包括围绕高压功率芯片有源区以及过渡区的多个同心浮空场限环，在所述场限环上方覆盖有钝化层。本发明可以提高高压大功率芯片的终端可靠性，提高终端效率，同时，兼顾安全工作区，工艺简单，适合大规模产品应用。本发明通过优化场环设计，提高高压功率芯片的终端效率，保证可靠性的同时，优化安全工作区。
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