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公开(公告)号：CN117825781A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410018645.1
申请日：2024-01-05
IPC分类号： G01R19/00
摘要： 本发明提供了一种传输线阻抗匹配的Rogowski电流传感器，属于电流测量领域，电流传感器包括Rogowski线圈、无源积分器、传输线驱动器、同轴传输线、驱动器电源连接线、阻抗匹配电阻及有源积分器；Rogowski线圈与无源积分器的输入端口连接，无源积分器的输出端口与传输线驱动器的输入端口连接，传输线驱动器的输出端口与同轴传输线连接，传输线驱动器的电源端与驱动器电源连接线连接；同轴传输线与有源积分器的信号输入端口连接；驱动器电源连接线与有源积分器的电源网络连接；阻抗匹配电阻并联连接于有源积分器的信号输入端口。本发明能够准确测量高频率的电流。
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公开(公告)号：CN114548013B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210254942.7
申请日：2022-03-15
IPC分类号： G06F30/367
摘要： 一种碳化硅MOSFET开通延时计算方法，包括碳化硅MOSFET开关暂态分析等效电路，包括：ugs达到阈值电压Vth前，列写驱动回路KVL方程和KCL方程；按照IEC标准，当ugs大小为10％的驱动正压VGH时，时间t的值为开通延时的起点ta；ugs达到阈值电压Vth后，列写驱动回路KCL方程、KVL方程，将id与ugs建模为线性关系，得到此阶段ugs表达式；利用饱和电流表达式修正id，求导得到电流变化率，根据主功率回路KVL方程，求得uds的表达式；按照IEC标准，当uds达到到90％的负载电压VDD时，时间t的值为开通延时的终点tb；求得tb与ta之间的差值，即为开通延时td(on)。
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公开(公告)号：CN114548013A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210254942.7
申请日：2022-03-15
IPC分类号： G06F30/367
摘要： 一种碳化硅MOSFET开通延时计算方法，包括碳化硅MOSFET开关暂态分析等效电路，包括：ugs达到阈值电压Vth前，列写驱动回路KVL方程和KCL方程；按照IEC标准，当ugs大小为10％的驱动正压VGH时，时间t的值为开通延时的起点ta；ugs达到阈值电压Vth后，列写驱动回路KCL方程、KVL方程，将id与ugs建模为线性关系，得到此阶段ugs表达式；利用饱和电流表达式修正id，求导得到电流变化率，根据主功率回路KVL方程，求得uds的表达式；按照IEC标准，当uds达到到90％的负载电压VDD时，时间t的值为开通延时的终点tb；求得tb与ta之间的差值，即为开通延时td(on)。
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公开(公告)号：CN117034678A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310841712.5
申请日：2023-07-11
摘要： 并联电容器组叠层母排的寄生电感建模和测量方法，包括：建立并联电容器叠层母排的基本结构；建立叠层母排自感和互感的电路模型；对叠层母排中的自感和互感进行解耦，建立电感计算模型。本发明提出的多个电容器并联叠层母排寄生电感计算模型的建立方法，实现了对叠层母排各回路自感和回路间互感的解耦，可以对任意数量电容器并联的叠层母排的寄生电感进行计算；通过有限元仿真设计了一种可抵消对叠层母排寄生电感测量影响的夹具，消除了夹具在测量时与叠层母排之间产生互感的影响；提出多电容器并联叠层母排寄生电感的测量方法，实现了多电容器并联叠层母排寄生电感的直接测量。
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公开(公告)号：CN118707177A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410979113.4
申请日：2024-07-22
申请人： 国网上海市电力公司 , 东方电子股份有限公司
IPC分类号： G01R19/00 , G01R19/02 , G01R19/165 , G01R31/52
摘要： 本发明涉及户外环网箱故障预警技术领域，具体公开了一种户外环网箱故障告警处理系统及方法，包括运行参数采集模块、电流故障监测分析模块、电压故障监测分析模块、故障判断分析模块、显示预警模块、执行终端与数据库。通过获取户外环网箱内部对应各监测节点中各监测时间点运行电流中的三相电流和零线电流，对户外环网箱内部对应各监测节点中各监测时间点运行电流中三相电流的电流突变量有效值进行计算，再通过提取异常的电流突变量，可以快速判断出户外环网箱内部对应各监测节点的故障位置，并根据户外环网箱内部对应各监测节点的故障位置进行检修人员的安排处理，以确保户外环网箱的稳定性和安全性。
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公开(公告)号：CN113659967B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110969945.4
申请日：2021-08-23
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/687
摘要： 用于优化碳化硅MOSFET开关特性的驱动电路及方法，包括输入单元、隔离单元、驱动单元、电感单元、连接单元和保护单元，所述输入单元的电压信号和脉冲信号经过隔离单元的隔离和电平转换后输入到驱动单元；所述驱动单元通过接收脉冲信号完成对电压信号的切换，经连接单元向碳化硅MOSFET施加正负驱动电压；所述电感单元采用带螺纹的软磁铁氧体，通过旋转改变软磁铁氧体在线圈中的位置，改变线圈的磁导率，进而改变线圈的电感值，最终实现驱动回路总寄生电感值的调整。
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公开(公告)号：CN116184146A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211476746.0
申请日：2022-11-23
申请人： 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
发明人： 郭亚慧 , 孙鹏 , 李焕林 , 蔡雨萌 , 赵志斌 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
摘要： 碳化硅MOSFET结温在线测量方法、系统及其应用，所述方法包括构建碳化硅MOSFET器件温敏电参数值与结温的线性解析模型；获得改变碳化硅MOSFET器件外部电路寄生参数后，室温下温敏电参数值；依不同寄生参数条件常温下温敏电参数值计算校准系数；依校准系数得到外部电路寄生参数改变，修正后的温敏电参数值与结温的线性解析模型；根据修正后温敏电参数值与结温的线性解析模型以及待测工况下温敏电参数的值，求取改变器件运行平台寄生参数后在线运行的结温。本发明能够间接测量碳化硅MOSFET在不同寄生参数条件下运行的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据。
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公开(公告)号：CN114362491A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210028848.X
申请日：2022-01-11
申请人： 华北电力大学
摘要： 阻性负载下的碳化硅MOSFET半桥串扰电压峰值计算方法，包括：在上桥器件导通后，联立上桥驱动回路和主功率回路KVL方程获得上桥栅压表达式；应用饱和区电流公式获得上桥漏电流表达式；基于损耗守恒将下桥驱动电阻等效至漏源极支路，根据等效后下桥器件与负载组成回路的KVL方程获得下桥漏源电压表达式；根据下桥驱动回路KVL方程获得串扰电压表达式，对串扰电压表达式求最值获得串扰电压峰值。本发明每个步骤均只存在单变量，实现了阻性负载下，上下桥器件驱动电压、母线电压量的解耦，获得了阻性负载下串扰电压峰值表达式；本发明可有效评估阻性负载下串扰电压的影响因素，并对保证下桥器件安全运行的参数选取范围给出指导和建议。
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公开(公告)号：CN113110681B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110509529.6
申请日：2021-05-11
申请人： 华北电力大学
摘要： 本发明涉及一种电压钳位电路和碳化硅MOSFET导通损耗的测量系统及方法，所述电压钳位电路包括：场效应晶体管、栅极电阻、驱动信号源、源极电阻和齐纳二极管；当待测碳化硅MOSFET关断时，齐纳二极管击穿导致场效应晶体管断开，由场效应晶体管承担待测碳化硅MOSFET的大部分关断电压，电压测量正极端子和电压测量负极端子之间只有小部分的关断电压，将待测碳化硅MOSFET的关断电压限制为一个较小的值，从而可减小示波器的测试量程，在提高导通电压测量精度的同时避免示波器的饱和现象。
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公开(公告)号：CN107369666B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201710671883.2
申请日：2017-08-08
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： H01L23/492 , H01L25/07 , H01L21/60
摘要： 本发明公开一种半桥模块和封装方法。所述半桥模块是以两个芯片为子单元的并联分组布设，所述半桥模块包括上半桥模块和下半桥模块；上半桥模块包括多个两芯片直接并联的上半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一个漏极功率端子和一个源极功率端子，下半桥模块包括多个两芯片直接并联的下半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一个漏极功率信号端子和一个源极功率信号端子，下半桥的漏极功率端子与上半桥的源极功率端子电气上是互连的。功率信号端子以及驱动信号端子的结构均为二叉树状结构。采用本发明的半桥模块或封装方法，可以降低电路杂散电感的分布差异，实现较好的碳化硅芯片的均流特性。
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