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公开(公告)号：CN117825781A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410018645.1
申请日：2024-01-05
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明提供了一种传输线阻抗匹配的Rogowski电流传感器，属于电流测量领域，电流传感器包括Rogowski线圈、无源积分器、传输线驱动器、同轴传输线、驱动器电源连接线、阻抗匹配电阻及有源积分器；Rogowski线圈与无源积分器的输入端口连接，无源积分器的输出端口与传输线驱动器的输入端口连接，传输线驱动器的输出端口与同轴传输线连接，传输线驱动器的电源端与驱动器电源连接线连接；同轴传输线与有源积分器的信号输入端口连接；驱动器电源连接线与有源积分器的电源网络连接；阻抗匹配电阻并联连接于有源积分器的信号输入端口。本发明能够准确测量高频率的电流。
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公开(公告)号：CN119028935B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411509868.4
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L23/52
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及具有其的功率器件，该功率模块包括衬板和芯片，衬板上设置有第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构均为轴对称结构，第一导电结构和第二导电结构的对称轴均沿功率模块的长度方向延伸，第一导电结构和第二导电结构上均设置有芯片；其中，功率模块还包括片状的第一互连片和第二互连片，芯片的上表面通过第一互连片与第一导电结构和/或第二导电结构导电连接，第一导电结构通过第二互连片与第二导电结构导电连接。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块的散热能力较差的问题。
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公开(公告)号：CN119028965A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411519127.4
申请日：2024-10-29
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板；第一芯片模块，与基板连接，第一芯片模块包括多个第一半导体芯片，多个所述第一半导体芯片并联连接；第二芯片模块，与基板连接，第二芯片模块与第一芯片模块串联连接；第一功率端子，与第一芯片模块导电连接；第二功率端子，与第二芯片模块导电连接。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件难以兼顾高电压等级和成本的问题。
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公开(公告)号：CN119028936A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411509870.1
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L23/52
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及具有其的功率器件，该功率模块包括衬板和多个芯片，衬板上设置有第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构均为轴对称结构，第一导电结构和第二导电结构的对称轴均沿第一方向延伸，第一导电结构和第二导电结构上均设置有多个芯片，第一导电结构上的多个芯片和第二导电结构上的多个芯片均在对称轴的两侧对称排布。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块的芯片布局位置较为集中的问题。
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公开(公告)号：CN117766470B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410190217.7
申请日：2024-02-20
IPC: H01L23/053 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/56
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的封装结构和封装方法，该半导体器件的封装结构包括：绝缘基板，绝缘壳体，多个绝缘肋条和半导体器件，其中绝缘壳体位于绝缘基板的一侧以围成容纳空间，绝缘壳体具有顶面和侧壁，至少一个侧壁具有多个间隔设置的条状结构；多个绝缘肋条位于相邻的多个条状结构之间，绝缘肋条分别与顶面和条状结构所在的侧壁连接，相邻条状结构之间具有间隔区域，绝缘肋条在第一方向上具有相对的两端，绝缘肋条的两端突出于间隔区域，第一方向为绝缘基板指向绝缘壳体的方向；半导体器件设置于容纳空间中；该半导体的封装结构实现了在高电压、小电流的应用场景下满足了器件的高绝缘强度需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117766470A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410190217.7
申请日：2024-02-20
IPC: H01L23/053 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/56
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的封装结构和封装方法，该半导体器件的封装结构包括：绝缘基板，绝缘壳体，多个绝缘肋条和半导体器件，其中绝缘壳体位于绝缘基板的一侧以围成容纳空间，绝缘壳体具有顶面和侧壁，至少一个侧壁具有多个间隔设置的条状结构；多个绝缘肋条位于相邻的多个条状结构之间，绝缘肋条分别与顶面和条状结构所在的侧壁连接，相邻条状结构之间具有间隔区域，绝缘肋条在第一方向上具有相对的两端，绝缘肋条的两端突出于间隔区域，第一方向为绝缘基板指向绝缘壳体的方向；半导体器件设置于容纳空间中；该半导体的封装结构实现了在高电压、小电流的应用场景下满足了器件的高绝缘强度需求。
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公开(公告)号：CN115877153A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211545915.1
申请日：2022-12-05
IPC: G01R31/20
Abstract: 本发明提供一种含气泡硅凝胶样品的制备方法、气泡含量检测方法及系统，属于高压绝缘领域，制备方法包括：将硅凝胶样品分为三份；将第一份硅凝胶样品灌封进容器中，并进行脱气处理；对第二份硅凝胶样品进行搅拌，以使第二份硅凝胶样品中引入气泡，并将搅拌后的第二份硅凝胶样品倒入容器中；对第三份硅凝胶样品进行脱气处理，并将脱气处理后的第三硅凝胶样品倒入容器中，以得到含气泡硅凝胶样品；能够在不破坏硅凝胶完整性的前提下，制备目标位置处含气泡的硅凝胶样品。通过采集含气泡硅凝胶样品的图像，并对图像的RGB值进行加权求和，结合无气泡硅凝胶样品图像中像素的灰度平均值，准确计算出含气泡硅凝胶样品的气泡含量。
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公开(公告)号：CN118969739B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411438306.5
申请日：2024-10-15
IPC: H01L23/057 , H01L23/10 , H01L23/49 , H01L23/08
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板以及与基板连接的围板；半导体芯片，与基板连接；第一端子，与半导体芯片的第一侧连接；第二端子，与半导体芯片的第二侧连接；绝缘加强部，与围板连接，绝缘加强部包括第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋，第一绝缘加强肋设置在第一端子和第二端子之间，第二绝缘加强肋的两端分别与围板的相对的两个内表面连接，第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋相交且相连。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的壳体的绝缘性能和结构强度难以兼顾的问题。
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公开(公告)号：CN119050090B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411509866.5
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/52 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供了一种互连构件及具有其的功率器件，互连构件包括：主体段，主体段的下表面为导电连接面；界面互连段，与主体段连接，界面互连段的下表面为互连面；拱形连接段，包括相连接的第一弧形段和第二弧形段，第一弧形段与主体段连接，第二弧形段与界面互连段连接，第一弧形段在预设纵向截面内具有第一弧形中心线，第一弧形中心线与预设曲线满足确定系数R2，预设曲线满足以下公式：#imgabs0#；x和y为预设曲线在预设坐标系内的横坐标值和纵坐标值；h为预设曲线的最高点至X轴的距离，a为预设曲线至Y轴的最大距离，#imgabs1#为预设常数；在预设曲线的最高点处，预设曲线满足#imgabs2#；R2≥0.8。通过本方案，能够缓解互连构件的互连界面处的应力大的问题。
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公开(公告)号：CN119050109B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411540447.8
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率单元及具有其的功率器件，其中，功率单元包括：基板，基板在第一方向上依次间隔设置有第一端子导电部、芯片导电部以及第二端子导电部，芯片导电部与第二端子导电部导电连接；芯片，设置在芯片导电部上，芯片的第一侧与芯片导电部连接，芯片的第二侧与第一端子导电部导电连接；第一二极管，设置在第二端子导电部上；控制部，设置在基板上，并与芯片连接，控制部设置在芯片与第一二极管之间。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率单元散热效果差的问题。
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