一种基于忆阻器的脑高级功能模拟方法

    公开(公告)号:CN112163368A

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN202010882869.9

    申请日:2020-08-28

    Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的脑高级功能模拟方法,所述忆阻器包括顶电极和底电极,所述方法包括如下步骤:在所述顶电极施加脉冲信号,所述底电极接地,记录所述忆阻器的响应电流或者电导值变化,实现脑高级功能的模拟;脑高级功能模拟过程简单,不需要三端晶体管或者运算放大器等复杂器件的配合,结构简单,易于实现。

    一种自驱动光电探测器及其光通信系统

    公开(公告)号:CN111599889A

    公开(公告)日:2020-08-28

    申请号:CN202010450959.0

    申请日:2020-05-25

    Abstract: 本发明提供了一种光电探测器,包括硅衬底、石墨烯、第一电极和第二电极,石墨烯设置在硅衬底的表面,第一电极和第二电极被蒸镀在石墨烯的表面,第一电极和第二电极之间形成沟道结构。本发明还公开了一种光电探测器的制备方法以及一种光通信系统,本发明提高了光电探测器中的光响应率和光响应度,使得光电探测器具有良好的性能,在无外加偏压的情况下,光照后即可得到较高的光电流或光电压。

    一种阻态依赖阈值开关性质的实现方法

    公开(公告)号:CN112086557A

    公开(公告)日:2020-12-15

    申请号:CN202010987506.1

    申请日:2020-09-18

    Abstract: 本发明提供了一种忆阻器,包括衬底、第一电极、氧化铪层和第二电极,各个材料之间依次叠加,功能性材料氧化铪层设置在第一电极和第二电极之间,本发明还公开了一种忆阻器的制备方法和一种忆阻器的阻态依赖阈值开关特性的实现方法,本发明实现了忆阻器的可调控的阈值开关阻变性质,忆阻器的结构简单、制作工艺简便,使忆阻器在不同阻态下呈现出具有差异性的阈值开关特性。

    一种自适应条件的半导体芯片阵列测试系统

    公开(公告)号:CN119395508A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411588483.1

    申请日:2024-11-08

    Abstract: 本发明涉及半导体芯片技术领域,公开了一种自适应条件的半导体芯片阵列测试系统,该系统包括:PC端、半导体器件阵列和控制模块,PC端和半导体器件阵列分别与控制模块相连;控制模块包括采集单元、选通阵列单元、阻抗调整单元、测试单元;采集单元用于采集半导体器件信号,并根据半导体器件信号确定选通模式;选通阵列单元用于根据选通模式确定切换速度和导通电阻;阻抗调整单元用于调整通路阻值至目标阻值;测试单元用于对半导体器件阵列的待测器件施加激励,并控制采集单元采集待测试器件的响应信号。本发明显著提升了测试的效率和精度。

    一种用于半导体器件的快速测试系统

    公开(公告)号:CN213122183U

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN201922490459.5

    申请日:2019-12-30

    Abstract: 本实用新型公开了一种用于半导体器件的快速测试系统,包括:放置平台,用于放置待测半导体器件;半导体器件测试仪,用于对待测半导体器件进行测试;控制电路,用于发出开关选通信号;模拟开关电路,与待测半导体器件、控制电路以及半导体器件测试仪连接,用于获取开关选通信号并闭合,以使待测半导体器件与半导体器件测试仪连通。本实用新型将多个待测半导体器件放置在放置平台上,待测的半导体器件与模拟开关电路连接,模拟开关电路与半导体器件测试仪连接,通过开关选通信号使待测半导体器件与半导体器件测试仪连接,选通信号能实现多个半导体器件之间的快速切换,实现了对多个半导体器件的测试,从而提高了半导体器件测试的效率。

Patent Agency Ranking