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公开(公告)号：CN117858519A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410040996.2
申请日：2024-01-11
申请人： 湘潭大学
摘要： 本发明提供一种基于碳基双栅调控型场效应晶体管的传感器阵列及其制作方法，该传感器阵列包括公共硅衬底层、硅介质层、多个碳基双栅调控型场效应晶体管传感器及液栅参比电极。阵列分布的双栅调控型场效应晶体管传感器位于公共的硅介质层上。每个检测通道由硅衬底层、硅介质层、局域底栅电极、底栅介质层、碳纳米管薄膜沟道层、源极电极、漏极电极、浮栅介质层、钝化层、Linker、修饰层、液栅参比电极构成传感器。不同沟道的修饰层不同用于选择性检测目标物。每个沟道下方的局域底栅电极分别提供不同栅压控制，实现对每个传感器的独立开关控制与器件调控，将栅控界面与传感器传感界面分开，提供更稳定的栅压调控以及FET器件与传感界面的模块化设计。
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公开(公告)号：CN117750788A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311752957.7
申请日：2023-12-19
申请人： 吉林大学
摘要： 本发明公开了一种三维立体式互补型有机非门电路及其制备方法，属于有机集成电路技术领域，所述非门电路包括衬底及依次位于其上的p型或n型有机薄膜晶体管及n型或p型有机薄膜晶体管；所述p型或n型有机薄膜晶体管及n型或p型有机薄膜晶体采用三维立体堆叠模式联接，共用一个栅电极作为输入端；位于底部的p型或n型有机薄膜晶体管采用顶栅结构，位于顶部的n型或p型有机薄膜晶体管采用底栅结构，两个晶体管的漏电极相互联接，作为输出端；本发明的三维立体式非门电路，能显著缩减单元门电路的面积，为后续发展三维立体式有机集成电路电路奠定了基础，能显著提升有机集成电路的集成度，进而极大地增大其商业竞争力。
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公开(公告)号：CN116249359A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310168702.X
申请日：2023-02-27
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种有机垂直分子二极管及其制法、二极管阵列的制法，该二极管包括衬底、绝缘层、底电极、有机半导体薄膜和顶电极；金属层制备于绝缘层表面，且制得的金属表面平滑，对生长有机半导体薄膜的溶液具有润湿性；有机半导体材料为带有烷基侧链的共轭有机小分子。其制法为：在衬底上生长绝缘层，在绝缘层上制备底电极，在底电极上生长有机半导体薄膜；另取衬底制备顶电极；将顶电极金属转移到有机半导体薄膜上，制得。本发明制备的有机垂直分子二极管实现了破纪录的整流比高达108，单位电导超过103S/cm2，本发明还制备了有机垂直分子二极管阵列，阵列实现了100％的产率，表现出高均一性。
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公开(公告)号：CN110366780B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201880006653.7
申请日：2018-01-11
申请人： 赛因托鲁株式会社
IPC分类号： H10K39/32 , H10K19/00 , H10K71/00 , H10K10/20 , H10K10/23 , H10K30/60 , H10K30/30 , G06T1/00 , H04N1/028 , H04N25/70
摘要： 本发明提供一种光检测器阵列，其在形成于基板上、沿第1方向平行延伸的多个第1电极与沿与该第1电极交叉的第2方向平行延伸的多个第2电极之间具有层叠膜，所述层叠膜是第1有机薄膜二极管与第2有机薄膜二极管通过成为公共阳极或公共阴极的中间连接电极层进行反向二极管连接而成。第1电极和第2电极中的至少一方具有使光透过的透明性，第1有机薄膜二极管为光响应性有机二极管，第2有机薄膜二极管为有机整流二极管。此外，中间连接电极层在作为公共阳极时以对其连接的第1有机薄膜二极管和第2有机薄膜二极管交接空穴的方式进行动作，中间连接电极层在作为公共阴极时以对其连接的第1有机薄膜二极管和第2有机薄膜二极管交接电子的方式进行动作。通过该光检测器阵列，可以使用有机半导体材料来容易地制造大面积、柔软、可弯曲的薄片型二维光影像扫描仪。
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公开(公告)号：CN118843327A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411329021.8
申请日：2024-09-24
申请人： 中国科学院金属研究所 , 东北大学
摘要： 本发明涉及半导体器件的研发与应用，具体为一种基于热电器件快速控温碳纳米管场效应晶体管及制作方法。该碳纳米管场效应晶体管包括衬底、与沟道接触的钛/金源漏电极、氧化铪介电层，以及位于氧化铪介电层之上的叠层钛/金栅电极，衬底为自下而上的二氧化硅/重掺杂的P型硅片/二氧化硅组合结构，沟道是通过水浴加热沉积制备的单壁碳纳米管沟道，沟道上方为栅极区域，自下而上的结构依次为氧化铪介电层和栅电极，源漏电极以及栅电极为钛/金自下而上的叠层复合结构。本发明首次提出基于热电控温技术的碳纳米管场效应晶体管性能调控方法，能够有效表征环境温度变化对碳纳米管场效应晶体管性能的影响，实现对器件温度的精准控制。
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公开(公告)号：CN118368907B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410799118.9
申请日：2024-06-20
申请人： 南开大学
摘要： 本发明涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种基于交叉阵列结构设计的单分子膜忆阻器及其制备方法。所述单分子膜忆阻器包括单分子膜忆阻模块，该模块包括单分子膜、金属源端电极和石墨烯漏端电极；金属漏端电极，其设置于石墨烯漏端电极顶部的相对两端；单分子膜忆阻模块以M×N阵列形式设置；所述单分子膜忆阻器制备方法包括：底部导电条、绝缘层、绝缘支撑层、金属源端电极、自组装单分子膜、石墨烯漏端电极以及金属漏端电极的制备。通过此制备方法制备的基于交叉阵列结构设计的单分子膜忆阻器具有较高的良品率和稳定性，具有制造下一代人工神经网络的分子电路的潜力。
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公开(公告)号：CN116314213A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310512186.8
申请日：2023-05-08
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： H01L27/12 , H10K19/00 , H10K19/10 , H01L27/088
摘要： 本发明涉及一种基于多种薄膜晶体管三维集成的半导体结构。所述基于多种薄膜晶体管三维集成的半导体结构包括：衬底；N层薄膜晶体管层，沿第一方向依次叠置，每层所述薄膜晶体管层包括若干个薄膜晶体管，且至少存在两层所述薄膜晶体管层中的所述薄膜晶体管的类型不同；N层所述薄膜晶体管层中的至少一层所述薄膜晶体管层用于形成传感电路、至少一层所述薄膜晶体管层用于形成存储电路、以及至少一层所述薄膜晶体管层用于形成计算和信号处理电路，且至少存在两层所述薄膜晶体管层形成的所述电路的类型不同。本发明提高了半导体结构的集成度。
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公开(公告)号：CN108292630B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201680068078.4
申请日：2016-11-21
申请人： 东丽株式会社
IPC分类号： H10B53/00 , G03F7/004 , G03F7/038 , H01B1/22 , H01B5/16 , H01L21/288 , H01L27/105 , H10K19/00 , H01L29/786 , H10K10/00
摘要： 提供驱动电压低、可通过涂布而形成的铁电体存储元件。至少具备第一导电膜、第二导电膜、和设置于所述第一导电膜与所述第二导电膜之间的铁电体层的铁电体存储元件，其中，所述铁电体层含有铁电体粒子及有机成分，并且，所述铁电体粒子的平均粒径为30～500nm。
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公开(公告)号：CN116723705A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310694623.2
申请日：2023-06-12
申请人： 南开大学
摘要： 本发明为一种垂直集成突触电子器件及其制备方法。该器件从下到上依次包括二氧化硅衬底、导电电极、SnO2半导体纳米线、离子胶、多壁碳纳米管电极和P3HT半导体纳米线；其中，导电电极和多壁碳纳米管电极的投影方向平行；SnO2半导体纳米线和P3HT半导体纳米线的投影平行；SnO2半导体纳米线的投影垂直于导电电极。本发明得到的电子器件与平面结构相比，垂直结构使人工突触的占地面积减少了一半；与此同时，共栅结构可以实现单通道刺激，多通道输出，对于信息处理和信号传递具有重要意义，并能运用于大规模集成。
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公开(公告)号：CN116234327A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310255246.2
申请日：2023-03-16
申请人： 福州大学
摘要： 本发明公开了一种基于不同β‑酮烯胺数量的亚胺键连接的共价有机聚合物薄膜组成的耐高温多级阻变存储器。该耐高温多级阻变存储材料为一种基于不同β‑酮烯胺数量的亚胺键连接的共价有机聚合物薄膜，以不同羟基侧基数量的醛单体和1,3,6,8‑四(4‑氨基苯基)芘为反应单体，通过简单的希夫碱缩合反应制备。并制备了ITO/Py‑COP‑n/Ag（n=0、1或2）三明治夹心结构存储器件。在反应过程中，通过改变醛单体中含有羟基侧基的数量，其显示出三元产率增强的耐高温多级存储性能。在器件制备和性能方面表现出灵活性、低成本、高开关电流比、低开启电压、耐高温等特点,适应于高温等苛刻环境条件下的存储器件。
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