公开(公告)号：CN119814008A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411877460.2

申请日：2024-12-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 杜源 ,  殷梓萌 ,  程新晟 ,  吕晶晶 ,  杜力

IPC: H03K5/14

Abstract: 本申请提供一种基于CMOS的大延时芯片，包括基板和延时电路，延时电路包括至少一个延时单元，多个延时单元采用二进制权重级联结构依次连接，目标延时单元与下一个延时单元之间连接低噪声放大器，均设置在基板上。延时单元包括四个晶体管、延时态和参考态，参考态包括第一电感，两端分别连接第一晶体管、第二晶体管；延时态包括延时线，两端分别连接第三晶体管、第四晶体管；且第一晶体管与第三晶体管连接，第二晶体管与第四晶体管连接。延时单元中，低延时单元的延时线设置在低延时单元本体内，高延时单元的延时线设置在基板上。可增加延迟时间，减小工作频带内的损耗，解决延时器芯片延迟时间短且损耗波动大的问题。

公开(公告)号：CN113337887A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110607629.2

申请日：2021-06-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  叶煜聪 ,  陆鑫宇 ,  殷梓萌 ,  郑凯文 ,  邹幸洁 ,  陈凯 ,  胡文晓 ,  刘斌

IPC: C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明公开了激光辅助MPCVD法增强单晶金刚石SiV色心的应用，以及具有SiV色心的单晶金刚石，其特征在于：所述SiV色心的形成系采用激光辅助MPCVD法在单晶金刚石衬底上生长硅掺杂的单晶金刚石而成。本发明方法采用激光辅助MPCVD法制备单晶金刚石，Si元素在制备过程中经等离子体辅助进入金刚石晶粒中，形成SiV发光中心，使单晶金刚石具有很强的SiV发光特性，该方法对设备要求较低、工艺简单、易于操作。

公开(公告)号：CN113337887B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202110607629.2

申请日：2021-06-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  叶煜聪 ,  路鑫宇 ,  殷梓萌 ,  郑凯文 ,  邹幸洁 ,  陈凯 ,  胡文晓 ,  刘斌

IPC: C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明公开了激光辅助MPCVD法增强单晶金刚石SiV色心的应用，以及具有SiV色心的单晶金刚石，其特征在于：所述SiV色心的形成系采用激光辅助MPCVD法在单晶金刚石衬底上生长硅掺杂的单晶金刚石而成。本发明方法采用激光辅助MPCVD法制备单晶金刚石，Si元素在制备过程中经等离子体辅助进入金刚石晶粒中，形成SiV发光中心，使单晶金刚石具有很强的SiV发光特性，该方法对设备要求较低、工艺简单、易于操作。