公开(公告)号：CN119383791A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411505050.5

申请日：2024-10-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 袁杰 ,  路鑫宇 ,  沈恩翔 ,  牛庆翔 ,  葛唐翔 ,  许云鹏 ,  刘晓峻 ,  陶超

IPC: H05B45/30 ,  A61B5/00 ,  A61B1/00 ,  A61B1/06 ,  H05B45/32 ,  H05B47/155

Abstract: 本发明提供了一种使用聚焦LED光源的光声成像方法，解决了LED光源光强不足无法实现高质量光声成像的问题电磁干扰严重、难以在液体和组织中照射的问题。该成像方法包括：驱动电路发射具有驱动能力的周期性脉冲信号，控制LED阵列周期性发射脉冲光；将3D打印组件固定在LED阵列上方，孔位与LED位置相对应；将光纤穿过3D打印组件，使其输入端与LED的发光部分耦合；在光纤的输出端用光纤合束器将多股光纤的光合成一束，将多个LED发出的脉冲光叠加在一起，起到聚焦的效果，在合束器的输出端能得到高强度的脉冲光；用合束器输出端的高强度脉冲光照射成像目标，用超声探头接收声压信号，通过算法实现光声成像。

公开(公告)号：CN113337887B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202110607629.2

申请日：2021-06-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  叶煜聪 ,  路鑫宇 ,  殷梓萌 ,  郑凯文 ,  邹幸洁 ,  陈凯 ,  胡文晓 ,  刘斌

IPC: C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明公开了激光辅助MPCVD法增强单晶金刚石SiV色心的应用，以及具有SiV色心的单晶金刚石，其特征在于：所述SiV色心的形成系采用激光辅助MPCVD法在单晶金刚石衬底上生长硅掺杂的单晶金刚石而成。本发明方法采用激光辅助MPCVD法制备单晶金刚石，Si元素在制备过程中经等离子体辅助进入金刚石晶粒中，形成SiV发光中心，使单晶金刚石具有很强的SiV发光特性，该方法对设备要求较低、工艺简单、易于操作。