公开(公告)号：CN113337887A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110607629.2

申请日：2021-06-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  叶煜聪 ,  陆鑫宇 ,  殷梓萌 ,  郑凯文 ,  邹幸洁 ,  陈凯 ,  胡文晓 ,  刘斌

IPC: C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明公开了激光辅助MPCVD法增强单晶金刚石SiV色心的应用，以及具有SiV色心的单晶金刚石，其特征在于：所述SiV色心的形成系采用激光辅助MPCVD法在单晶金刚石衬底上生长硅掺杂的单晶金刚石而成。本发明方法采用激光辅助MPCVD法制备单晶金刚石，Si元素在制备过程中经等离子体辅助进入金刚石晶粒中，形成SiV发光中心，使单晶金刚石具有很强的SiV发光特性，该方法对设备要求较低、工艺简单、易于操作。

公开(公告)号：CN113337887B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202110607629.2

申请日：2021-06-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  叶煜聪 ,  路鑫宇 ,  殷梓萌 ,  郑凯文 ,  邹幸洁 ,  陈凯 ,  胡文晓 ,  刘斌

IPC: C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明公开了激光辅助MPCVD法增强单晶金刚石SiV色心的应用，以及具有SiV色心的单晶金刚石，其特征在于：所述SiV色心的形成系采用激光辅助MPCVD法在单晶金刚石衬底上生长硅掺杂的单晶金刚石而成。本发明方法采用激光辅助MPCVD法制备单晶金刚石，Si元素在制备过程中经等离子体辅助进入金刚石晶粒中，形成SiV发光中心，使单晶金刚石具有很强的SiV发光特性，该方法对设备要求较低、工艺简单、易于操作。

公开(公告)号：CN114284132A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111548864.3

申请日：2021-12-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  张东祺 ,  胡文晓 ,  叶煜聪 ,  陈凯 ,  智婷 ,  刘斌 ,  谢自力 ,  张荣

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种在金刚石衬底上制备GaN薄膜的方法，在常规衬底上生长GaN纳米柱，在GaN纳米柱上生长多晶金刚石薄膜，除去常规衬底，以多晶金刚石薄膜为衬底，以多晶金刚石薄膜上的GaN纳米柱为成核层，在其上生长GaN薄膜。本发明利用了基于金刚石衬底的GaN纳米柱形成成核层，以生长后的金刚石薄膜作为衬底，去除硅后，金刚石薄膜上集成了GaN纳米柱，以GaN纳米柱作为中间层生长GaN薄膜，由于GaN纳米柱能够极大的缓解GaN和金刚石衬底之间的晶格失配产生的应力，可以避免金刚石衬底直接外延GaN薄膜的应力和晶格取向问题，有利于金刚石薄膜的均匀性，提高形核密度。从而获得高质量的GaN薄膜。