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公开(公告)号：CN113337887A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110607629.2
申请日：2021-06-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了激光辅助MPCVD法增强单晶金刚石SiV色心的应用，以及具有SiV色心的单晶金刚石，其特征在于：所述SiV色心的形成系采用激光辅助MPCVD法在单晶金刚石衬底上生长硅掺杂的单晶金刚石而成。本发明方法采用激光辅助MPCVD法制备单晶金刚石，Si元素在制备过程中经等离子体辅助进入金刚石晶粒中，形成SiV发光中心，使单晶金刚石具有很强的SiV发光特性，该方法对设备要求较低、工艺简单、易于操作。
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公开(公告)号：CN104017003B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410140044.4
申请日：2014-04-09
Applicant: 南京大学
IPC: C07F1/00
Abstract: 本发明公开了一种芳香基有机多齿配体?瓜环多孔框架聚合物及其合成方法，所述聚合物以瓜环、芳香基有机多齿配体和金属盐为原料，在水溶液中，瓜环分子通过芳香基有机多齿配体有序排列，形成包括所述芳香基有机多齿配体和瓜环的超分子自组装单体，所述超分子自组装单体中的瓜环端口羰基氧再与所述金属盐的金属离子配位，形成芳香基有机多齿配体?瓜环多孔框架聚合物。本发明的合成方法，操作简单、产率高，通过使用芳香基有机多齿配体，促进了瓜环分子有序排布，并抗衡了阴离子，解决了现有技术中无机阴离子填充孔穴的缺点，提高了芳香基有机多齿配体?瓜环多孔框架聚合物的孔道利用率高，为其在物质的吸附、分离，储能等方面的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN113128670B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202110382904.5
申请日：2021-04-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种神经网络模型的优化方法及装置，本申请提供的方法获取待优化的神经网络模型的结构、待优化的神经网络模型的参数以及待优化的神经网络模型的每一算子层对应的权重参数；根据待优化的神经网络模型的结构以及待优化的神经网络模型的参数，将待优化的神经网络模型转化为初始模型；对初始模型进行算子层融合处理，得到中间模型；根据目标硬件加速器可容纳的神经网络模型的权重范围以及预定系数，确定权重调节系数范围；根据权重调节系数范围以及权重参数，对中间模型进行权重优化处理；对权重优化后的中间模型，进行量化处理，获取优化后的神经网络模型。本申请提供的方法解决了神经网络模型在硬件加速器上布局受限的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114284132A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111548864.3
申请日：2021-12-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种在金刚石衬底上制备GaN薄膜的方法，在常规衬底上生长GaN纳米柱，在GaN纳米柱上生长多晶金刚石薄膜，除去常规衬底，以多晶金刚石薄膜为衬底，以多晶金刚石薄膜上的GaN纳米柱为成核层，在其上生长GaN薄膜。本发明利用了基于金刚石衬底的GaN纳米柱形成成核层，以生长后的金刚石薄膜作为衬底，去除硅后，金刚石薄膜上集成了GaN纳米柱，以GaN纳米柱作为中间层生长GaN薄膜，由于GaN纳米柱能够极大的缓解GaN和金刚石衬底之间的晶格失配产生的应力，可以避免金刚石衬底直接外延GaN薄膜的应力和晶格取向问题，有利于金刚石薄膜的均匀性，提高形核密度。从而获得高质量的GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN104017003A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410140044.4
申请日：2014-04-09
Applicant: 南京大学
IPC: C07F1/00
Abstract: 本发明公开了一种芳香基有机多齿配体-瓜环多孔框架聚合物及其合成方法，所述聚合物以瓜环、芳香基有机多齿配体和金属盐为原料，在水溶液中，瓜环分子通过芳香基有机多齿配体有序排列，形成包括所述芳香基有机多齿配体和瓜环的超分子自组装单体，所述超分子自组装单体中的瓜环端口羰基氧再与所述金属盐的金属离子配位，形成芳香基有机多齿配体-瓜环多孔框架聚合物。本发明的合成方法，操作简单、产率高，通过使用芳香基有机多齿配体，促进了瓜环分子有序排布，并抗衡了阴离子，解决了现有技术中无机阴离子填充孔穴的缺点，提高了芳香基有机多齿配体-瓜环多孔框架聚合物的孔道利用率高，为其在物质的吸附、分离，储能等方面的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN113337887B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110607629.2
申请日：2021-06-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了激光辅助MPCVD法增强单晶金刚石SiV色心的应用，以及具有SiV色心的单晶金刚石，其特征在于：所述SiV色心的形成系采用激光辅助MPCVD法在单晶金刚石衬底上生长硅掺杂的单晶金刚石而成。本发明方法采用激光辅助MPCVD法制备单晶金刚石，Si元素在制备过程中经等离子体辅助进入金刚石晶粒中，形成SiV发光中心，使单晶金刚石具有很强的SiV发光特性，该方法对设备要求较低、工艺简单、易于操作。
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公开(公告)号：CN104327101A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410538187.0
申请日：2014-10-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明芳香基有机多齿配体-瓜环多孔框架聚合物的控制合成与应用，属多维多孔穴瓜环基有机框架聚合物及合成方法与应用，所述芳香基有机多齿配体-瓜环多孔框架聚合物为BTB3--Q[6]-NH4+和BTB3--Q[6]-Cs+，首先在一定条件下合成合成BTB3--Q[6]-Cs+，然后将BTB3--Q[6]-Cs+溶于稀盐酸得BTB3--Q[6]-NH4+，BTB3--Q[6]-NH4+在一定浓度氨溶液中，在Cs+存在下，又而转化为BTB3--Q[6]-Cs+，从而达到Cs+的分离与富集。本发明在常温常压下进行，具有操作简单，快速，高效及产率高等特点。
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公开(公告)号：CN113128670A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110382904.5
申请日：2021-04-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种神经网络模型的优化方法及装置，本申请提供的方法获取待优化的神经网络模型的结构、待优化的神经网络模型的参数以及待优化的神经网络模型的每一算子层对应的权重参数；根据待优化的神经网络模型的结构以及待优化的神经网络模型的参数，将待优化的神经网络模型转化为初始模型；对初始模型进行算子层融合处理，得到中间模型；根据目标硬件加速器可容纳的神经网络模型的权重范围以及预定系数，确定权重调节系数范围；根据权重调节系数范围以及权重参数，对中间模型进行权重优化处理；对权重优化后的中间模型，进行量化处理，获取优化后的神经网络模型。本申请提供的方法解决了神经网络模型在硬件加速器上布局受限的问题。
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