-
公开(公告)号：CN114156347A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111608967.4
申请日：2021-12-27
Applicant: 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 南京大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种高耐压和低导通的横向结构功率肖特基二极管器件，其特征在于其结构自下而上依次包括：具有渐变势垒的器件外延结构，在渐变势垒内形成从高到低指向衬底的极化电场；所述器件外延结构顶部设有深度渐变的阳极凹槽结构，阳极凹槽的底部在沟道层，还包括阳极电极，所述阳极电极覆盖所述阳极凹槽。本发明充分利用了沟道的高电导特性和维持势垒阻挡层，将集中分布在阳极边缘的电场分散抵消或减弱，实现最大程度的器件高耐压和低导通。
-
公开(公告)号：CN111554733B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202010395256.2
申请日：2020-05-12
Applicant: 南京大学 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种提高功率肖特基二极管反向耐压的器件外延结构，包括基于Si或蓝宝石衬底外延的包含顶部器件沟道层的多层氮化物半导体薄层结构，在器件缓冲层内生长多个横向高势垒插入层，形成符合缓冲层，并公开了其制备方法。本发明采用采用多层高势垒插入结构，每一个高势垒插入层都是阻挡势垒电场向器件内部扩散的阻挡层，实现最大程度的器件耐压。
-
公开(公告)号：CN115101593A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210559846.3
申请日：2022-05-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/49 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种胆固醇生物传感器，其特征在于：以HEMT为换能器，在换能器的栅极上固定胆固醇氧化酶，所述栅极表面材料为金。还公开了其制备方法。本发明运用GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)结构作为换能器，将胆固醇氧化酶固定到器件的金栅上，实现对胆固醇的探测。这样不仅具备了电化学的性能，如测试简单，结构简化，实时反应，成本低等优点，同时由于HEMT结构的本征信号低，受外界其他环境影响小，灵敏度有一个很大的提高。促使胆固醇生物传感器提高了对胆固醇的准确性、专一性、稳定性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111554733A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010395256.2
申请日：2020-05-12
Applicant: 南京大学 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种提高功率肖特基二极管反向耐压的器件外延结构，包括基于Si或蓝宝石衬底外延的包含顶部器件沟道层的多层氮化物半导体薄层结构，在器件缓冲层内生长多个横向高势垒插入层，形成符合缓冲层，并公开了其制备方法。本发明采用采用多层高势垒插入结构，每一个高势垒插入层都是阻挡势垒电场向器件内部扩散的阻挡层，实现最大程度的器件耐压。
-
公开(公告)号：CN111554575A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010401018.8
申请日：2020-05-13
Applicant: 南京大学 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制备中低表面损伤的两步干法刻蚀方法，其步骤包括：(1)器件表面清洁；(2)高速的纵向ICP干法刻蚀；(3)低速的纵向ICP干法刻蚀；其特征在于：步骤(2)中的RF功率在步骤(3)中RF功率的200％以上，步骤(3)中的ICP功率在步骤(2)中ICP功率的200％以上。本发明通过先后采用两套不同的刻蚀功率，实现两步刻蚀，机理主要是在ICP刻蚀接近器件设计深度时，将主要刻蚀机制从离子轰击效应更换为表面离子化学反应，依靠小动能的表面化学反应，完成最后的刻蚀结构，从而将表面刻蚀损伤降低到最小范围。
-
公开(公告)号：CN114914316B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210559835.5
申请日：2022-05-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/112
Abstract: 本发明公开了一种近红外表面等离激元近场增强型高迁移率晶体管探测器，其特征在于自下而上依次包括：衬底层、底部GaN缓冲层、InGaN渐变层、InN层、GaN顶层，源极和漏级，所述GaN顶层在源极和漏级之间设有散布或矩阵分布金纳米颗粒的区域，形成表面等离激元结构。本发明通过窄禁带半导体异质结实现红外响应，采用表面等离激元增强型晶体场效应管结构以通过光增强提高灵敏度，实现了近红外探测。
-
公开(公告)号：CN114914316A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210559835.5
申请日：2022-05-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/112
Abstract: 本发明公开了一种近红外表面等离激元近场增强型高迁移率晶体管探测器，其特征在于自下而上依次包括：衬底层、底部GaN缓冲层、InGaN渐变层、InN层、GaN顶层，源极和漏级，所述GaN顶层在源极和漏级之间设有散布或矩阵分布金纳米颗粒的区域，形成表面等离激元结构。本发明通过窄禁带半导体异质结实现红外响应，采用表面等离激元增强型晶体场效应管结构以通过光增强提高灵敏度，实现了近红外探测。
-
公开(公告)号：CN114220872A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111609065.2
申请日：2021-12-27
Applicant: 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 南京大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种纵向结构功率肖特基二极管器件，其结构自下而上依次包括：具有变面电场反转层的器件外延结构，所述变面电场反转层由反向pn结组成，形成从表面指向衬底的内建电场，该电场与器件反向耐压时电极电场方向相反；所述器件外延结构顶部设有深度渐变的阳极凹槽结构，阳极凹槽的底部在漂移层，还包括阳极电极，所述阳极电极覆盖所述阳极凹槽。本发明采用深度渐变阳极金属结构，充分利用了变面反转电场特性和维持势垒阻挡层，实现最大程度的器件高耐压和低导通。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.014 seconds)
