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公开(公告)号：CN114822378B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210309920.6
申请日：2022-03-28
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： G09G3/32
摘要： 本发明公开了一种全彩LED器件控制方法，该器件由多个像素点构成，每个像素点由单颗无颜色转换材料的芯片构成。该单颗芯片在大电流密度下发光为蓝色，在中电流密度下发光为绿色，在小电流密度下发光为红色。通过脉冲宽度调制方法（PWM）调节电流大小来实现不同颜色，调节占空比来实现不同亮度，最终实现每个像素点单芯片全彩显示。本发明在单颗无颜色转换材料的芯片上实现了全彩发光，相对于不同颜色LED芯片多次转移，本发明只需要单次转移即可，避免了多次转移工艺复杂性和高成本问题，提高了显示的空间像素，有益于批量化实现Micro LED芯片的集成。另一方面本发明LED器件发光性能稳定、可靠性高，不存在颜色转换材料不稳定性和有毒等问题。
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公开(公告)号：CN116539154A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310583997.7
申请日：2023-05-23
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于鉴别紫外光成分的便携分光器，其结构特点是：包含两个大小不同的凸透镜、一个含有圆形镂空孔的滤光屏、一个含有长条形镂空孔的滤光屏、一个长棱镜、一个内壁高度吸光的外壳、一个可拆卸的上盖、一个荧光屏、一个反射镜、一个目镜。本发明的优点是：（1）可在不使用光谱仪的条件下，使人眼清晰辨别出光源是否含有紫外光成分；（2）与市场上常见的光谱仪相比成本更低廉，且更方便携带。
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公开(公告)号：CN112242465A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010932387.X
申请日：2020-09-08
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有增强出光p型层的氮化物半导体发光二极管，依次包括基板，设置于基板之上的n型层，产生六棱锥凹坑构造的准备层，含有六棱锥凹坑的单量子阱或多量子阱结构的发光层和p型层。所述p型层完全填充产生于准备层并贯穿发光层的六棱锥凹坑，同时高于发光层平面之上的厚度介于0nm‑‑30nm之间。此结构既能实现空穴经由六棱锥凹坑侧壁高效率地注入至发光层，同时可有效减少p型层对发光层发出的光的吸收，并减少p型层侧面的出光，从而提升氮化物发光二极管的电光转换效率和正面出光比例。
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公开(公告)号：CN115036378B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210470285.X
申请日：2022-04-28
申请人： 南昌大学
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/101 , G01J1/44
摘要： 本发明涉及半导体光电子技术领域，具体涉及一种AlInGaN基单pn结多色探测器及信号检测方法。该探测器自下向上依次包括：n型层、层叠结构和p型层；其中，所述层叠结构包括交替层叠的吸收层和隔离层，吸收层的数量为多个；各吸收层彼此之间禁带宽度不同，所述隔离层的禁带宽度大于所有吸收层的禁带宽度。该探测器结构在光照条件下的J‑V特性曲线具有明显台阶或拐点，使单pn结构实现多色选择性探测或同步探测成为可能。通过对该探测器测得的J‑V特性曲线进行数学处理，从中提取入射光的各波段信息，能够有效实现紫外‑红外范围内的多色选择性探测或同步探测。(56)对比文件CN 110444617 A,2019.11.12CN 114256394 A,2022.03.29TW 201724376 A,2017.07.01US 2002005524 A1,2002.01.17US 2004178421 A1,2004.09.16US 2006118722 A1,2006.06.08US 2007158638 A1,2007.07.12
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公开(公告)号：CN116465844A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310438492.1
申请日：2023-04-21
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： G01N21/31
摘要： 本发明公开了一种测量量子阱材料吸收系数的方法，该方法包括：（1）在衬底上生长含量子阱结构的外延层；（2）获得量子阱层的总厚度；（3）将外延片制备成样品，并获得样品中外延层的上、下界面的反射率；（4）测试得到量子阱结构内产生的光生载流子被100%收集时的外量子效率曲线，根据外量子效率曲线，分析剥离出仅为量子阱结构光响应的内量子效率曲线；（5）求解吸收系数与内量子效率、反射率、量子阱层的总厚度的关系式得到吸收系数。本方法为获得量子阱材料的吸收系数提供了途径，具有简单实用、对衬底材料无要求、准确度高等优点，避免了传统椭偏法不适用于测量量子阱结构和透射法要求衬底透明的缺点，对于器件设计具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116298400A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310220433.7
申请日：2023-03-09
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种检测p型Ⅲ族氮化物激活效果的表征方法，本发明基于开尔文探针力显微镜，通过在p型Ⅲ族氮化物的表面制备金属电极层形成欧姆接触，并将金属电极层与开尔文探针力显微镜的样品台形成导电连接，从而减弱除p型Ⅲ族氮化物外的其他外延层对测试结果的影响，根据p型Ⅲ族氮化物与金属电极层表面电势的差值或结合霍尔测试系统测试对表面电势进行换算，实现了p型Ⅲ族氮化物激活效果的较为准确的测量。本发明方法简单且快捷有效，能够精准的测定p型Ⅲ族氮化物表面电势激活前后的改变，对于研究p型Ⅲ族氮化物激活方法将发挥重要作用。
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公开(公告)号：CN113471060B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110583269.7
申请日：2021-05-27
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法，包括硅衬底预处理和在经过预处理的硅衬底上生长AlN薄膜，生长AlN薄膜过程中掺杂原子半径比Al原子半径大的Mg原子。本发明一方面利用Mg原子在生长过程中对AlN薄膜形成压应力，使AlN薄膜不易形成微孔洞，另一方面利用Mg原子在AlN中易团聚形成间隙原子填充微孔洞，从而大幅降低硅衬底上AlN薄膜微孔洞的生成。本发明的制备方法工艺简单，可实现高稳定性、高重复性的硅衬底AlN外延材料制备，解决了现有技术中AlN薄膜由于Al原子迁移弱、AlN与硅衬底之间的张应力大等导致孔洞多的问题。
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公开(公告)号：CN114844564A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210262654.6
申请日：2022-03-17
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： H04B10/116 , H04B10/516
摘要： 本发明公开了一种多基色LED可见光通信光源的调制方法，包括以下步骤：首先，发射端对各单基色的LED输出随机独立的二进制传输数据流，编码模块对二进制传输数据流中的每一位数据进行扩码，将一位数据扩为两位不同的数据，生成新的调制编码。然后，新调制编码加载于多个基色的LED上进行调制，产生多路并行的光信号，光信号经光电转换模块转换为电信号。最后，接收端将所接收的电信号经解调模块解调，输出解调信号，译码模块对解调信号译码，译码按原扩码方式进行反向还原，获得原始二进制传输数据流，输出新的译码。本发明简单易实现，使得单独电路控制的多基色LED合成的白光光源发光颜色亮度趋于稳定，在通信的同时其照明质量能得到有效的保障。
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公开(公告)号：CN114822378A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210309920.6
申请日：2022-03-28
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： G09G3/32
摘要： 本发明公开了一种全彩LED器件控制方法，该器件由多个像素点构成，每个像素点由单颗无颜色转换材料的芯片构成。该单颗芯片在大电流密度下发光为蓝色，在中电流密度下发光为绿色，在小电流密度下发光为红色。通过脉冲宽度调制方法（PWM）调节电流大小来实现不同颜色，调节占空比来实现不同亮度，最终实现每个像素点单芯片全彩显示。本发明在单颗无颜色转换材料的芯片上实现了全彩发光，相对于不同颜色LED芯片多次转移，本发明只需要单次转移即可，避免了多次转移工艺复杂性和高成本问题，提高了显示的空间像素，有益于批量化实现Micro LED芯片的集成。另一方面本发明LED器件发光性能稳定、可靠性高，不存在颜色转换材料不稳定性和有毒等问题。
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公开(公告)号：CN117995968A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311585140.5
申请日：2023-11-27
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明提供了一种发光二极管量子阱保护层的生长方法，量子阱的单元结构自下而上包括InGaN阱层，AlxGa1‑xN保护层和GaN势垒层，其特征在于包括以下生长步骤：在T1温度下生长InGaN阱层；在生长AlxGa1‑xN保护层过程中将温度从T1线性升高到T2，且使AlxGa1‑xN保护层中Al组分渐变减少；升温至T3生长GaN势垒层。相比较现有技术中单层的AlxGa1‑xN保护层，采用递增温度和递减组分方式生长的AlxGa1‑xN保护层，能阻挡高温下InGaN阱层中的In的分解，提高InGaN阱层的晶体质量，且有利于提高AlxGa1‑xN保护层的晶体质量，为GaN势垒的生长提供更好的界面，从而提高长波段LED芯片的发光效率。
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