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公开(公告)号：CN118473525A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410600856.6
申请日：2024-05-15
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC分类号： H04B10/116
摘要： 本发明公开了一种可见光通信系统，包括：发射端，用于发射光信号；发射端电源，用于向发射端提供脉冲信号；接收端，用于接收发射端发射的光信号；接收端电源，用于向接收端提供正向电流；电压表，用于测量接收端的电压响应值；所述发射端和接收端为LED，所述发射端的LED主波长小于所述接收端的LED主波长。本发明的可见光通信系统支持信号接收端正常的照明显示功能，不需要专门的探测器，使用LED即可实现对光信号的探测，节约成本；对于双向可见光通信而言，不需要单刀双掷开关或额外的一套发射器和探测器，增大了通信速率和降低了系统成本。
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公开(公告)号：CN118073394A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410328160.2
申请日：2024-03-21
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明提供一种Micro‑LED全彩显示器及其制备方法，其中Micro‑LED全彩显示器的制备方法，通过在同一衬底上集成多个颜色控制单元，并通过多个颜色控制单元分别控制红、绿、蓝三种光，再通过单片集成的方式将芯片阵列集成于电路基板，可以避免使用巨量转移技术或者颜色转换技术来实现全彩显示，简化了集成工艺的复杂性。此外，在芯片阵列制备时通过选择性刻蚀暴露出不同颜色控制单元的阳极接触面，且每颗颜色控制单元的发光层均相互独立，互不相连，所有的颜色控制单元都通过共用外延底部不刻断的N型半导体层导电并形成共阴连接，使得芯片阴极接触面只需要通过与外延底部不刻断的N型半导体层进行连线，即可实现阴极接触面的布线，进而简化了布线工艺。
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公开(公告)号：CN108305920B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201810193977.8
申请日：2018-03-09
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种氮化物发光二极管，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，在所述第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层处还设有倒六角锥结构，所述第一多量子阱层是由InxGa(1‑x)N量子阱、GaN势垒、AlyGa(1‑y)N势垒和GaN势垒依次组成的周期结构。本发明可有效调控空穴在多量子阱中分布、使空穴和电子更为有效地分布到部分量子阱中、从而改善空穴和电子的匹配度、提升发光效率。
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公开(公告)号：CN116607210A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310369558.6
申请日：2023-04-07
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种消除Ⅲ族氮化物材料中掺Mg记忆效应的外延生长方法，采用金属有机源TMIn清洗和InGaN阻挡层相结合的方法，可以消除MOCVD外延生长Ⅲ族氮化物材料中掺Mg的记忆效应，阻挡Mg扩散至下一层影响光电性能。清洗MOCVD反应环境的主要特征是在TMIn的作用下，长时间吹扫MOCVD反应室和反应管道，清除反应环境中的Mg，并分解MOCVD反应室中已沉积的易分解的掺Mg氮化物，消除反应环境中Mg的记忆效应。InGaN阻挡层或InGaN/GaN超晶格阻挡层的主要特征是在合适的温度和缓慢的生长速率下生长，阻挡P型氮化物材料内部或表面的Mg扩散至下一层。通过本发明的两步法结合，能完全消除Mg的记忆效应，从而增加了Ⅲ族氮化物材料掺杂Mg后界面的陡峭性，提高材料性能。
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公开(公告)号：CN116364800A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310083226.1
申请日：2023-02-08
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/0304
摘要： 本发明公开了一种兼具响应度和响应速度的InGaN可见光探测器外延结构，生长全过程是在MOCVD设备中进行的，外延结构包括衬底、依次形成于衬底之上的缓冲层、n型GaN层、V形坑开启层、InGaN/GaN量子阱层、p型AlxGa1‑xN层和p型GaN层；其中，在V形坑开启层沿着位错线开启V形坑，V形坑包含平台和侧壁，InGaN/GaN量子阱层在V形坑侧壁的In组分小于平台。InGaN量子阱层在V形坑侧壁的厚度相比平台更薄，可以缩短光生载流子的传输距离，并且光生载流子在V形坑的有源区中更容易分离，可以加快光生载流子离开有源区的速度，从而达到提高响应速度的目的，同时，V形坑的存在使得耗尽层加厚，增加了对光的有效吸收和光生载流子的收集效率，光电流增大，进而提高响应度。
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公开(公告)号：CN112909137B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202110086236.1
申请日：2021-01-22
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于可见光通信的LED芯片结构，通过电极线密布排列将常规尺寸的LED芯片分隔成若干个小尺寸的子区域，缩短电流注入路径距离，使电流分布更加均匀，从而提高耐受电流密度，在保证较高光输出功率的同时实现器件的快速调制。并且整个制造流程建立在相对成熟的常规尺寸LED芯片工艺基础上，具有器件调制能力优异、电极线密布排列、多焊盘、制造方法简单、光通量大、工艺成本低等优点，有利于光通信LED芯片的规模化制作，在照明与通信一体化的可见光通信领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115119355B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211037021.1
申请日：2022-08-29
申请人： 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌大学
IPC分类号： H05B45/00 , F21K9/90 , H04B10/116 , H04B10/50
摘要： 本发明公开了一种兼顾定位和照明的高速LED器件及其制备方法，所述LED器件包括LED电路、RLC旁路和封装基板，所述LED电路中包括若干LED芯片，所述LED芯片的波长不少于两种，所述LED电路包括至少两个单独控制的LED子电路，同一所述LED子电路上的LED芯片波长相同，至少有一个所述LED子电路并联连接RLC旁路，所述RLC旁路包括相互串联的电阻R、电感L和电容C，三者与LED子电路分别固定在所述封装基板上，形成电学连接。本发明通过在LED两端并联RLC旁路，提升LED调制带宽，用不同波长LED发射信号实现精准定位，调节不同波长LED光功率，提高照明效果。
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公开(公告)号：CN114530535A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210047002.0
申请日：2022-01-17
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化镓基垂直结构发光二极管及其制造方法，从下至上依次包括：支撑基板、键合金属层、P型电极、P型半导体层、量子阱发光层、N型半导体层、缓冲层及N型电极，其中，缓冲层具有贯穿的V型孔洞结构；N型半导体完全填充缓冲层的V型孔洞；N型电极与V型孔洞内的N型半导体接触，形成欧姆接触。在Si衬底上生长具有V型孔洞贯穿的缓冲层，然后生长高掺杂的N型半导体层，并且缓冲层的V型孔洞被N型半导体完全填充，该结构的组合保证了器件良好的N型欧姆接触特性的同时，保留了高强度的缓冲层，可实现具有超薄外延层的氮化镓基垂直结构发光二极管的制造。
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公开(公告)号：CN114335305A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111320757.5
申请日：2021-11-09
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种无荧光粉多基色LED侧发光模块及侧发光装置，该侧发光模块包括多基色LED光源、光源电路板、扩散板、导光板、第一反光层、第二反光层和散热器，多基色LED光源中不含荧光粉，通过至少四颗不同基色的LED芯片直接合成白光，导光板边缘设置有光耦合结构，扩散板、第二反光层、导光板、第一反光层依次叠设，导光板的光耦合结构和第一、第二反光层的设置实现了结构紧凑的多基色LED侧发光模块的高光提取、高亮度均匀性、高颜色均匀性；侧发光装置由侧发光模块和外壳、电源模块、控制模块、导线组成，侧发光模块与电源模块、控制模块通过导线相连，并结合驱动和控制设计，实现了多基色LED侧发光装置的光谱可调，实现按需照明，并兼顾高光提取、高亮度均匀性、高颜色均匀性的照明要求。
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公开(公告)号：CN113471060A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110583269.7
申请日：2021-05-27
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法，包括硅衬底预处理和在经过预处理的硅衬底上生长AlN薄膜，生长AlN薄膜过程中掺杂原子半径比Al原子半径大的Mg原子。本发明一方面利用Mg原子在生长过程中对AlN薄膜形成压应力，使AlN薄膜不易形成微孔洞，另一方面利用Mg原子在AlN中易团聚形成间隙原子填充微孔洞，从而大幅降低硅衬底上AlN薄膜微孔洞的生成。本发明的制备方法工艺简单，可实现高稳定性、高重复性的硅衬底AlN外延材料制备，解决了现有技术中AlN薄膜由于Al原子迁移弱、AlN与硅衬底之间的张应力大等导致孔洞多的问题。
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