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公开(公告)号：CN110197861B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201910522319.3
申请日：2019-06-17
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlInGaN基发光二极管，从下至上依次包括：N型AlInGaN层、具有V型缺陷的AlInGaN超晶格层、n区空穴阻挡层、AlInGaN基有源层、P型AlInGaN层，其特征在于：所述P型AlInGaN层中含有p区空穴阻挡层；所述n区空穴阻挡层仅形成于所述具有V型缺陷的AlInGaN超晶格层的V型缺陷侧壁，禁带宽度大于n区空穴阻挡层两侧半导体层；所述AlInGaN基有源层表面上具有V型缺陷和连接所述V型缺陷的平面区，所述P型AlInGaN层形成于所述平面区的上面并填充所述V型缺陷，所述p区空穴阻挡层仅位于所述平面区的上面，禁带宽度大于p区空穴阻挡层两侧半导体层。本发明采用高铝组分的空穴阻挡层，使空穴和电子集中在平面区复合发光，大大地提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN109378378B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201811235637.3
申请日：2018-10-23
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种垂直结构LED芯片，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极，第二电极与第一电极共同构成反射电极。本发明还公开了一种垂直结构LED芯片的反射电极及其制备方法。本发明有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN109037412B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201810937533.0
申请日：2018-08-16
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种具有掩膜层的反极性LED芯片，所述芯片包括基板层、键合层、粘结保护层、复合结构层、外延层、掩膜层、N电极和钝化层；基板层的上面依次从下至上为键合层、粘结保护层、复合结构层；外延层在复合结构层的上面，外延层依次从下至上为p型层、发光层、n型层、粗化层、欧姆接触层；在外延层上面设有掩膜层、N电极和钝化层，掩膜层在欧姆接触层之上，且与N电极图形对应，环绕在N电极周围。本发明还提出一种具有掩膜层的反极性LED芯片的制备方法。本发明可以解决粗化工艺中，欧姆接触层湿法腐蚀过程侧钻导致的N电极脱落问题，有效地提高了LED芯片的制备良率。
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公开(公告)号：CN109873062A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910083328.7
申请日：2019-01-29
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种带有复合反射镜的AlGaInP红色发光二极管器件结构，是常规AlGaInP红色发光二极管的反射镜层改成复合反射镜层，复合反射镜层分成反射区、电极和粘附区，反射区由介质层和反射金属组成，介质层的介质材料的折射率在1.0-2.5之间，电极为金属，材料和接触的半导体材料有关，对p型GaP，电极的金属材料为Au或AuZn合金或二者的叠层，或者，电极的金属材料为Ag或NiAg叠层或TiAg叠层；对n型GaAs，电极的金属材料为Ni、Au和Ge三种金属的叠层或者两种或两种以上的合金；粘附区的粘附材料为Cr、Ti、Ni、Mg、Fe以及TiW中的一种。本发明具有能提高反射镜的反射率、器件的出光效率和电光转换效率、同时保证反射镜结构具有很好的粘附性和可靠性的优点。
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公开(公告)号：CN107188114B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710351836.X
申请日：2017-05-18
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明公开了一种基于主动制冷液滴凝结的表面微结构制备方法，它通过主动制冷的液滴凝结技术，使置于一定蒸气环境下的聚合物表面温度低于环境温度，从而空气中的蒸气在聚合物表面成核，凝结长大并自组装成均匀分布的液滴，采用紫外固化实现聚合物固化和液滴蒸发，在聚合物表面得到均匀分布的微结构。本发明仅仅采用单相的聚合物材料，采用主动制冷实现聚合物温度降低，实现液滴凝结，用于替代传统的利用有机溶剂挥发制冷的表面微结构制备技术，简化了制备工艺，避免了由于有机溶剂使用带来的对人体的毒害以及环境污染等问题，具有工艺简单、成本低、微结构尺寸和形貌灵活可控和绿色环保的优点。
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公开(公告)号：CN107068818B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710286224.7
申请日：2017-04-27
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlInGaN基绿、黄光LED的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同；平面量子阱中存在类量子点结构，并成为LED的主要发光源。本发明具有以下优点：1、多量子阱中的类量子点发光结构减弱了位错的影响；2、多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的“工艺V坑”进一步增强了V坑的空穴注入功能；3、可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，可提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN106910804B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710286225.1
申请日：2017-04-27
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同。本发明可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，改善空穴与电子的匹配度，从而提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN106711300B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201611222884.0
申请日：2016-12-27
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种InGaN基黄色发光二极管结构，它包括衬底，在衬底上由下至上依次生长有缓冲层、n型层、准备层、黄光多量子阱层和p型层，其特征在于：准备层和黄光多量子阱层位置包含有一定数量和大小的倒六角锥结构，准备层是In组分较高的InxGa(1‑x)N厚单层结构，InxGa(1‑x)N层厚度为50‑200nm。In组分较高的InxGa(1‑x)N厚单层结构准备层可显著弛豫了黄光多量子阱层所受的张应力，获得高质量的黄光多量子阱发光层，同时位于准备层及黄光多量子阱层区域的倒六角锥结构可大幅提升p型载流子(空穴)的注入效率，从而提升黄色发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN109920893A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910126473.9
申请日：2019-02-20
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有良好电流扩展特性的反极性AlGaInP LED芯片及制备方法，该反极性AlGaInP LED芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P面反射电极、P面电流扩展层、发光层、粗化层、N面欧姆接触层、N面扩展电极和焊盘。本发明的反极性AlGaInP LED芯片的制备方法采用等于或小于N面扩展电极线宽的掩膜版对N面欧姆接触层进行图案化蚀刻，完全去除N面扩展电极两侧具有吸光作用的N面欧姆接触层，先完成粗化腐蚀、腐蚀切割道等化学蚀刻工艺，最后制备N面扩展电极和焊盘，提高产品的光提取效率和良率；并在P面电流扩展层上制备P面反射电极，可以避免遮光的N面扩展电极和焊盘正下方区域不必要的出光，更大程度地提高反极性AlGaInP LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN108447854B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201810299136.5
申请日：2018-03-30
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/58
摘要： 本发明公开了一种LED芯片的封装模块及其制备方法，LED芯片的封装模块包括四颗LED芯片、基板、固晶层、引线和一次光学透镜；四颗LED芯片通过固晶层分别键合在基板上，四颗LED芯片的发光面均为1/4圆扇形，四颗LED芯片呈圆周分布键合到基板上，四颗LED芯片发光面组成圆形；一次光学透镜将四颗LED芯片、基板、固晶层、引线密封在基板上。二次光学系统直接安装在一次光学透镜上，四颗1/4圆扇形发光面的LED芯片组合得到圆形发光面，与二次光学系统完全匹配。本发明具有能实现LED芯片发光与光学系统的最大化耦合、提高光源模块的出光效率、制备方法简单、易实现、结构简单、成本低廉的优点，解决了LED芯片封装模块与同轴光学系统之间的光耦合效率问题。
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