公开(公告)号：CN103140801A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201180041910.9

申请日：2011-08-30

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： C.埃克斯坦 ,  J.利珀特 ,  H.马尔托 ,  M.维瑟 ,  H.西克曼 ,  U.丁格

IPC: G03F7/20 ,  G02B5/08

CPC classification number: G02B5/0891 ,  G02B5/0808 ,  G03F7/70891 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/06

Abstract: 提出了一种适用于EUV波长范围中的波长使用的反射镜的基底，该基底（1）包含主体(2)和抛光层(3)，其中抛光层(3)具有小于10μm的厚度以及小于0.5nm的均方根粗糙度，并且主体(2)由铝合金制成。此外，在EUV反射镜(4)的基底(1)的抛光层(3)上设置高反射层(6)。