公开(公告)号：CN115698862A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180038774.1

申请日：2021-03-30

申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司

发明人： T.蒙兹 ,  A.坎普 ,  J.利珀特

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 本发明涉及一种微光刻投射曝光系统，特别是用于DUV范围(400)或EUV范围(100)的微光刻投射曝光系统，包括照明单元(102；402)和具有至少一个元件(370,372,380,382,390,396,397,399,391,392,393,394,398,451,930,1010,1012,1014)的投射镜头(104,340,640；404)，该至少一个元件至少区域性地被至少一个温度控制流体管线(302,304,306,308,310,452,476,486,602,919,921,1007)穿透，该至少一个温度控制流体管线被提供用于传导温度控制流体以控制所述元件的温度，其中温度控制流体管线(302,304,306,308,310,452,476,486,602,919,921,1007)连接到至少一个温度控制流体储存容器(470,480,615,515,516,519,460,920,1020)，并且其中用于控制温度控制流体的温度的至少一个温度控制元件(702,704,706,906,916,1006)被设置在温度控制流体管线(302,304,306,308,310,452,476,486,602,919,921,1007)上或温度控制流体管线中，其中至少两个元件(370,372,380,382,390,396,397,399,391,392,393,394,398,451,930,1010,1012,1014)独立地被各自单独的至少一个温度控制流体管线(302,304,306,308,310,452,476,486,602,919,921,1007)穿透，或者至少一个元件(370,372,380,382,390,396,397,399,391,392,393,394,398,451,930,1010,1012,1014)的至少两个不同区域独立地被各自单独的至少一个温度控制流体管线(302,304,306,308,310,452,476,486,602,919,921,1007)穿透，或者至少两个元件(370,372,380,382,390,396,397,399,391,392,393,394,398,451,930,1010,1012,1014)被温度控制流体管线(302,304,306,308,310,452,476,486,602,919,921,1007)穿透。本发明还涉及一种用于控制微光刻投射曝光系统(300,400)的至少一个元件的温度的方法。

公开(公告)号：CN115698859A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180020492.9

申请日：2021-02-11

申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司

发明人： A.拉巴 ,  J.利珀特 ,  M.拉布

IPC分类号： G03F7/20 ,  G02B7/185 ,  H10N30/50 ,  G02B26/00

摘要： 本发明涉及一种用于半导体光刻的投射曝光设备的光学装配件(30)，其包括光学元件(31)和用于使光学元件(31)变形的致动器(33)，其中由存在的控制器向致动器(33)施加偏压。此外，本发明涉及用于半导体光刻的投射曝光设备(1)，其包括根据前述权利要求中任一项的光学装配件(30)，以及涉及一种用于操作致动器(33)以使用于半导体光刻的光学元件(31)变形的方法，其中由存在的控制器向致动器(33)施加偏压。

公开(公告)号：CN110462524B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201880020371.2

申请日：2018-02-15

申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司

发明人： J.利珀特 ,  T.格鲁纳 ,  K.希尔德

IPC分类号： G03F7/20 ,  G21K1/06

摘要： 本发明涉及反射镜，特别是微光刻投射照明系统的反射镜，其中反射镜具有光学操作表面，包括基板(11、61、71、81、91)；反射层系统(16、66、76、86、96)，反射在光学操作表面(10a、60a、70a、80a、90a)上入射的电磁辐射；电极组装件(13、63、73、83)，配备在基板(11、61、71、81、91)上并由具有第一电导率的第一材料构成；以及中介层(12、62、72、82、92)，由具有第二电导率的第二材料构成。第一电导率和第二电导率之间的比率至少为100，并且反射镜具有至少一个补偿层(88)，其至少部分地补偿电极组装件(83)的热膨胀对光学操作表面(80a)的形变的影响。

公开(公告)号：CN110462524A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880020371.2

申请日：2018-02-15

申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司

发明人： J.利珀特 ,  T.格鲁纳 ,  K.希尔德

IPC分类号： G03F7/20 ,  G21K1/06

摘要： 本发明涉及反射镜，特别是微光刻投射照明系统的反射镜，其中反射镜具有光学操作表面，包括基板(11、61、71、81、91)；反射层系统(16、66、76、86、96)，反射在光学操作表面(10a、60a、70a、80a、90a)上入射的电磁辐射；电极组装件(13、63、73、83)，配备在基板(11、61、71、81、91)上并由具有第一电导率的第一材料构成；以及中介层(12、62、72、82、92)，由具有第二电导率的第二材料构成。第一电导率和第二电导率之间的比率至少为100，并且反射镜具有至少一个补偿层(88)，其至少部分地补偿电极组装件(83)的热膨胀对光学操作表面(80a)的形变的影响。

公开(公告)号：CN103140801A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201180041910.9

申请日：2011-08-30

申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司

发明人： C.埃克斯坦 ,  J.利珀特 ,  H.马尔托 ,  M.维瑟 ,  H.西克曼 ,  U.丁格

IPC分类号： G03F7/20 ,  G02B5/08

CPC分类号： G02B5/0891 ,  G02B5/0808 ,  G03F7/70891 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/06

摘要： 提出了一种适用于EUV波长范围中的波长使用的反射镜的基底，该基底（1）包含主体(2)和抛光层(3)，其中抛光层(3)具有小于10μm的厚度以及小于0.5nm的均方根粗糙度，并且主体(2)由铝合金制成。此外，在EUV反射镜(4)的基底(1)的抛光层(3)上设置高反射层(6)。