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公开(公告)号：CN102314096B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201110264583.5
申请日：2007-02-16
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Inventor： O.伍尔夫 , H.西克曼 , E.卡尔切布莱纳 , S.雷南 , J.旺格勒 , A.布雷桑 , M.格哈德 , N.哈弗坎普 , A.舍尔茨 , R.沙恩韦伯尔 , M.莱 , S.布尔卡特
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70958 , G03F7/70075 , Y10T83/0304 , Y10T83/04
Abstract: 一种制造用于微光刻投影曝光设备中的照射系统的长的微透镜阵列的方法，所述方法包括下述步骤：a)提供衬底(30)；b)提供包括切割刃(24)的切割工具(22)；c)在快速切割工艺中相对于所述衬底(30)重复移动所述切割工具(22)，从而使得所述切割刃能够切割入所述衬底(30)；d)在步骤c)中沿着平行于所述微透镜的纵向轴的纵向方向(X)移动所述衬底(30)；e)至少基本垂直于所述纵向方向(X)移动所述衬底(30)；f)重复所述步骤c)和d)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102314096A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110264583.5
申请日：2007-02-16
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Inventor： O.伍尔夫 , H.西克曼 , E.卡尔切布莱纳 , S.雷南 , J.旺格勒 , A.布雷桑 , M.格哈德 , N.哈弗坎普 , A.舍尔茨 , R.沙恩韦伯尔 , M.莱 , S.布尔卡特
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70958 , G03F7/70075 , Y10T83/0304 , Y10T83/04
Abstract: 一种制造用于微光刻投影曝光设备中的照射系统的长的微透镜阵列的方法，所述方法包括下述步骤：a)提供衬底(30)；b)提供包括切割刃(24)的切割工具(22)；c)在快速切割工艺中相对于所述衬底(30)重复移动所述切割工具(22)，从而使得所述切割刃能够切割入所述衬底(30)；d)在步骤c)中沿着平行于所述微透镜的纵向轴的纵向方向(X)移动所述衬底(30)；e)至少基本垂直于所述纵向方向(X)移动所述衬底(30)；f)重复所述步骤c)和d)。
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公开(公告)号：CN112189064A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201980033038.X
申请日：2019-05-08
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 本发明关于用以制作用于光学元件(11)的基板(10)的方法，其包含：引入起始材料(较佳为金属或半金属)至容器中并熔化该起始材料、通过从配置于容器的基座的区域中的多个单晶晶种盘开始定向地固化熔化的起始材料来制作具有准单晶体积区域(8)的材料体、以及通过处理材料体来制作基板(10)，以形成光学表面(12)。本发明还关于反射光学元件(11)，特别是用以反射EUV辐射(14)，其包含：具有光学表面(12)的基板(10)，其中反射涂层(13)施加于光学表面(12)上。基板(10)一般是根据前述方法制作且具有准单晶体积区域(8)。
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公开(公告)号：CN103140801A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201180041910.9
申请日：2011-08-30
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B5/0891 , G02B5/0808 , G03F7/70891 , G03F7/70958 , G21K1/06
Abstract: 提出了一种适用于EUV波长范围中的波长使用的反射镜的基底，该基底（1）包含主体(2)和抛光层(3)，其中抛光层(3)具有小于10μm的厚度以及小于0.5nm的均方根粗糙度，并且主体(2)由铝合金制成。此外，在EUV反射镜(4)的基底(1)的抛光层(3)上设置高反射层(6)。
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公开(公告)号：CN102799079B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210319088.4
申请日：2007-02-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70191 , G02B3/0056 , G02B27/0911 , G03F7/70058 , G03F7/70075 , G03F7/70083 , G03F7/70158
Abstract: 一种用于微光刻投影曝光设备的照射系统，包括光源（30）和光学积分器（56）。后者具有第一光学子元件（561X、561Y、562X、562Y）并且产生每个发射光束的多个二次光源（82）。聚光器使得所述光束在掩模面（70）中重叠。至少一个散射结构（58、60）包括设置在所述二次光源前面或者后面的多个单独设计的第二光学子元件。所述第一和第二光学子元件被配置使得由相同的辐照分布照射的光学子元件被隔开5mm以上。
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公开(公告)号：CN102799079A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210319088.4
申请日：2007-02-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70191 , G02B3/0056 , G02B27/0911 , G03F7/70058 , G03F7/70075 , G03F7/70083 , G03F7/70158
Abstract: 一种用于微光刻投影曝光设备的照射系统，包括光源（30）和光学积分器（56）。后者具有第一光学子元件（561X、561Y、562X、562Y）并且产生每个发射光束的多个二次光源（82）。聚光器使得所述光束在掩模面（70）中重叠。至少一个散射结构（58、60）包括设置在所述二次光源前面或者后面的多个单独设计的第二光学子元件。所述第一和第二光学子元件被配置使得由相同的辐照分布照射的光学子元件被隔开5mm以上。
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