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公开(公告)号：CN103140801A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201180041910.9
申请日：2011-08-30
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B5/0891 , G02B5/0808 , G03F7/70891 , G03F7/70958 , G21K1/06
Abstract: 提出了一种适用于EUV波长范围中的波长使用的反射镜的基底，该基底（1）包含主体(2)和抛光层(3)，其中抛光层(3)具有小于10μm的厚度以及小于0.5nm的均方根粗糙度，并且主体(2)由铝合金制成。此外，在EUV反射镜(4)的基底(1)的抛光层(3)上设置高反射层(6)。
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公开(公告)号：CN105353433B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201510870929.4
申请日：2012-01-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G02B5/08
Abstract: 适用于在EUV波长范围内的波长处使用的反射镜的基底(1)，包含基础体(2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110376670A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910693451.0
申请日：2012-01-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G02B5/08
Abstract: 适用于在EUV波长范围内的波长处使用的反射镜的基底(1)，包含基础体(2)。
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公开(公告)号：CN110376670B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201910693451.0
申请日：2012-01-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G02B5/08
Abstract: 适用于在EUV波长范围内的波长处使用的反射镜的基底(1)，包含基础体(2)。
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公开(公告)号：CN105353433A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510870929.4
申请日：2012-01-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G02B5/08
Abstract: 适用于在EUV波长范围内的波长处使用的反射镜的基底(1)，包含基础体(2)。
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公开(公告)号：CN103328664B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201280006089.1
申请日：2012-01-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B5/0891 , C22C1/05 , C22C9/00 , C22C21/00 , C22C21/12 , C22C29/00 , C22C32/0015 , C22C32/0047 , C22C32/0084 , G21K1/062 , Y10T428/31678
Abstract: 适用于在EUV波长范围内的波长处使用的反射镜的基底(1)，包含基础体(2)，其中所述基础体(2)由沉淀硬化合金，由合金系的金属间相，由颗粒复合材料或由具有在相应合金系统的相图中位于由相稳定线定界的区域中的组成的合金制成。尤其优选的是，所述基础体(2)由沉淀硬化铜或铝合金制成。此外，高反射层(6)设置在EUV反射镜(5)的基底(1)的抛光层(3)上。
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公开(公告)号：CN103328664A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201280006089.1
申请日：2012-01-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B5/0891 , C22C1/05 , C22C9/00 , C22C21/00 , C22C21/12 , C22C29/00 , C22C32/0015 , C22C32/0047 , C22C32/0084 , G21K1/062 , Y10T428/31678
Abstract: 适用于在EUV波长范围内的波长处使用的反射镜的基底(1)，包含基础体(2)，其中所述基础体(2)由沉淀硬化合金，由合金系的金属间相，由颗粒复合材料或由具有在相应合金系统的相图中位于由相稳定线定界的区域中的组成的合金制成。尤其优选的是，所述基础体(2)由沉淀硬化铜或铝合金制成。此外，高反射层(6)设置在EUV反射镜(5)的基底(1)的抛光层(3)上。
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