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公开(公告)号：CN118741987A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410277591.0
申请日：2024-03-12
IPC分类号： H05K9/00
摘要： 本申请公开了一种柔性透明高稳定性纳米线网络电磁屏蔽薄膜材料及其制备方法，涉及金属、磁性材料和半导体所构成的微观双界面壳层结构复合材料。所述纳米线网络复合材料为金属纳米线网络的多界面壳层结构，以金属纳米线为内核，于金属纳米线表面包裹磁性材料壳层，以及半导体材料壳层，以获得金属‑磁性‑半导体的双界面电磁多反射吸收异质结构。该新型纳米网络的多界面结构，利用不同功能材料界面的构成，对电磁波起到同时反射、折射、吸收的多重界面效应，可用于制作高性能的电磁屏蔽薄膜，进而实现在电子设备中应用。该薄膜不仅具有优越的电磁屏蔽性能，还满足电子设备对柔性透明性的特性要求，为电子设备领域带来前所未有的新应用。
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公开(公告)号：CN118302029A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410407077.4
申请日：2024-04-07
摘要： 本发明公开了一种SOT器件及其制备方法，SOT器件包括SOT耦合层以及设置在SOT耦合层上方的磁隧道结；磁隧道结包括铁磁自由层、势垒层与铁磁固定层由下至上依次层叠形成；SOT耦合层用于产生使磁隧道结内磁化翻转的自旋轨道矩，包括III族氮化物衬底与二维Janus过渡金属硫族化合物，利用III族氮化物原位多物理场调控Janus TMDC材料的Rashba效应；SOT耦合层中二维Janus过渡金属硫族化合物与磁隧道结的铁磁自由层相接触。本发明相比于传统器件提升了SOT效率，大幅降低器件阈值电流密度。
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公开(公告)号：CN115172510B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210803970.X
申请日：2022-07-07
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H04B13/02 , H01L31/0304 , H01L31/0264
摘要： 本发明涉及半导体器件及其制造技术领域，特别涉及一种水电解液的水下通信探测器及其制造方法，探测器包括主探测极板；光响应网络层，形成于所述主探测极板上；所述光响应网络层为复合纳米线组成的一维纳米网络，所述复合纳米线具有吸收外部光子以产生光生电子和光生空穴的功能；辅极板，通过外部电路与主探测极板电连接。本发明提供的探测器以具有光子吸收功能的复合纳米线构成一维光响应网络层，能够提供更大的固液反应界面以及为光生电子转移提供一维的转移通道，不仅能实现自供电，还能有效保护核芯材料；且直接采用水作为电解液，无需防水封装，就能够实现在深海水中长期稳定的循环工作。该器件响应时间短、响应度高，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108169518A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711406378.1
申请日：2017-12-22
申请人： 厦门大学
摘要： 形貌可控扫描隧道显微镜针尖制备系统，涉及扫描隧道显微镜。包括腐蚀平台、工作电路和控制软件，可制备用于STM测试需要的各种针尖。其中腐蚀平台包括装有腐蚀液体的电解池、用于固定和调节金属丝位置的探针定位机构以及可实时观察腐蚀过程中针尖形貌变化的监测平台；而工作电路为电解池供电，同时采集针尖电压信号，反馈给计算机控制软件，并由电机驱动电路控制步进电机完成探针的给进和提拉动作；控制软件则控制可编程电源输出不同变化模式电流，并根据采集卡反馈的电压信号，在针尖拉断瞬间及时关断电源，触发步进电机提取针尖。基于实时控制、实时观测及反馈，实现动态腐蚀过程的可控操作，从而制备出所需的不同形貌STM用针尖。
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公开(公告)号：CN113990978B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111198864.5
申请日：2021-10-14
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0336 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种电压调制变波段光电探测器及其制作方法，该光电探测器为雪崩型光电探测器，导电薄膜作为第一电极，二维材料作为载流子阻挡层，具有纳米阵列结构的半导体材料作为光子吸收层，因此外部辐射光子更容易被光子吸收层捕获，产生光生载流子，光生载流子被载流子阻挡层阻挡并在载流子阻挡层及两侧形成强电场，使得载流子被强电场加速实现雪崩增益，同时，强电场调控光生电子跃迁路径以改变光子吸收层响应的光子波长，以此可以获得一种高响应度，并且无需滤光片、更换半导体材料即可实现探测波段可调的光电探测器件，有助于提高器件对微弱光信号的探测能力和适用性。
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公开(公告)号：CN114806207A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210447864.2
申请日：2022-04-26
申请人： 厦门大学
IPC分类号： C08L101/00 , C08K3/38 , H02N2/18
摘要： 本发明涉及纳米发电机领域，特别涉及一种正交取向化二维复合材料、制备方法与柔性纳米发电机。其中，一种正交取向化二维复合材料，由氮化硼纳米片与紫外固化胶混合，后经电场正交取向化，并进行紫外固化制得，所述氮化硼纳米片由氮化硼粉末经超声液相剥离后筛选得到，正交电场施加平行于发电薄膜法向方向。本发明提供的柔性纳米发电机，采用紫外固化胶固化的正交取向氮化硼纳米片，配合上下电极，最终制得的纳米发电机具有高输出电压，最高能达到50～60V，电流可超过100nA，性能突出，柔性稳定，并且柔性纳米发电机整体制备过程简便，具有大规模推广应用的潜力。
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公开(公告)号：CN116676663A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310542612.2
申请日：2023-05-15
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明涉及半导体生长技术领域，特别涉及一种悬空二维材料的非衬底耦合低密度外延方法及外延结构。其中，一种悬空二维材料的非衬底耦合低密度外延方法，关键技术如下：提供介质衬底，通过刻蚀形成大范围占空比与高纵向孔深的均匀规则化镂空衬底；通过雾化无损干转移法将二维材料层转移并利用占沿表面张力覆盖于镂空衬底表面；其中空孔部分形成下方非衬底耦合的悬空二维薄膜外延区；将悬空非耦合衬底放入半导体材料生长反应腔中，采用先预成核后高迁移外延的二步模式循环生长，利用悬空非衬底耦合区表面的高迁移率，外延低密度高质量半导体薄膜。本发明可以获得低密度高质量的半导体外延薄膜，制备方法简单，省时高效，具有广阔的工业化前景。
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公开(公告)号：CN114875660B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210540527.8
申请日：2022-05-17
申请人： 厦门大学
IPC分类号： D06M11/83 , D06M13/513 , D06M10/02 , D06M13/144 , D06M13/127 , D06B3/10 , D06M101/06 , D06M101/32 , D06M101/34 , D06M101/20 , D06M101/40
摘要： 本发明涉及导电纺织物领域，特别涉及一种介导金属纳米线直接吸裹的导电纺织布及其制备方法，其中，采用该制备方法可获得高质量的导电纺织布，具体为将纺织布依次经过氧等离子处理和硅烷偶联剂改性处理获得金属介种吸附位点；纺织布置于有机液相反应溶液并在纤维表面静止种入金属纳米介导颗粒；纯化后进入第二阶段，金属纳米线网络直接在纺织布表面的介导生长及网络吸裹反应，获得全纤维吸裹金属纳米线网络的导电纺织布。该方法可一次性直接在任何纤维纺织布上做原位金属纳米线网络化吸裹，并获得性能优良的导电纺织材料，可应用于未来可穿戴及智能纺织品，以及电子服饰生产。
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公开(公告)号：CN113990978A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111198864.5
申请日：2021-10-14
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0336 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种电压调制变波段光电探测器及其制作方法，该光电探测器为雪崩型光电探测器，导电薄膜作为第一电极，二维材料作为载流子阻挡层，具有纳米阵列结构的半导体材料作为光子吸收层，因此外部辐射光子更容易被光子吸收层捕获，产生光生载流子，光生载流子被载流子阻挡层阻挡并在载流子阻挡层及两侧形成强电场，使得载流子被强电场加速实现雪崩增益，同时，强电场调控光生电子跃迁路径以改变光子吸收层响应的光子波长，以此可以获得一种高响应度，并且无需滤光片、更换半导体材料即可实现探测波段可调的光电探测器件，有助于提高器件对微弱光信号的探测能力和适用性。
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公开(公告)号：CN116752117A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310635975.0
申请日：2023-05-31
申请人： 厦门大学
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/448
摘要： 本发明涉及二维材料领域，特别涉及一种具有层间垂直电输运通道的二维材料的制备方法，步骤如下，在气态状态下营造出第一本征主原子过饱和环境，同时使第二本征主原子处于非饱和状态；在气流通路中引入包含垂直pz价电子轨道的掺杂源，使掺杂源取代所述非饱和的第二本征主原子，与所述饱和的第一本征主原子的pz轨道发生强烈耦合杂化，激活所述饱和的第一本征主原子的pz轨道在垂直方向的延伸，形成层间垂直电输运通道。本发明工艺简单，能与当前的微纳加工技术形成良好的兼容性，并且产量较高，薄膜质量优异，垂直导电通道可在室温下稳定存在，二次移植使用性较强，可拓展二维材料、特别是二维半导体材料在新型垂直结构电子器件中的应用。
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