公开(公告)号：CN108183087B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201810128085.X

申请日：2012-06-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吕盈缔 ,  陈文昭 ,  毛明瑞 ,  蔡冠智

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

摘要： 本发明的实施例提供了一种形成应力降低装置的方法。该方法包括：在衬底上形成金属通孔；在所述衬底上沉积应力降低层；对所述应力降低层施加蚀刻工艺以在所述金属通孔上方形成沟槽；用导电材料填充所述沟槽以形成金属结构；以及在所述应力降低层和所述金属结构的上端形成蚀刻阻挡层，其中，所述金属结构的上端包括形成在所述应力降低层中的凸缘部分。

公开(公告)号：CN108183087A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201810128085.X

申请日：2012-06-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吕盈缔 ,  陈文昭 ,  毛明瑞 ,  蔡冠智

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

摘要： 本发明的实施例提供了一种形成应力降低装置的方法。该方法包括：在衬底上形成金属通孔；在所述衬底上沉积应力降低层；对所述应力降低层施加蚀刻工艺以在所述金属通孔上方形成沟槽；用导电材料填充所述沟槽以形成金属结构；以及在所述应力降低层和所述金属结构的上端形成蚀刻阻挡层，其中，所述金属结构的上端包括形成在所述应力降低层中的凸缘部分。

公开(公告)号：CN103247594A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210209629.8

申请日：2012-06-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吕盈缔 ,  陈文昭 ,  毛明瑞 ,  蔡冠智

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种应力降低装置。该应力降低装置包括：在衬底上方形成的金属结构；在衬底上方形成的金属间介电层，其中，金属结构的下部嵌入金属间介电层；以及在金属结构上方形成的倒杯形应力降低层，其中，金属结构的上部嵌入倒杯形应力降低层。