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公开(公告)号：CN108183087B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201810128085.X
申请日：2012-06-20
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532
摘要： 本发明的实施例提供了一种形成应力降低装置的方法。该方法包括：在衬底上形成金属通孔；在所述衬底上沉积应力降低层；对所述应力降低层施加蚀刻工艺以在所述金属通孔上方形成沟槽；用导电材料填充所述沟槽以形成金属结构；以及在所述应力降低层和所述金属结构的上端形成蚀刻阻挡层，其中，所述金属结构的上端包括形成在所述应力降低层中的凸缘部分。
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公开(公告)号：CN106486496A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610769963.7
申请日：2016-08-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC分类号： H01L27/11573 , H01L21/84 , H01L27/11575 , H01L27/1203 , H01L29/0649 , H01L29/4234 , H01L29/66833 , H01L29/792 , H01L27/1207 , H01L21/7624
摘要： 本公开涉及一种半导体衬底，其包括第一硅层，第一硅层包括上表面，该上表面具有相对于上表面垂直延伸的突起部。隔离层被布置在上表面上方且在界面处与第一硅层交集，并且第二硅层布置在隔离层上方。还提供了一种制造半导体衬底的方法。本发明还提供了一种集成电路以及形成绝缘体上硅(SOI)衬底的方法。
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公开(公告)号：CN106601753B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201610786074.1
申请日：2016-08-31
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/683
摘要： 本发明的一些实施例涉及一种半导体器件。半导体器件包括衬底，衬底包括设置在绝缘层上方的硅层。衬底包括晶体管器件区域和射频(RF)区域。互连结构设置在衬底上方并且包括设置在介电结构内的多个金属层。处理衬底设置在互连结构的上表面上方。捕获层使互连结构与处理衬底分离。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN104795384B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201410268268.3
申请日：2014-06-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L21/76877 , H01L21/31144 , H01L21/743 , H01L21/76816 , H01L21/84 , H01L23/585 , H01L27/0248 , H01L29/0607 , H01L2924/0002 , H01L2924/14 , H01L2924/00
摘要： 根据一些实施例，本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件结构包括衬底，且该衬底具有器件区和边缘区。半导体器件结构也包括形成在衬底上的硅层和形成在硅层上的晶体管。晶体管形成在衬底的器件区。半导体器件结构还包括形成在硅层中的金属环。该金属环形成在衬底的边缘区，且该金属环环绕晶体管。
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公开(公告)号：CN102683321B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201210038062.2
申请日：2012-02-17
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/532 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/76885 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L23/5227 , H01L23/5283 , H01L2224/13 , H01L2924/10158
摘要： 器件包括顶部金属层；在顶部金属层上方并且具有第一厚度的UTM线；在UTM线上方并且具有第二厚度的钝化层。第二厚度与第一厚度的比值小于约0.33。
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公开(公告)号：CN102623381A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210020310.0
申请日：2012-01-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/70
CPC分类号： H01L24/97 , H01G4/30 , H01G4/306 , H01G4/40 , H01L24/11 , H01L2224/131 , H01L2224/16238 , H01L2224/16268 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要： 一种方法，包括：在半导体衬底的上方形成多个介电层；并且在该多个介电层中形成集成无源器件。然后，从该多个介电层中去除半导体衬底。将电介质衬底接合在多个介电层上。本发明还公开了一种用于在玻璃衬底上制造集成无源器件的方法。
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公开(公告)号：CN107046039A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201611113039.X
申请日：2016-12-06
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/778 , H01L21/84
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/76283 , H01L21/84 , H01L29/0649 , H01L29/66431 , H01L29/66477 , H01L29/778 , H01L29/78 , H03F1/0205 , H03F3/1935 , H03F3/195 , H03F2200/451 , H01L29/7786
摘要： 本发明实施例提供了一种半导体器件，包括衬底和高电子迁移率晶体管(HEMT)。形成有凹槽的衬底。HEMT的至少部分设置在凹槽中。也公开了一种用于制造半导体器件的方法。也公开了一种使用半导体器件的射频(RF)前端模块。本发明实施例涉及包括高电子迁移率晶体管的半导体器件结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103247698B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210195494.4
申请日：2012-06-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L28/40 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/3105
摘要： 公开的实施例包括一种电容器结构及形成电容器结构的方法。实施例是一种包括位于衬底上的导体-绝缘体-导体电容器的结构。该导体-绝缘体-导体电容器包括位于衬底上的第一导体、位于第一导体上的介电堆叠件、以及位于介电堆叠件上方的第二导体。介电堆叠件包括第一氮化物层，位于第一氮化物层上方的第一氧化物层，以及位于第一氧化物层上方的第二氮化物层。又一实施例是一种方法包括在衬底上形成第一导体；在第一导体上方形成第一氮化物层；用第一氧化氮(N2O)处理来处理第一氮化物层以形成位于第一氮化物层上的氧化物层；在氧化物层上方形成第二氮化物层；以及在第二氮化层上方形成第二导体。
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公开(公告)号：CN103247698A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210195494.4
申请日：2012-06-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L28/40 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/3105
摘要： 公开的实施例包括一种电容器结构及形成电容器结构的方法。实施例是一种包括位于衬底上的导体-绝缘体-导体电容器的结构。该导体-绝缘体-导体电容器包括位于衬底上的第一导体、位于第一导体上的介电堆叠件、以及位于介电堆叠件上方的第二导体。介电堆叠件包括第一氮化物层，位于第一氮化物层上方的第一氧化物层，以及位于第一氧化物层上方的第二氮化物层。又一实施例是一种方法包括在衬底上形成第一导体；在第一导体上方形成第一氮化物层；用第一氧化氮(N2O)处理来处理第一氮化物层以形成位于第一氮化物层上的氧化物层；在氧化物层上方形成第二氮化物层；以及在第二氮化层上方形成第二导体。
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公开(公告)号：CN102683321A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210038062.2
申请日：2012-02-17
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/532 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/76885 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L23/5227 , H01L23/5283 , H01L2224/13 , H01L2924/10158
摘要： 防止超厚金属上钝化层的破裂。器件包括顶部金属层；在顶部金属层上方并且具有第一厚度的UTM线；在UTM线上方并且具有第二厚度的钝化层。第二厚度与第一厚度的比值小于约0.33。
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