公开(公告)号：CN106094441B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201510800502.7

申请日：2015-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢彦丞 ,  陈政宏 ,  吴善德 ,  陈子祥

IPC: G03F7/20

Abstract: 远紫外(EUV)辐射源模块包括目标液滴发生器、第一激光源和第二激光源。目标液滴发生器配置为生成多个目标液滴。第一激光源配置为生成多个第一激光脉冲，第一激光脉冲在相应的激发位置处加热目标液滴，从而生成多个目标羽流。目标液滴的至少一个在与其他目标液滴不同的激发位置处被加热。第二激光源配置为生成多个第二激光脉冲，第二激光脉冲加热目标羽流，从而生成发射EUV辐射的等离子体。本发明的实施例还涉及远紫外光刻收集器污染减少。

公开(公告)号：CN106094441A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201510800502.7

申请日：2015-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢彦丞 ,  陈政宏 ,  吴善德 ,  陈子祥

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70025 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/7055 ,  G03F7/70983 ,  H05G2/00 ,  H05G2/001 ,  H05G2/003 ,  H05G2/005 ,  H05G2/006 ,  H05G2/008

Abstract: 远紫外(EUV)辐射源模块包括目标液滴发生器、第一激光源和第二激光源。目标液滴发生器配置为生成多个目标液滴。第一激光源配置为生成多个第一激光脉冲，第一激光脉冲在相应的激发位置处加热目标液滴，从而生成多个目标羽流。目标液滴的至少一个在与其他目标液滴不同的激发位置处被加热。第二激光源配置为生成多个第二激光脉冲，第二激光脉冲加热目标羽流，从而生成发射EUV辐射的等离子体。本发明的实施例还涉及远紫外光刻收集器污染减少。

公开(公告)号：CN105988306B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201610011949.0

申请日：2016-01-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢彦丞 ,  陈政宏 ,  吴善德 ,  严涛南

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70033 ,  G03F7/70558

Abstract: 本发明提供了一种极紫外(EUV)光刻工艺。该工艺包括：将晶圆加载至具有EUV源的EUV光刻系统；根据曝光剂量和EUV源的等离子体状态来确定剂量裕度；以及使用曝光剂量和剂量裕度，通过来自EUV源的EUV光来对晶圆执行光刻曝光工艺。本发明还提供了另一种极紫外(EUV)光刻工艺以及一种极紫外(EUV)光刻系统。

公开(公告)号：CN105988306A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610011949.0

申请日：2016-01-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢彦丞 ,  陈政宏 ,  吴善德 ,  严涛南

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70033 ,  G03F7/70558 ,  G03F7/2004

Abstract: 本发明提供了一种极紫外(EUV)光刻工艺。该工艺包括：将晶圆加载至具有EUV源的EUV光刻系统；根据曝光剂量和EUV源的等离子体状态来确定剂量裕度；以及使用曝光剂量和剂量裕度，通过来自EUV源的EUV光来对晶圆执行光刻曝光工艺。本发明还提供了另一种极紫外(EUV)光刻工艺以及一种极紫外(EUV)光刻系统。