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公开(公告)号：CN111708250B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010531834.0
申请日：2013-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/22 , G03F1/50 , G03F1/20 , G03F1/58 , G03F7/039 , G03F7/095 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了用于光刻曝光工艺的掩模的一个实施例。该掩模包括：掩模衬底；第一掩模材料层，被图案化以具有限定第一层图案的多个第一开口；以及第二掩模材料层，被图案化以具有限定第二层图案的多个第二开口。本发明还公开了利用单次曝光形成多层图案的具有三种状态的光掩模。
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公开(公告)号：CN105301913B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201410441988.5
申请日：2014-09-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 光刻系统中的光刻工艺包括加载掩模，该掩模包括限定集成电路(IC)图案的两种掩模状态。IC图案包括多个主要多边形，其中，将相邻的主要多边形分配至不同的掩模状态；以及背景，包括两种掩模状态中的一种中的场和两种掩模状态中的另一种中的多个亚分辨率多边形。该光刻工艺还包括配置照明器以在光刻系统的照明光瞳面上产生照明图案；利用根据照明图案确定的过滤图案在光刻系统的投影光瞳面上配置光瞳滤波器；以及利用照明器、掩模、和光瞳滤波器对靶实施曝光工艺。曝光工艺在掩模后面产生衍射光和非衍射光并且光瞳滤波器去除大部分的非衍射光。本发明还涉及用两种状态的掩模提高分辨率的光刻方法和结构。
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公开(公告)号：CN104914678A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410449045.7
申请日：2014-09-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70233 , G02B17/06
Abstract: 本发明提供了一种超紫外线光刻系统。该超紫外线光刻系统包括将掩模的图案成像到晶圆上的投影光学系统。该投影光学系统包括两个到五个平面镜。该两个到五个平面镜设计并配置为具有小于约0.50的数值孔径，晶圆上的图像域尺寸大于或等于约20mm，并且具有包括中心遮拦的光瞳平面。在实例中，中心遮拦具有的半径小于或等于光瞳平面的半径的50％。在实例中，中心遮拦具有的面积小于或等于光瞳平面的面积的25％。
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公开(公告)号：CN104914677A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410258190.7
申请日：2014-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/72 , G03F1/24 , G03F7/701 , G03F7/70191 , G03F7/7065
Abstract: 本发明提供了用于超紫外线光刻(EUVL)工艺的方法的一个实施例，该方法包括将掩模装载到光刻系统。该掩模包括缺陷修复区，且该掩模限定了位于其上的集成电路(IC)图案。该方法也包括根据IC图案在照明模式中设置光刻系统的照明器，根据照明模式在光刻系统中配置光瞳滤波器，以及在照明模式中通过光刻系统对具有掩模和光瞳滤波器的目标实施光刻曝光工艺。本发明也提供了制造具有增强的缺陷可修复性的集成电路的方法。
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公开(公告)号：CN104155846A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201310456172.5
申请日：2013-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/00 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/095 , G03F7/2022 , H01J2237/31769 , H01J2237/31796 , H01L21/0274 , H01L21/76811 , H01L21/76895 , H01L2221/1021
Abstract: 本发明提供了一种方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上方形成第二光刻胶层；以及对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行光刻曝光工艺，由此在第一光刻层内形成第一潜在部件，并且在第二光刻胶层内形成第二潜在部件。本发明还提供了采用单次曝光限定多层图案的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105319860B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510193413.0
申请日：2015-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/2002 , G02B26/06 , G03F7/20 , G03F7/70258 , G03F7/70308 , G03F7/7065
Abstract: 根据一些实施例，本发明提供了一种缓解用于ID图案的缺陷适印性的方法。该方法包括：将掩模加载至光刻系统，掩模包括一维集成电路(IC)图案；利用光刻系统中的光瞳相位调制器来调制从掩模衍射的光的相位；以及利用掩模和光瞳相位调制器，在光刻系统中对目标执行光刻曝光工艺。
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公开(公告)号：CN103969962B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201310158694.7
申请日：2013-05-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70325 , G03F1/24 , G03F7/70033 , G03F7/70091 , G03F7/70125 , G03F7/70191 , G03F7/702 , G03F7/70308 , G03F7/70316 , G03F7/70408 , G21K1/062
Abstract: 本发明公开了一种远紫外线光刻处理方法。该处理方法包括：接收远紫外光(EUV)掩膜、EUV放射源和照明器。该处理方法也包括：通过放射光以小于3度的物体侧的主光线入射角(CRAO)曝光EUV，其中，辐射光来自EUV放射源且被照明器定向。该处理方法进一步包括去除大部分的非衍射光以及通过投影光学箱(POB)收集和定向衍射光和没有被去除的非衍射光，从而曝光目标。
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公开(公告)号：CN106094441A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201510800502.7
申请日：2015-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70025 , G03F7/70033 , G03F7/7055 , G03F7/70983 , H05G2/00 , H05G2/001 , H05G2/003 , H05G2/005 , H05G2/006 , H05G2/008
Abstract: 远紫外(EUV)辐射源模块包括目标液滴发生器、第一激光源和第二激光源。目标液滴发生器配置为生成多个目标液滴。第一激光源配置为生成多个第一激光脉冲，第一激光脉冲在相应的激发位置处加热目标液滴，从而生成多个目标羽流。目标液滴的至少一个在与其他目标液滴不同的激发位置处被加热。第二激光源配置为生成多个第二激光脉冲，第二激光脉冲加热目标羽流，从而生成发射EUV辐射的等离子体。本发明的实施例还涉及远紫外光刻收集器污染减少。
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公开(公告)号：CN105301913A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201410441988.5
申请日：2014-09-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 光刻系统中的光刻工艺包括加载掩模，该掩模包括限定集成电路(IC)图案的两种掩模状态。IC图案包括多个主要多边形，其中，将相邻的主要多边形分配至不同的掩模状态；以及背景，包括两种掩模状态中的一种中的场和两种掩模状态中的另一种中的多个亚分辨率多边形。该光刻工艺还包括配置照明器以在光刻系统的照明光瞳面上产生照明图案；利用根据照明图案确定的过滤图案在光刻系统的投影光瞳面上配置光瞳滤波器；以及利用照明器、掩模、和光瞳滤波器对靶实施曝光工艺。曝光工艺在掩模后面产生衍射光和非衍射光并且光瞳滤波器去除大部分的非衍射光。本发明还涉及用两种状态的掩模提高分辨率的光刻方法和结构。
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公开(公告)号：CN105278256A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510282331.3
申请日：2015-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70191 , G03F1/0046 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F7/70091 , G03F7/70116 , G03F7/70125 , G03F7/70283 , G03F7/70308
Abstract: 本发明提供一种用于极紫外线光刻(EUVL)工艺的方法。方法包括：将二元相位掩模(BPM)加载至光刻系统，其中BPM包括两种相位状态并且限定在其上的集成电路(IC)图案；根据IC图案将光刻系统的照射装置设定为照射模式；根据照射模式将光瞳滤波器配置在光刻系统中；以及通过照射模式的光刻系统，利用BPM和光瞳滤波器对靶子执行光刻曝光工艺。本发明还提供了一种印制低图案密度部件的极紫外线光刻工艺。
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