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公开(公告)号：CN113307222B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110216701.9
申请日：2021-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种微机电系统(MEMS)包括：电路衬底，包括电子电路；支撑衬底，具有凹槽；接合层，设置在电路衬底和支撑衬底之间；通孔，穿过电路衬底到达开口；第一导电层，设置在电路衬底的前侧；第二导电层，设置在凹槽的内壁上；以及第三导电层，设置在每个通孔的内壁上。根据本申请的其他实施例，还提供了制造微机电系统的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114464545A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210027367.7
申请日：2022-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/528 , H01L23/522
Abstract: 公开了用于形成具有不同表面轮廓的凸块下金属(UBM)结构的方法和通过该方法形成的半导体器件。在实施例中，半导体器件包含：位于半导体衬底上方的第一再分布线和第二再分布线；位于第一再分布线和第二再分布线上方的第一钝化层；位于第一再分布线上方并且电耦合到第一重布线的第一凸块下金属(UBM)结构，该第一UBM结构延伸穿过第一钝化层，该第一UBM结构的顶面是凹面的；以及位于第二再分布线上方并且电耦合到第二再分布线的第二UBM结构，该第二UBM结构延伸穿过第一钝化层，该第二UBM结构的顶面是平坦的或凸起的。
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公开(公告)号：CN113948486A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111011574.5
申请日：2021-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 公开了用于形成伪凸块下金属化结构的方法和通过该方法形成的半导体器件。在实施例中，半导体器件包括：第一再分布线和第二再分布线，处于半导体衬底上方；第一钝化层，处于第一再分布线和第二再分布线上方；第二钝化层，处于第一钝化层上方；第一凸块下金属化(UBM)结构，处于第一再分布线上方，第一UBM结构延伸穿过第一钝化层和第二钝化层并电耦接至第一再分布线；以及第二UBM结构，处于第二再分布线上方，第二UBM结构延伸穿过第二钝化层，第二UBM结构通过第一钝化层与第二再分布线电隔离。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN113307222A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110216701.9
申请日：2021-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种微机电系统(MEMS)包括：电路衬底，包括电子电路；支撑衬底，具有凹槽；接合层，设置在电路衬底和支撑衬底之间；通孔，穿过电路衬底到达开口；第一导电层，设置在电路衬底的前侧；第二导电层，设置在凹槽的内壁上；以及第三导电层，设置在每个通孔的内壁上。根据本申请的其他实施例，还提供了制造微机电系统的方法。
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公开(公告)号：CN113517200B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202110314319.1
申请日：2021-03-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/485
Abstract: 方法包括在晶圆的第一导电部件上方形成金属晶种层，在金属晶种层上形成图案化的光刻胶，在图案化的光刻胶的开口中形成第二导电部件，以及加热晶圆以在第二导电部件和图案化的光刻胶之间产生间隙。在第二导电部件上镀保护层。该方法还包括去除图案化的光刻胶，以及蚀刻金属晶种层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113517200A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110314319.1
申请日：2021-03-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/485
Abstract: 方法包括在晶圆的第一导电部件上方形成金属晶种层，在金属晶种层上形成图案化的光刻胶，在图案化的光刻胶的开口中形成第二导电部件，以及加热晶圆以在第二导电部件和图案化的光刻胶之间产生间隙。在第二导电部件上镀保护层。该方法还包括去除图案化的光刻胶，以及蚀刻金属晶种层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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